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        鋰離子電池電極應(yīng)力測量研究進(jìn)展

        2015-03-26 22:56:14張競擇謝曉華曹春暉
        電池 2015年5期
        關(guān)鍵詞:拉曼鋰離子電極

        張競擇,謝曉華,張 建,曹春暉

        (1.中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所,上海 201800; 2.中國科學(xué)院大學(xué),北京 100049)

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        鋰離子電池電極應(yīng)力測量研究進(jìn)展

        張競擇1,2,謝曉華1,張 建1,曹春暉1,2

        (1.中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所,上海 201800; 2.中國科學(xué)院大學(xué),北京 100049)

        對鋰離子電池電極應(yīng)力的測量方法進(jìn)行綜述,重點(diǎn)是電極應(yīng)力的定量測量方法:激光束偏轉(zhuǎn)法(LBDM)、多光束光學(xué)傳感器系統(tǒng)(MOS)和微區(qū)拉曼成像。介紹了鈷酸鋰、錳酸鋰、鈦酸鋰、石墨、硅和錫等材料的應(yīng)力測量研究結(jié)果,提出了一些有待研究的問題。

        應(yīng)力; 激光束偏轉(zhuǎn); 多光束光學(xué)傳感器系統(tǒng); 微區(qū)拉曼成像

        在鋰離子電池的充放電過程中,隨著Li+的嵌脫,電極活性物質(zhì)的結(jié)構(gòu)會發(fā)生變化,進(jìn)而引起體積的膨脹或收縮,由于受到集流體的限制,電極就產(chǎn)生了應(yīng)力?;钚晕镔|(zhì)膨脹時,電極產(chǎn)生壓應(yīng)力;反之,電極產(chǎn)生拉應(yīng)力。由于正、負(fù)電極的收縮/膨脹程度不同,會使隔膜產(chǎn)生應(yīng)力[1]。電極應(yīng)力的另一個主要來源是固體電解質(zhì)相界面(SEI)膜,一般而言,SEI膜的形成會使電極產(chǎn)生壓應(yīng)力,原因為SEI膜的離子導(dǎo)電性高于電子導(dǎo)電性,部分新的SEI膜物質(zhì)會在原SEI膜內(nèi)部靠近活性物質(zhì)區(qū)域而非SEI膜/電解液界面生成[2]。電極應(yīng)力的來源還有粘接劑膨脹[3]、電毛細(xì)效應(yīng)[4]等。

        電極的應(yīng)力變化是電池容量衰減的主要原因之一。累積的應(yīng)力過大,會導(dǎo)致活性材料與集流體分離,增大活性材料/集流體界面阻抗,嚴(yán)重時,部分活性材料不再參與充放電;應(yīng)力過大也會導(dǎo)致電極出現(xiàn)裂紋、活性材料顆粒破裂等,破壞電子導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),同時,露出新鮮界面,與電解液發(fā)生副反應(yīng),降低電池容量。研究鋰離子電池電極應(yīng)力,可以了解電極應(yīng)力的產(chǎn)生機(jī)理、變化規(guī)律,從力學(xué)的角度指導(dǎo)電極的材料改進(jìn)、結(jié)構(gòu)設(shè)計,從而提高鋰離子電池的性能;同時,電極應(yīng)力的信息也有助于更深入地理解電化學(xué)過程中活性材料結(jié)構(gòu)的變化、電解液/活性物質(zhì)界面的演變等。

        電極應(yīng)力的定量測量是電極應(yīng)力研究的重要組成部分,本文作者對目前主要采用的3種應(yīng)力測量方法進(jìn)行綜述。

        1 激光束偏轉(zhuǎn)法(LBDM)

        激光束偏轉(zhuǎn)法(LBDM)基于斯托尼方程[5],通過測量襯底的曲率變化得到電極應(yīng)力的變化。斯托尼方程要求襯底為剛性,通常采用硅片或石英玻璃片,電極厚度遠(yuǎn)小于襯底厚度,為薄膜電極,方程中與電極相關(guān)的已知參數(shù)只有厚度,因此,測量應(yīng)力時不需要知道充放電過程中活性材料的其他物理化學(xué)變化,如彈性模量、泊松比的變化和相變等。

