林慶輝，陳大俊

(1.東華大學材料科學與工程學院，上海201620;2.福建錦江科技有限公司，福建長樂350212)

尼龍6(PA 6)纖維具有吸濕性好、耐磨、耐堿、強度高等優(yōu)異性能，是制作時尚面料的重要原料之一。半消光PA 6切片及有光PA 6切片是制備PA 6長絲的主要原料。這兩種切片的區(qū)別在于切片中消光劑(通常選用二氧化鈦)的含量不同，半消光切片中二氧化鈦的質量分數為0.1% ～0.6%，而有光切片中一般不含二氧化鈦。在實際紡絲過程中，二氧化鈦含量的不同對切片可紡性有一定的影響。在行業(yè)標準《纖維級聚己內酰胺切片(FZ/T 51004—2011)》中雖然采用了一些檢測指標用于評價PA 6切片質量的等級，但根據這些常規(guī)指標，仍難以全面評估PA 6切片的性能，因此，有必要研究PA 6切片的其他性能指標，比如研究PA 6切片的結晶性能及流變性能等。

聚合物的結晶行為對其力學和成型加工性能有重要的影響［1］，在PA 6長絲生產中，目前用直接法生產超細旦長絲技術不成熟的一個原因是PA 6分子結構中含有大量氫鍵，結晶速度快，結晶度高，不易拉伸變形［2］，因而有必要研究切片的結晶行為。由于PA 6切片在熔融紡絲時，熔體經噴絲板擠出后的冷卻成型過程往往是在非等溫條件下進行的，故作者利用差示掃描量熱(DSC)法對有光及半消光PA 6切片在降溫階段的非等溫結晶動力學進行研究，并采用Jeriorny法和Liu法對非等溫結晶動力學數據進行處理，利用Friedman法計算得到非等溫結晶活化能(△E)。

1 實驗

1.1 主要原料及儀器

PA 6有光切片:相對黏度約2.5，福建錦江科技有限公司產;PA 6半消光切片:TiO2質量分數約0.3%，相對黏度約2.5，福建錦江科技有限公司產。

DSC 204F1 Phoenix?差示掃描量熱儀:德國Netzsch公司制。

1.2 測試方法

分別稱取PA 6有光切片和半消光切片試樣5～10 mg(在測試前需對試樣進行干燥處理)，在DSC儀器上進行非等溫結晶測試。測試條件:使用鋁坩堝，每次試樣測試質量保持一致，保護氮氣充入速率為60 mL/min。測試時先將試樣按20℃/min的速率升溫到260℃，平衡5 min，以消除熱歷史，然后分別以5，10，20，40℃/min的降溫速率(β)冷卻至室溫，測定試樣在結晶過程中熱流隨溫度的變化。

2 結果與討論

2.1 DSC冷卻結晶曲線

從圖1可看出，隨著β增大，PA 6的冷卻結晶峰溫向低溫方向移動，結晶峰寬變大。這是由于當β變慢時，PA 6在較高溫度下保持時間較長，PA 6分子鏈活動能力較強，晶核形成和晶體生長時間比較充分，可在較高溫度和較窄溫度范圍內完成結晶;當β變快時，PA 6分子鏈進行結晶的有規(guī)則排列的時間減少，使結晶峰向低溫移動，同時，溫度的降低使分子鏈段活動能力下降，需較長時間才能完成結晶，導致結晶峰變寬［3－4］。

圖1 PA 6的DSC冷卻曲線Fig.1 DSC cooling curves of PA 6

一般地，定義結晶峰寬(△Tc)為初始結晶溫度(T0)與結晶終止溫度(T∞)之差，△Tc越小，結晶速率越快。從表1可看出，PA 6半消光切片的結晶速率較PA 6有光切片快。在同樣的β下，PA 6半消光切片的結晶峰溫(Tp)較有光切片的高，這表明二氧化鈦在PA 6結晶中起到了成核劑作用，使PA 6可在較高溫度下結晶。隨著β的增大，PA 6的結晶峰溫下降，PA 6有光切片的結晶峰溫下降幅度高于PA 6半消光切片，說明β對PA 6半消光切片結晶峰溫的影響小一些。

表1 不同β下的冷卻結晶峰參數Tab.1 Cool crystallization peak parameters of PA 6 chips at different β

2.2 非等溫結晶動力學

2.2.1 Jeziorny 法

對于等溫結晶，可用Avrami方程進行動力學分析［5］。

式中:Xt為相對結晶度;Z為結晶速率常數;n為Avrami指數。

方程(1)可轉化為以下形式:

對非等溫結晶動力學，可采用 Jeziorny法［6］進行分析。該法先用上述Avrami方程進行參數解析，再需利用恒定β，對Z的數值按方程(3)進行修正。

式中:Zc為修正的結晶速率常數。

在非等溫結晶過程中，Xt是結晶溫度(T)的函數，可用方程(4)表示［7－8］。

式中:dHc為在無限小的溫度區(qū)間dT內所釋放的結晶熱。結晶時間(t)可按方程(5)進行計算。

圖2為Xt與t的關系曲線，利用這些曲線，可確定半結晶時間(t1/2)。從表2可看出，PA 6半消光切片較有光切片t1/2短，說明半消光切片較有光切片結晶速率快。

圖2 不同β下的Xt與t的關系曲線Fig.2 Plots of Xtversus t at different β

表2 不同β下的結晶動力學參數Tab.2 Crystallization kinetic parameters of PA 6 chips at different β

從圖3可看出，在PA 6非等溫結晶前期階段，lg［－ln(1－Xt)］與lgt具有良好的線性關系，而在后期則發(fā)生偏離，這與結晶后期晶粒相互碰撞的機率增大而引起結晶速度變慢有關。從圖3曲線的線性部分(如Xt小于90%)可求得n，Z，Zc，見表2。從表2可看出，n值非整數，且部分n值較大，說明采用Jeziorny法雖然處理方法簡單，但缺點在于對得到的參數難以給出明確的物理意義，且用于處理結晶后期階段的非等溫結晶動力學并不理想。

圖3 不同β下的lg［－ln(1－Xt)］與lgt的關系曲線Fig.3 Plots of lg［－ ln(1 － Xt)］versus lgt at different β

2.2.2 Liu 法

劉結平等［9］將Avrami方程和Ozawa方程結合起來，得到以下方程:

式中:F(T)為［K(T)/Z］1/m;K(T)為Ozawa法的結晶速率常數;Z為Avrami法的結晶速率常數;m為Ozawa指數;α為n/m。

在同樣的Xt下，以lgβ對lgt作圖(見圖4)，可求得某一Xt下的F(T)及α值(見表3)。從圖4可看出，lgβ與lgt的線性關系良好，說明Liu法可很好地應用于PA 6試樣非等溫結晶動力學的研究。

圖4 不同Xt下的PA 6試樣的lgβ與lgt的關系曲線Fig.4 Plots of lgβ versus lgt of PA 6 samples at different Xt

表3 兩種PA 6試樣在不同Xt下的F(T)和α值Tab.3 F(T)and α values of PA 6 samples at different Xt

F(T)表示結晶速率的快慢，F(T)越大，體系的結晶速率越低［10］。從表3可看出，有光切片F(T)較半消光切片大，說明有光切片要達到更高的結晶度，需要更高的β，故認為PA 6有光切片結晶速率低于PA 6半消光切片。從表3還可看出，兩種PA 6試樣的F(T)均隨著Xt的增大而增加，說明PA 6試樣要在相同時間內達到更高的結晶度，需要更快的β。另外，兩種切片的α值相差不大，說明少量二氧化鈦的加入對PA 6切片的晶體生長方式沒有很大的影響。

2.3 △E

在不少文獻中，Kissinger方程被應用于求解聚合物的△E，但文獻［11］指出，試圖將Kissinger方程用于從降溫DSC結晶曲線獲取△E的方法是不可取的。為了求得△E，參考文獻［7］，采用以下Friedman方程進行計算。

式中:R為摩爾氣體常數;C為常數。

由式(7)可知，對于給定的Xt，△E可以從ln(dXt/dt)對1/T作圖的直線斜率計算而得。所有的△E計算結果見表4。從表4可見，半消光切片的△E的平均值較有光切片的低約13.1 kJ/mol。一般地△E數值越低，聚合物結晶能力越高［12］。因此，半消光切片的結晶能力高于有光切片。另外，從表4還可看出，隨著Xt的提高，PA 6的△E變大，其結晶將變得困難。

表4 不同Xt下PA 6試樣的△ETab.4 △E of PA 6 samples at different Xt

3 結論

a.二氧化鈦的加入對PA 6半消光切片的結晶起到促進作用，提高了其結晶速率，且PA 6半消光切片的t1/2較短，結晶速率常數較大。

b.少量的二氧化鈦加入對PA 6切片的晶體生長方式沒有很大的影響。

c.PA 6半消光切片的△E的平均值較有光PA 6 切片的低約13.1 kJ/mol。

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