文獻(xiàn)摘要（161）

控制阻抗設(shè)計(jì)

Controlled Impedance Design

傳輸線的阻抗是受控的，而且傳輸線的阻抗必須與驅(qū)動(dòng)器的阻抗匹配，這才是傳輸線好。文中說(shuō)明阻抗不匹配引起信號(hào)損耗的影響，由于PCB層間不同的介電材料、殘跡、過(guò)孔、連接器等，使傳輸線的阻抗沿其長(zhǎng)度而變化，應(yīng)了解這些原因以及消除根源。最后總結(jié)設(shè)計(jì)高速信號(hào)傳輸線的質(zhì)量要求，必須設(shè)計(jì)時(shí)做到阻抗匹配。

（Barry Olney，PCB Design，2015/05，共5頁(yè)）

高分散性直流酸銅電鍍的優(yōu)化

Optimization of Acid Copper Electrodeposition Processes for High-Throwing Power DC Plating

印制電路線路越來(lái)越細(xì)、導(dǎo)通孔越來(lái)越小，在制造方面對(duì)鉆孔及孔金屬化和電鍍的一個(gè)關(guān)鍵是高板厚孔徑比的孔加工。文中敘述了多層板通孔和盲孔厚徑比的變化與對(duì)電鍍分散能力的挑戰(zhàn)，具體分析硫酸銅電鍍工藝中影響電鍍均勻性的幾個(gè)因素。因素分析包括槽液酸銅比例、有機(jī)添加劑、機(jī)械方面攪拌與溶液流動(dòng)、陽(yáng)極品質(zhì)與維護(hù)等的影響。PCB電鍍孔的厚徑比12∶1以上最好采用脈沖電鍍完成，直流電鍍生產(chǎn)則需要對(duì)幾個(gè)參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。

（Michael Carano，PCB Magazine，2015/05，共9頁(yè)）

一種新的高生產(chǎn)效率的不同尺寸貫通孔電鍍方法

Electroplating Through-Holes with Different Geometry∶ A Novel and High- Productivity Process

文章介紹了一種新的通孔電鍍銅填孔工藝，設(shè)計(jì)MicroFill通孔填充（THF）電鍍銅液，使用不溶性陽(yáng)極與直流電流（DC）整流，用于大批量的HDI板金屬化孔生產(chǎn)，具有高可靠性。電鍍銅填充通孔的操作范圍很寬，為用戶提供靈活的操作模式。具體敘述電鍍?nèi)芤褐辛蛩徙~、硫酸和氯離子等無(wú)機(jī)成分，及抑制劑、光亮劑和整平劑等有機(jī)成分對(duì)填充孔作用；孔的厚徑比尺寸對(duì)填充孔影響；鍍液攪拌和流動(dòng)對(duì)填充孔影響等。電鍍生產(chǎn)線配置監(jiān)測(cè)和控制分析系統(tǒng)，這將應(yīng)用于大批量制造工廠，可以減少化學(xué)試劑消耗，增加整體的運(yùn)作效率和可靠性。

（Elie Najjar 等，PCB Magazine，2015/05，共11頁(yè)）

撓性印制板與剛性印制板的不同點(diǎn)

フレキシブルプリント配線板とリジットプリント配線板の相違點(diǎn)

The Different Point of Flexible PCB and Rigid PCB

從設(shè)計(jì)要求、基材選擇、加工工藝、產(chǎn)品規(guī)格、安裝使用多方面說(shuō)明撓性印制板與印制板的不同點(diǎn)，以及兩者產(chǎn)品價(jià)格計(jì)算也不同。FPCB的特點(diǎn)是采用撓性基材，采用覆蓋膜保護(hù)，采用成卷式生產(chǎn)，可以有長(zhǎng)尺寸產(chǎn)品等。

（赤塚正志，電子実裝技術(shù)，Nol.31，2015/03，共5頁(yè)）

下一代有機(jī)芯片載板技術(shù)

次世代有機(jī)微細(xì)配線基板技術(shù)

Organic Chip Carrier for Next Generation

敘述了積層印制板自1990年代起通孔、盲孔、線條越來(lái)越小的技術(shù)變化，下一代積層印制板性能要求，下一代積層印制板的材料特性和設(shè)計(jì)規(guī)格，以及技術(shù)要素和可靠性評(píng)價(jià)。應(yīng)用的市場(chǎng)在2.5D內(nèi)插式芯片封裝和存儲(chǔ)器模塊等，并向低成本材料與低成本加工發(fā)展。

（原園正昭 等，表面技術(shù)，Vol.66，2015/02，共5頁(yè)）

用銀納米粒子催化劑的化學(xué)鍍銅特性

無(wú)電解銅めっき用銀ナノ粒子觸媒の特性

Properties of Ag Nano-particle Catalyst for Electroless Cu Plating

高分子基板上化學(xué)鍍銅現(xiàn)多用鈀/錫混合物作催化劑，因?yàn)殁Z的成本高及鈀催化劑在板面殘留不易去除，于是研究用銀催化劑替代。本文介紹化學(xué)鍍銅中鈀/錫混合物作催化劑的機(jī)理，銀納米粒子作催化劑的吸附機(jī)理和析出形態(tài)以及工藝條件。并分別用鈀/錫混合物催化劑與銀納米粒子催化劑進(jìn)行半加成法制作細(xì)線路，進(jìn)行催化劑殘留物對(duì)精細(xì)線路間絕緣電阻影響的比較，顯示銀納米粒子催化劑優(yōu)勢(shì)。

（藤原裕，表面技術(shù)，Vol.66，2015/02，共6頁(yè)）

（龔永林）

Technology & Abstract (161)