        應(yīng)力測量的LBDM裝置主要包含3個部分:帶窗口的電化學(xué)池、電化學(xué)測試設(shè)備和激光測量設(shè)備。電極襯底一端固定,電極應(yīng)力的變化會引起襯底自由端位移,使反射激光束的落點(diǎn)移動,通過幾何關(guān)系,可由激光落點(diǎn)位移得到襯底曲率的變化,進(jìn)而應(yīng)用斯托尼方程求得電極應(yīng)力[6]。

        S.I.Pyun等[6]用LBDM研究了磁控濺射制備的鈷酸鋰(LiCoO2)薄膜電極在循環(huán)伏安、恒流間歇滴定和計時安培過程中應(yīng)力的變化,并與理論計算對比,將LiCoO2單α相及兩相共存區(qū)的應(yīng)力變化分別歸因于α相的摩爾體積變化及α、β相晶格參數(shù)的不匹配。從這項研究還能看出,應(yīng)力測量可作為研究活性材料結(jié)構(gòu)變化的一種方法。

        尖晶石錳酸鋰(LiMn2O4)循環(huán)性能較差的一個重要原因是放電末期3.0 V(vs.Li/Li+,下同)附近Jahn-Teller效應(yīng)引起的晶格畸變,導(dǎo)致LiMn2O4結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定[7]。K.Y.Chung等[8]用LBDM研究了靜電噴霧沉積LiMn2O4薄膜電極應(yīng)力,對比微分應(yīng)變曲線(縱坐標(biāo)為應(yīng)變對電勢的微分)和循環(huán)伏安曲線得出:Jahn-Teller效應(yīng)的始發(fā)電位為3.90~3.95 V,遠(yuǎn)高于3 V。其原因是放電過程中LiMn2O4處于非平衡態(tài),表面鋰的富集,導(dǎo)致LiMn2O4表面發(fā)生了Jahn-Teller效應(yīng)。微分應(yīng)變曲線比循環(huán)伏安曲線多出的峰,可以清楚地反映這一過程。Y.H.Kim等[9]研究了在不同溫度(773 K和873 K)下,退火的溶膠-凝膠法制得的LiMn2O4薄膜電極,在循環(huán)伏安測試中,發(fā)現(xiàn)在較低溫度下退火的薄膜電極在3 V附近產(chǎn)生的應(yīng)力較小。歸因于退火溫度低時,錳的平均氧化價態(tài)高,抑制了Jahn-Teller效應(yīng)。

        應(yīng)力測量雖然不能提供材料結(jié)構(gòu)變化的直接證據(jù),但作為一種原位測量手段,與電化學(xué)測試相結(jié)合,稍加分析可以提供獨(dú)特的信息。

        H.Tavassol等[10]研究了金電極在鋰沉積過程中表面應(yīng)力的變化,結(jié)合基質(zhì)輔助激光解析串聯(lián)飛行時間質(zhì)譜,闡明了表面應(yīng)力變化的過程及起因:鋰金表面和體相合金化,以及SEI膜的形成。H.Tavassol等[11]研究了金屬錫(Sn)和不同氧含量SnOx薄膜嵌/脫鋰過程中的應(yīng)力變化,指出顆粒間適當(dāng)?shù)目障犊梢跃彌_體積膨脹,提升電極循環(huán)性能,探究了Sn及SnOx嵌/脫鋰的機(jī)理,一些在循環(huán)伏安圖中不明顯的材料結(jié)構(gòu)變化,在原位應(yīng)力測量中可以清楚地顯示出來。

