我國碳化硅材料襯底產(chǎn)品研制獲重大突破

山東天岳晶體材料有限公司承擔(dān)的“4英寸高純半絕緣4H-SiC單晶襯底材料”項(xiàng)目通過科技成果鑒定。專家認(rèn)為，山東天岳公司自主研制的4英寸高純半絕緣碳化硅（SiC）襯底產(chǎn)品性能達(dá)到國際先進(jìn)、國內(nèi)領(lǐng)先水平。

碳化硅基微波功率器件具有高頻、大功率、耐高溫等特性，是新一代雷達(dá)系統(tǒng)的核心器件。長期以來，碳化硅基微波功率器件的核心材料高純半絕緣碳化硅襯底產(chǎn)品的生產(chǎn)、加工難度大，世界上僅有少數(shù)國家掌握其制造技術(shù)，并一直對(duì)我國實(shí)施技術(shù)封鎖和產(chǎn)品禁運(yùn)。山東天岳公司通過自主創(chuàng)新，開發(fā)出了滿足客戶需求的4英寸高純半絕緣碳化硅襯底產(chǎn)品，填補(bǔ)了國內(nèi)空白，實(shí)現(xiàn)了該重要戰(zhàn)略半導(dǎo)體材料的自主生產(chǎn)。

4英寸高純半絕緣碳化硅半導(dǎo)體材料的研制成功，對(duì)于我國功率器件、深亞微米器件和微波功率器件的開發(fā)和應(yīng)用具有重要意義，將在各種先進(jìn)雷達(dá)系統(tǒng)等產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)應(yīng)用。 (KJ.0713)