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        基于單片機的簡易無線能量傳輸系統(tǒng)的實現(xiàn)

        2015-01-27 03:02:30鄔靜陽胡文山
        自動化與儀表 2015年7期
        關鍵詞:信號系統(tǒng)

        楊 輝,鄔靜陽,胡文山

        (1.武漢大學 動力與機械學院,武漢 430072;2.總裝工程兵裝備論證試驗研究所,北京 100093)

        隨著第二次工業(yè)革命開啟了人類電氣化時代,電能的應用無處不在,目前電能主要采用有線方式進行傳輸,這種傳輸方式存在諸如滑動磨擦、接觸火花和不安全裸露導體等弊端。生活中出現(xiàn)的問題,諸如家中過多的電線插座帶來的煩惱,以及如何對植入式醫(yī)療設備進行長期供電等,使得電能的無線傳輸成為迫切需求。

        現(xiàn)有無線能量傳輸技術主要可以分為以下3類[1]:電磁輻射技術、電磁感應耦合技術、電磁耦合共振技術。磁耦合共振式無線能量傳輸系統(tǒng),較感應式和輻射式有獨特的優(yōu)勢。共振式磁耦合可以在幾米的距離內(nèi)發(fā)生,而不需要增強磁場強度,且理論上發(fā)射源可同時給多個在有效區(qū)域內(nèi)的接收裝置供電,而其它非此特定諧振頻率的系統(tǒng)則不易受影響。磁共振式傳輸將能量從發(fā)射端傳輸?shù)浇邮斩藭r,就像是一個空間的短路,如同隧道效應,能量從損耗最低的路徑傳輸,可大大提高傳輸效率。

        在國外,2007年MIT研究小組使用2個直徑為60 cm的銅線圈,通過調(diào)整發(fā)射頻率使2個線圈在10 MHz產(chǎn)生共振,成功點亮距離電力發(fā)射端 2 m以外的一盞60 W燈泡,效率在40%左右[2]。在國內(nèi),哈爾濱工業(yè)大學團隊自2008年開始,對磁耦合共振式無線能量傳輸技術做了很多基礎研究,文獻[3]中采用電路理論及電磁場理論對中頻諧振系統(tǒng)的電路拓撲進行了分析,得出了接收端電流最大的條件,實驗采用集中參數(shù)元件構成共振體,能在70 cm傳輸距離下實現(xiàn)23 W的能量傳輸。

        本文從磁耦合共振式無線能量傳輸系統(tǒng)工作原理著手,采用STC90C52AD單片機芯片作為主控芯片,對其硬件電路進行設計,并在實驗室搭建實際電路以驗證此方案設計的可行性。

        1 磁耦合共振式無線能量傳輸系統(tǒng)的工作原理

        本文主要采用傳統(tǒng)的電路理論對系統(tǒng)進行建模。一個完整的共振耦合系統(tǒng),除了2個諧振線圈外還必須有發(fā)射功率源和接收功率設備。高頻信號發(fā)生器和高頻功率放大電路一起構成了高頻功率源,即本文需要設計的高頻電源。相隔一定距離的2個空心線圈L1、L2分別為發(fā)射線圈和接收線圈,C1和C2分別為大小相同的2個電容,配合2個空心線圈一起構成諧振電路。M表示兩線圈間的相互耦合。當兩線圈所在電路的諧振頻率十分接近時,兩線圈的磁場強烈耦合產(chǎn)生共振,從而實現(xiàn)能量的高效傳輸。磁耦合共振式無線能量傳輸系統(tǒng)的示意圖如圖1所示。其電路模型如圖2所示。

        圖1 磁耦合共振式無線能量傳輸系統(tǒng)示意圖Fig.1 System sketch diagram of MCR-WPT

        圖2 磁耦合共振式無線能量傳輸電路模型Fig.2 Circuit model of MCR-WPT

        根據(jù)圖2使用相量法,建立系統(tǒng)的頻域方程。令發(fā)射端線圈電流為Is,接收端線圈電流為Id,則:

        據(jù)KVL定律得到:

        式中:M 為線圈之間的互感。 由式(3)、式(4)聯(lián)立解出:

        令發(fā)射端的輸入功率為Ps,接收端負載消耗功率為 Pd,則:

        因此可以得出傳輸效率:

        2 系統(tǒng)的硬件電路設計

        2.1 系統(tǒng)的總體結構設計

        整個系統(tǒng)由發(fā)射端的高頻信號發(fā)生電路、控制信號處理電路、功率放大電路、全橋逆變電路,以及接收端整流電路和發(fā)射端線圈、接收端線圈組成。采用STC90C52AD芯片作為主控芯片,此芯片為89系列單片機的升級版,抗干擾、低功耗性能更佳,且其內(nèi)置8路10位高速A/D轉(zhuǎn)換器,降低硬件電路設計復雜度。通過90C52AD單片機控制高頻信號發(fā)生電路產(chǎn)生所需高頻信號,輸入到控制信號處理電路,對其進行隔離、整形,再經(jīng)過功率放大電路,進行全橋逆變把高頻直流變成高頻交流電能,從而使原邊線圈產(chǎn)生高頻交變磁場,作用于副邊線圈,副邊線圈電流再經(jīng)過整流電路得到所需直流。系統(tǒng)各環(huán)節(jié)關系圖如圖3所示。

        2.2 高頻信號發(fā)生電路

        無線能量傳輸系統(tǒng)的高頻電源的頻率應該穩(wěn)定、可調(diào)、范圍廣、且簡單經(jīng)濟。綜合以上要求,選用基于DDS的信號發(fā)生器方案。DDS采用全數(shù)字的頻率合成方法,采用其設計的信號發(fā)生器具有極高的頻率分辨率和精確度,并具有頻率切換速度快、相位噪聲低、頻率切換時相位連續(xù)等優(yōu)點,能克服傳統(tǒng)模擬信號源的缺點和不足。

        圖3 系統(tǒng)各環(huán)節(jié)關系圖Fig.3 Section relation schema of system

        DDS的基本結構如圖4所示。相位累加器的輸出即為波形存儲器的地址,通過改變相位增量即可以改變DDS的輸出頻率值。

        圖4 DDS基本原理示意圖Fig.4 Basic principle sketch diagram of DDS

        系統(tǒng)設計中使用AD9850集成芯片的DDS模塊,采用5 V供電,125 MHz的參考晶振源,AD9850擁有32位相位控制字,可以實現(xiàn)0.0291 Hz的步進調(diào)頻,最高輸出頻率可達62.5 MHz[4],滿足系統(tǒng)設計要求,且其頻率輸出相當穩(wěn)定,將上述正弦波輸入AD9850內(nèi)部集成比較器即可得到實驗所需的方波。方波的頻率可由90C52AD單片機配合按鍵進行控制。

        2.3 控制信號處理電路

        控制信號處理電路主要實現(xiàn)隔離、整形、差分功能,方波信號首先通過光耦合器,以隔離后面的高壓逆變電路對前面信號發(fā)生電路的沖擊和干擾,同時也起到一定的整形作用。由于輸入為單路方波信號,而全橋逆變需要2對反相互補的控制信號。因此本設計采用常用于通信中單端信號轉(zhuǎn)差分信號的SN75174芯片進行雙路差分處理得到4路輸出,輸出信號接上拉電阻進行死區(qū)控制??紤]到一般的CMOS集成器件普遍表現(xiàn)為低通濾波特性,使得高頻信號通過時,上升沿和下降沿變緩,以致波形畸變,因此使用施密特觸發(fā)器對頻率信號進行處理。達到整形目的同時,也增強信號的驅(qū)動能力。其流程如圖5所示。

        圖5 控制信號處理電路工作流程框圖Fig.5 Control signal process circuit block diagram

        2.4 功率放大電路

        功率變換電路采用高壓驅(qū)動器IR2110。IR2110是雙通道高壓、高速電壓型功率開關器件柵極驅(qū)動器,具有自舉浮動電源。其采用CMOS工藝制作,邏輯電源的電壓范圍為5~20 V,適應TTL或CMOS邏輯信號輸入,具有獨立的高端和低端2個輸出通道。IR2110工作頻率高,開通、關斷延遲小,分別為120 ns和94 ns。其輸出峰值電流可達2 A,上橋臂通道可承受500 V的電壓。自舉懸浮驅(qū)動電源可同時驅(qū)動同一橋臂的上、下2個開關器件,大大簡化驅(qū)動電源設計[5]。

        功率放大部分主要用到的是功率半導體器件。功率MOSFET具有驅(qū)動電路簡單、驅(qū)動耗散功率小、開關速率快、開關損耗低、導通損耗低等重要優(yōu)良特性[6]。本設計目標在于實現(xiàn)100 V左右的直流輸入的1 MHz內(nèi)的高頻逆變,所以需要選用一款開關速度很高的MOSFET。查閱IRF系列的幾款MOSFET,本設計采用平均開關時間最小的IRF740作為功率MOSFET。