        LBDM也可用于測量由活性材料、導(dǎo)電劑和粘接劑組成的多孔復(fù)合電極的應(yīng)力,但需要修正斯托尼方程。由于復(fù)合電極的多孔和粘接劑楊氏模量較小等原因,導(dǎo)致平均應(yīng)力變化值較小,對測量精度的要求更高。Z.Choi等[12]結(jié)合有限元分析修正了斯托尼方程,并使用高精度儀器(可以檢測到60 km的曲率半徑變化)研究了鈦酸鋰(Li4Ti5O12)復(fù)合電極在不同電位區(qū)間充放電及弛豫過程中應(yīng)力的變化,得到了豐富的結(jié)構(gòu)及動力學(xué)信息,如Li4Ti5O12脫鋰時Li4-xTi5O12相的生成、Li4Ti5O12在低電位下(< 1 V)生成了亞穩(wěn)態(tài)過嵌鋰相LiATi5O12(A> 7)及弛豫過程中Li4Ti5O12顆粒表面、內(nèi)部的相轉(zhuǎn)變等。從測量結(jié)果可知:Li4Ti5O12電極在1 V以下產(chǎn)生了明顯的壓應(yīng)力,比正常充放電范圍內(nèi)的應(yīng)力最大值高一個數(shù)量級以上。作者認(rèn)為這歸因于過嵌鋰相LiATi5O12(A> 7)的晶格結(jié)構(gòu)與Li7Ti5O12相存在較大差異;但缺乏更直接的實(shí)驗證據(jù),如XRD分析等,且與第一性原理計算結(jié)果[13]不符。作者也考慮了導(dǎo)電炭黑的SEI膜對應(yīng)力的影響,制備了由炭黑與粘接劑組成的復(fù)合電極,產(chǎn)生的壓應(yīng)力僅為原復(fù)合電極的7%;但未提及Li4Ti5O12的SEI膜,而Li4Ti5O12生成SEI膜是有實(shí)驗證據(jù)的[14]。為考察Li4Ti5O12SEI膜對電極應(yīng)力的貢獻(xiàn),可參考石墨電極的處理方法[2,15],對Li4Ti5O12進(jìn)行包覆處理,以抑制SEI膜的生成,并與原復(fù)合電極的應(yīng)力結(jié)果進(jìn)行對比。對比的結(jié)果也可為Li4Ti5O12低電位下是否形成SEI膜提供證據(jù)。

        在LBDM中,需要注意測量結(jié)果的準(zhǔn)確性,不同介質(zhì)折射率的差異,會對曲率的計算造成較大的影響[16]。

        還有一種與LBDM類似的測量方法,即用電容傳感器取代激光系統(tǒng)來測量電極自由端位移,進(jìn)而得到電極的曲率變化。L.Mickelson等[17]用該方法測量了石墨復(fù)合電極脫、嵌鋰及SEI膜產(chǎn)生的應(yīng)力,通過不同循環(huán)次數(shù)應(yīng)力的變化對兩者進(jìn)行區(qū)分,得到脫、嵌鋰產(chǎn)生的應(yīng)力分別為1.9±0.2 MPa、-3.7±0.4 MPa,而SEI膜產(chǎn)生的應(yīng)力為1.6±0.4 MPa。SEI膜產(chǎn)生的應(yīng)力屬于拉應(yīng)力的分析結(jié)果,與A.Mukhopadhyay等[2,15]的研究結(jié)果矛盾,可能是復(fù)合電極與薄膜電極的差異所致,需要進(jìn)一步驗證。

        2 多光束光學(xué)傳感器系統(tǒng)(MOS)

        多光束光學(xué)傳感器系統(tǒng)(MOS)的原理與LBDM類似,也是基于斯托尼方程,不同的是采用了多光束陣列,測量的是不同光束的間距變化而非單個光束落點(diǎn)的位移,因此避免了振動的干擾。

        應(yīng)力測量的MOS裝置[3]與LBDM裝置類似,也是由帶窗口的電化學(xué)池、電化學(xué)測試設(shè)備和激光測量設(shè)備等3個主要部分組成。V.A.Sethuraman等[3-4,18-21]使用MOS研究電極應(yīng)力:首先對硅薄膜電極進(jìn)行了一系列測量和理論分析,得到硅電極不同荷電態(tài)(SOC)下的雙軸模量[18],估算了嵌鋰硅的斷裂阻力上限值[4],提出塑性形變過程中耗散的機(jī)械能可與極化損失相比,應(yīng)力對嵌鋰硅的電化學(xué)勢有明顯影響[19,21];另外,修正了斯托尼方程,用于硅復(fù)合電極[20]和石墨復(fù)合電極[3]的應(yīng)力測量;比較了粘接劑聚偏氟乙烯(PVDF)與羧甲基纖維素鈉(CMC)對硅復(fù)合電極應(yīng)力變化的影響,發(fā)現(xiàn)Si/PVDF電極在可逆容量明顯偏低的同時,最大壓應(yīng)力僅為12 MPa,小于Si/CMC電極的70 MPa,歸因于PVDF粘接強(qiáng)度較低,易脫落[20];在對石墨復(fù)合電極的研究中,發(fā)現(xiàn)加入電解液時,粘接劑的膨脹產(chǎn)生了1~2 MPa的壓應(yīng)力,而嵌鋰過程中的最大壓應(yīng)力為10~12 MPa[3]。

