Gl obal Foundr i es宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺(tái)，成為全球第一家實(shí)現(xiàn)22nmFD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。

FD-SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因?yàn)闊o(wú)論Int el還是三星、臺(tái)積電，22n時(shí)代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。Gl obal Foundr ies技術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續(xù)改進(jìn)平面型，20nm上努力了一陣放棄，14nm索性直接借用三星的。盡管如此，GF22nmFD-SOI工藝也是有一些獨(dú)特優(yōu)勢(shì)的，雖然無(wú)法制造高性能芯片，但也很適合移動(dòng)計(jì)算、IoT物聯(lián)網(wǎng)、射頻聯(lián)網(wǎng)、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)架構(gòu)等領(lǐng)域。

Gl obal Foundr ies宣稱，該工藝功耗比28nmHKMG降低了70%，芯片面積比28nmBul k縮小了20%，光刻層比FinFET工藝減少接近50%，芯片成本比16/14nm低了20%，而且功耗超低，電壓可以做到業(yè)界最低的0.4V，并可通過(guò)軟件控制晶體管電壓，還集成了RF射頻，功耗降低最多50%。甚至，它可以提供類似FinFET工藝的性能。哪些半導(dǎo)體公司會(huì)成為22nmFDSOI的嘗鮮者呢?

GF22nmFD-SOI工藝將于2016年下半年在德國(guó)德累斯頓工廠投產(chǎn)，為此已投資2.5億美元。ARM、Imaginat ion、意法半導(dǎo)體、飛思卡、VeriSilicon、IBS、Semeria、Soitec等都表達(dá)了支持，將會(huì)采納。

意法半導(dǎo)體CEOJean-Mar c Cher y表示：GLOBALFOUNDRIES的FDX平臺(tái)，使用的先進(jìn)FDSOI晶體管結(jié)構(gòu)是我們長(zhǎng)期的合作研究而來(lái)的，能滿足IoT對(duì)al ways-on和低功耗的需求，以及其它功耗敏感的設(shè)備的需求。

飛思卡爾的MCUgr oupVPRonMartino表示：飛思卡爾的下一代i.MX系列應(yīng)用程序處理器利用FD-SOI工藝實(shí)現(xiàn)低功耗。GLOBALFOUNDRIES22FDX平臺(tái)將FD-SOI擴(kuò)展到28nm以下，對(duì)成本和功耗都帶來(lái)顯著優(yōu)化。

ARM物理設(shè)計(jì)部總經(jīng)理Will Abbey表示：我們正在與LOBALFOUNDRIES密切合作,提供客戶所需的IP生態(tài)系統(tǒng)，幫助他們從22FDX技術(shù)中獲益。

Imaginat ionTechnologies營(yíng)銷副總裁TonyKing-Smith指出：GLOBALFOUNDRIES的22FDX與Imaginat ion的廣泛IP組合結(jié)合后會(huì)賦予我們共同的客戶更多創(chuàng)新設(shè)計(jì)，這些IP包括Power VR多媒、MIPSCPU和Ensigma通信。

IBS公司創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Handel Jones表示，F(xiàn)D-SOI技術(shù)可以提供一個(gè)多節(jié)點(diǎn)、低成本方案，GLOBALFOUNDRIES的22FDX在一個(gè)低成本平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了FD-SOI技術(shù)的最低功耗。

“Soit ec首席執(zhí)行官Paul Boudr e表示，對(duì)下一代的低功耗電子產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，這是一個(gè)關(guān)鍵的里程碑。作為GLOBALFOUNDRIES的戰(zhàn)略合作伙伴，我們的超薄SOI襯底已經(jīng)準(zhǔn)備好應(yīng)對(duì)22FDX技術(shù)量產(chǎn)。