        高頻信號通過IR2110后實現(xiàn)功率放大,可以驅(qū)動MOSFET。通過全橋則可實現(xiàn)直流電源到高頻交流電源的轉(zhuǎn)換。其全橋逆變電路結構圖如圖6所示,其中 Q1~Q4為 IRF740 MOSFET,L1為原邊線圈。

        圖6 全橋逆變電路結構圖Fig.6 Structure diagram of full-bridge inverter circuit

        2.5 整流電路

        本設計采用橋式整流電路,其作用為將副邊線圈交流電整流成直流電,從而為負載提供電源。其示意圖如圖7所示。二極管D1~D4采用摩托羅拉公司的MBR1545CT型號的肖特基整流二極管,其有正向?qū)妷盒?、結電容小、開關速率快、反相恢復時間短的優(yōu)點。其中D1~D4為MBR1545CT二極管,L2為副邊線圈。

        圖7 整流電路示意圖Fig.7 Sketch diagram of rectifying circuit

        3 系統(tǒng)平臺搭建與實現(xiàn)

        根據(jù)以上設計,制作出的印刷電路板實物如圖8所示,圖8(a)為發(fā)射端基于DDS的高頻信號發(fā)生裝置,圖8(b)為發(fā)射端控制信號處理電路和功率放大電路,圖8(c)為接收端整流電路。高頻信號發(fā)生裝置可以通過鍵盤調(diào)節(jié)頻率,并通過數(shù)碼管實時顯示。

        圖8 印刷電路板實物Fig.8 Real product photo show of printed circuit

        為了驗證該系統(tǒng)的可行性,在實驗室中搭建一個磁耦合共振無線電能傳輸系統(tǒng)實驗裝置,發(fā)射和接收線圈采用耐超高溫耐輻射漆包線緊密纏繞數(shù)匝,并用環(huán)氧樹脂澆灌成型,線圈半徑20 cm。電容部分采用2個合適大小的陶瓷電容,分別串接入原副邊回路中,接收端回路串接一個燈泡作為負載。

        改變線圈間距,記錄下供給電源電壓、電流大小,兩線圈距離,負載燈泡的電壓電流大小,計算出不同間距下的傳輸效率如表1所示。可知,當保持供給電壓一定時,線圈間距越大,其傳輸效率越低。在相隔1 m的情況下,當發(fā)射端總耗散功率達到108 W時,可以點亮額定功率為25 W的燈泡,傳輸效率近20%。實驗實物效果如圖9所示,驗證了上述所設計電路的實際可行性。

        表1 不同間距下的傳輸效率Tab.1 Transfer efficiency of different distance

        傳輸效率為負載的電壓電流乘積值比供給電源的電壓電流乘積值。

        圖9 實物實驗效果圖Fig.9 Experimental result photo show of real product

        4 結語

        目前的無線電能技術仍存在許多亟待解決的問題,例如其周圍空間存在高頻電磁場,要求系統(tǒng)本身具有較高的電磁兼容指標,其能量的控制比較困難,無法真正實現(xiàn)能量點對點的傳送,造成其整體傳輸效率不高。且其高能量的能量密度勢必會對人身安全帶來影響。同時,無線電能傳輸技術也有著廣闊的應用前景,例如建立無線充電站或停車場可以有效解決電動汽車充電站占地多,接線繁雜的問題,建立無線充電的統(tǒng)一平臺可為各種電子設備充電。在醫(yī)療器械、軌道交通、特種設備等方面應用無線電能供電方式也將帶來極大的便利與安全。

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        [2]André Kurs,Aristeidis Karalis,Robert Moffatt,et al.Wireless power transfer via strongly coupled magnetic resonances[J].Science,2007,317(7):83-86.

        [3]Yu Chunlai,Lu Rengui,Mao Yinhua,et al.Research on the model of magnetic-resonance based wireless energy transfer system[C]//5th IEEE Vehicle Power and Propulsion Conference,VPPC’09,Harbin,2009.

        [4]Zhang Xian Yi,Xu Jian,Guo Xiang Quan,et al.A signal generator based on AD9850[J].Advanced Materials Research,2013(712):1767-1770.

        [5]張明,章國寶.IR2110驅(qū)動電路的優(yōu)化設計[J].電子設計工程,2009,17(12):66-70.

        [6]褚華斌,鐘小剛,吳志偉,等.功率MOSFET的研究與進展[J].半導體技術,2011,36(5):32-36.

        [7]Larrabee D A.Teaching electromagnetic radiation effects on Humans[C]//Softwarein Telecommunicationsand ComputerNetworks International Conference,Split,2006:52-56.

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