        A.Mukhopadhyay等[2,15,22-23]對石墨電極進(jìn)行了一系列研究。首先用化學(xué)氣相沉積法制備了c軸取向的石墨薄膜電極,在恒流循環(huán)過程中的最大壓應(yīng)力約為250 MPa,遠(yuǎn)低于理論估算值(-10 GPa)。原因是該石墨電極為多晶態(tài),不能簡單地作為單晶石墨處理,較低的壓應(yīng)力被認(rèn)為是該電極循環(huán)性能優(yōu)異的重要原因[23]。對循環(huán)過程中不可逆壓應(yīng)力進(jìn)一步研究,通過比較不同電位、不同厚度、是否有氧化鋁包覆條件下石墨電極的應(yīng)力,認(rèn)為SEI膜是產(chǎn)生不可逆壓應(yīng)力的主要因素,而溶劑化Li+的共嵌入,也是可能的因素[2]。對SEI膜產(chǎn)生應(yīng)力的機(jī)理進(jìn)行深入探究,提出溶劑化Li+的共嵌入導(dǎo)致的碳層無定形化及更低電位下無機(jī)SEI膜的形成,是產(chǎn)生不可逆壓應(yīng)力的主要原因[15]。采用旋涂/棍涂單色液晶再碳化的方法,制備了石墨層垂直于襯底的石墨薄膜電極,具有較高的倍率性能,但是最大壓應(yīng)力也比較高,首次循環(huán)時約為-2 GPa,可能的原因有SEI膜的變化、c軸方向膨脹較大等[22]。A.Mukhopadhyay等[24]研究了錫薄膜電極的應(yīng)力變化,與硅類似,錫在充放電過程中也存在塑性形變,但錫的塑性形變與兩相共存區(qū)存在明顯的對應(yīng)關(guān)系,在單相階段,形變呈彈性。

        M.Pharr等[25-26]測量了不同嵌鋰量下硅的斷裂能,發(fā)現(xiàn)嵌鋰硅的斷裂能和純硅差異不大。這解釋了嵌鋰硅的斷裂呈現(xiàn)脆性特征:如果是塑性斷裂,嵌鋰硅的斷裂能應(yīng)遠(yuǎn)大于純硅。M.Pharr等[27]測量了不同充電(嵌鋰)倍率下硅薄膜電極的應(yīng)力變化,用以研究塑性形變過程,結(jié)合一個簡單的力學(xué)模型,得出應(yīng)力與塑性形變速率的定量關(guān)系,并解釋了硅電極的倍率特性:充電速率越快,塑性形變速率越快,應(yīng)力越大,從而越容易破裂。

        S.K.Soni等[28]用模板法制備了非連續(xù)硅薄膜電極,發(fā)現(xiàn)當(dāng)硅島的尺寸足夠小的時候,應(yīng)力始終呈彈性特征,并用剪力滯后效應(yīng)很好地解釋了這一點(diǎn)。

        硅、錫等在充放電過程中的塑性形變,會導(dǎo)致形貌的不可逆變化,降低電極結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性;同時,塑性形變會引起相連集流體大量位錯活動[29],進(jìn)而引發(fā)活性物質(zhì)/集流體界面裂紋,從而導(dǎo)致活性物質(zhì)與集流體分層;彈性形變意味著材料的應(yīng)力未達(dá)到屈服應(yīng)力,材料在彈性形變過程中的應(yīng)力通常小于塑性形變過程中的應(yīng)力。由此可知,避免塑性形變可提高電極的性能。

        3 微區(qū)拉曼成像

        拉曼光譜研究的是光的非彈性散射,散射光的頻移對應(yīng)于材料本身的振動模式,材料的應(yīng)變會導(dǎo)致振動頻率變化,從而導(dǎo)致散射光的頻移發(fā)生變化,表現(xiàn)為拉曼峰的頻移[30],基于此,可用微區(qū)拉曼成像分析材料的應(yīng)變/應(yīng)力分布。

        D.Liu等[31]用微區(qū)拉曼成像研究了商用軟包裝電池中石墨電極的應(yīng)力分布,發(fā)現(xiàn)石墨電極在輥壓后始終處于壓應(yīng)力狀態(tài),且應(yīng)力分布是不均勻的,輥壓過程中產(chǎn)生了較大的壓應(yīng)力,組裝電池前的真空烘烤可釋放部分壓應(yīng)力,壓應(yīng)力在電池循環(huán)初期增長較快。

