安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor），推出一系列新的高性能器件進(jìn)一步加強(qiáng)了低壓降（LDO）線性穩(wěn)壓器產(chǎn)品陣容，以支持雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）內(nèi)存。NCP51200、NCP51400、NCP51510和NCP51199采用內(nèi)置功率MOSFET，針對(duì)在電腦、數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)和手持消費(fèi)市場(chǎng)等廣泛應(yīng)用中的特定應(yīng)用如SDRAM DIMM內(nèi)存、伺服器、路由器、智能手機(jī)、平板電腦平臺(tái)、機(jī)頂盒、智能電視、打印機(jī)和個(gè)人電腦/筆記本電腦主機(jī)板。還提供經(jīng)AEC-Q100認(rèn)證的版本用于汽車應(yīng)用如嵌入式GPS定位系統(tǒng)、信息娛樂(lè)和無(wú)線網(wǎng)絡(luò)及藍(lán)牙通信。

這些高性能 LDO 支持 DDR1、DDR2、DDR3、LPDDR3、DDR4 和 LPDDR4 標(biāo)準(zhǔn)，終端電壓（VTT）低至 500 毫伏（mV）。 當(dāng)與DDR4和LPDDR4使用時(shí)，每一種的主動(dòng)源電流和汲電流能力達(dá)2安培（A）。此外，當(dāng)使用DDR4和LPDDR4時(shí)，NCP51145可支持高達(dá)1.2 A。NCP/NCV51199可為DDR2和DDR3分別提供2 A和1.5 A源汲電流，而NCP51200和NCP51510指定運(yùn)行于3 A峰值電流并支持遠(yuǎn)程感測(cè)。這些高度集成的DDR終端LDO的優(yōu)勢(shì)還包括軟啟動(dòng)、片上熱關(guān)斷和（對(duì)一些器件）欠壓鎖定機(jī)制。每一款器件都有高速差分放大器，對(duì)線性電壓和負(fù)載電流瞬變提供超快響應(yīng)。所有這些器件還都兼容DDR1和DDR2，易于升級(jí)到更新的DDR內(nèi)存。工作溫度范圍指定為-40~+125°C，可擴(kuò)展至+150°C用于汽車版本。