        鋰離子電池電極的微區(qū)拉曼成像研究并不少[32-33],但很少用于電極應(yīng)力的研究。本文作者認(rèn)為原因主要是:①在充放電過程中,電極材料的結(jié)構(gòu)是不斷變化的,相應(yīng)的拉曼峰頻移通常也會隨之變化[32],結(jié)構(gòu)變化與應(yīng)力對于拉曼峰頻移的貢獻(xiàn)很難區(qū)分開來。本文作者曾做過LiCoO2電極的拉曼成像,4 000次循環(huán)后完全放電態(tài)電極(0.1C放電至截止電壓)的部分區(qū)域A1g拉曼峰頻移遠(yuǎn)高于應(yīng)力影響預(yù)期值,而與滿充電態(tài)LiCoO2相近。參考R.Kostecki等[33]的工作可知:①電極在多次循環(huán)后,導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)衰退,導(dǎo)致電極荷電態(tài)分布不均;②電極材料通常為粉末顆粒,拉曼峰頻移與應(yīng)變/應(yīng)力的線性系數(shù)較難測定[31];③目前,拉曼成像的耗時較長,難以實(shí)現(xiàn)原位實(shí)時測量。

        雖然存在一些困難,但微區(qū)拉曼成像能以極高的分辨率(約1 μm)給出電極應(yīng)力的平面分布,這是其他方法所不能比擬的。

        4 結(jié)論和展望

        電極應(yīng)力可引起電極裂紋、活性物質(zhì)與集流體分離、活性物質(zhì)顆粒破裂,導(dǎo)致電極阻抗增大,部分活性物質(zhì)甚至失活,且生成新的SEI膜,進(jìn)一步增大了電極阻抗,使活性物質(zhì)的量進(jìn)一步減少,這是鋰離子電池容量衰減的一個主要原因。

        電極應(yīng)力對比容量較大的活性材料影響更顯著,如硅、錫等(體積膨脹可達(dá)300%),是限制這些材料大規(guī)模應(yīng)用的主要瓶頸。

        對電極應(yīng)力的研究可揭示演變過程、產(chǎn)生的機(jī)理及影響因素,以利于有針對性地進(jìn)行電池設(shè)計,從而減少應(yīng)力的不利影響。

        關(guān)于電極應(yīng)力的定量研究,目前主要采用的方法是LBDM和MOS,得到的是平均應(yīng)力,主要集中于硅、碳兩種負(fù)極材料的研究,重點(diǎn)關(guān)注硅的塑性形變過程及碳的SEI膜。對碳負(fù)極的微區(qū)拉曼成像表明:電極的應(yīng)力分布并不均勻。

        電極應(yīng)力的定量測量可以得到許多獨(dú)特的信息,目前的使用范圍不廣泛,價值還有待進(jìn)一步挖掘。

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        Progress in determination study of stress in Li-ion battery electrode

        ZHANG Jing-ze1,2,XIE Xiao-hua1,ZHANG Jian1,CAO Chun-hui1,2

        (1.ShanghaiInstituteofMicrosystemandInformationTechnology,Shanghai201800,China;2.UniversityofChineseAcademyofSciences,Beijing100049,China)

        Determining methods for stress in the electrodes were presented,especially those quantitative ones:laser beam deflection method(LBDM),multi-beam optical sensor technique(MOS)and micro-Raman mapping technique.Using those methods,results concerning lithium cobalt oxides,lithium manganese oxides,lithium titanate,graphite,silicon,tin and a variety of materials were obtained.Some problems to be further studied were also put forward.

        stress; laser beam deflection; multi-beam optical sensor technique; micro-Raman mapping technique

        張競擇(1989-),男,江蘇人,中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所博士生,研究方向:鋰離子電池性能優(yōu)化及活性材料應(yīng)力;

        國家自然科學(xué)基金(21303245),上海市基礎(chǔ)重點(diǎn)項目(12JC1410000)

        TM912.9

        A

        1001-1579(2015)05-0284-04

        2015-07-14

        謝曉華(1979-),女,遼寧人,中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所副研究員,研究方向:鋰離子電池及材料,本文聯(lián)系人;

        張 建(1977-),男,福建人,中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所副研究員,研究方向:鋰離子電池及材料;

        曹春暉(1989-),男,河南人,中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所博士生,研究方向:鋰離子電池正極材料。

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