王 鋒,劉美全,范江瑋
(軍械工程學院 車輛與電氣工程系,河北 石家莊 050003)
根據(jù)霍爾原理,半導體材料通電后形成載流子,有磁場存在時,產(chǎn)生的洛侖茲力使載流子向材料橫向兩側(cè)偏轉(zhuǎn)并積聚,就會在橫向兩側(cè)形成一個電場[1],這個電場力和洛侖茲力相反,阻礙載流子繼續(xù)堆積,當霍爾電場力增大到與洛侖茲力相等時,材料橫向兩側(cè)就建立起一個穩(wěn)定的電壓[2],形成霍爾電勢。根據(jù)這一原理制成了霍爾傳感器,使用沒有觸點,具有測試動態(tài)范圍大、頻率響應范圍寬等諸多優(yōu)點。
當霍爾傳感器控制電流和環(huán)境溫度一定時,霍爾電勢與磁感應強度成正比。當環(huán)境溫度一定時,霍爾電勢與控制電流和磁場的磁感應強度乘積成正比[1,3]。
霍爾傳感器的由半導體材料制成,由于半導體材料自身特性及生產(chǎn)安裝工藝水平的限制,在實際測試中,多個因素都可能會影響測量的精度,集中表現(xiàn)為零位誤差和環(huán)境溫度誤差。而這些誤差從自身是無法消除的,必須采取相應的補償、抑制手段才能保證測量的結(jié)果有效。
由于構(gòu)成霍爾元件的材料固有特性以及生產(chǎn)工藝的水平,導致存在多個因素可能影響霍爾元件的測量精度。當外加磁場不存在或控制電流尚未施加時,元件已經(jīng)有電壓輸出,稱之為零位特性,由此而帶來的誤差就是零位誤差。零位誤差的產(chǎn)生原因主要是寄生直流電壓、感應零電動勢、自激場零電壓、不等位電動勢等因素的存在。
在霍爾傳感器未放入測試磁場時,由于控制電流的存在,在一定條件下,其建立的磁場可以使傳感器產(chǎn)生一個自激場,致使霍爾傳感器有電壓輸出,這就是自激場零電壓。理論上,材料左右的場相等,產(chǎn)生方向相反的電勢而相互抵消。實際應用中,控制電流的引線也會產(chǎn)生磁場,使霍爾元件左右兩邊的場強不相等,產(chǎn)生電勢的輸出,即自激場零電壓。盡量將控制電流的引線安排適當,就可以把這種影響控制在較小的范圍內(nèi)。
在傳感器尚未加控制電流的情況下,如果存在脈動或交變磁場,在傳感器輸出端會產(chǎn)生電壓,即為感應零電勢。由電磁感應定律,產(chǎn)生的感應電勢與元件電極引線所構(gòu)成的感應面積成正比。為了減小感應電動勢,一方面要使布線合理,如圖1(a),另外還可以在磁路的間隙安裝一個與之特性相同的輔助霍爾元件,如圖1(b),可以起到明顯的補償效果。
圖1 感應零電勢及補償方法Fig.1 Induction of zero potential and compensation method
在外加磁場尚未施加的情況下,霍爾元件以交流電作為控制電流,傳感器的輸出包含一個直流分量,稱之為寄生直流電壓。當控制極焊接處存在歐姆接觸不良,在局部形成整流效應,產(chǎn)生直流分量。其次,當兩個霍爾電極的焊點大小不同,使其熱容量產(chǎn)生差異引發(fā)溫度不同,形成直流附加電壓。第三,電流極引線、布線不合理,導致線路在霍爾傳感器附近產(chǎn)生附加磁場。
對寄生直流電壓采取有效的抑制方法,在霍爾元件的制作和封裝時,盡量保證電極的歐姆接觸性能,改善散熱條件、均勻散熱。
不等位電動勢是引起元件零位電勢最主要的因素。在控制極輸入恒定的電流,當不存在外磁場時,霍爾元件輸出的空載電勢應該為零。但實際的制造工藝水平限制,兩個霍爾電極焊接的位置不可能實現(xiàn)完全對稱,使得兩電極不位于同一等位面上。此外,材料基片的厚薄不一,以及材料的電阻率分布不均等因素都會導致等位面的歪斜,而這些都會造成不等位電動勢的產(chǎn)生。
圖2 霍爾傳感器不等位電勢補償電路圖Fig.2 Hall sensor range voltage compensation circuit diagram
通過對半導體材料特性及霍爾原理的分析,霍爾元件上的不等位電動勢與其上的不等位電阻是一致的。由此,霍爾傳感器可以等效為一個電橋結(jié)構(gòu),補償可以通過調(diào)整電橋上的電阻來實現(xiàn)?;魻栐幕窘Y(jié)構(gòu)如圖2(a)所示,A、B為控制電極,C、D為霍爾輸出電極。等效為電橋,極間的分布電阻分別為 R1、R2、R3、R4,等效電路如圖 2(b)所示。
對于理想的霍爾元件,材料均勻、極點對稱是不存在不等位電勢的,即R1=R2=R3=R4。但實際的材料中不等位電勢是存在,也就是在實際的元件中,構(gòu)成電橋的4個電阻并非完全相等,電橋沒有達到平衡。調(diào)整這個電橋達到平衡,一種簡單的方法是并聯(lián)一個變阻RP在阻值較大的橋臂上。通常補償電阻的溫度系數(shù)與霍爾元件等效橋臂電阻的不同,如果環(huán)境溫度變化,設計的補償平衡就會被打破。這種電路的優(yōu)點是調(diào)整補償比較方便,能量損失小,在不等位電勢較小時,不會明顯降低輸出的霍爾電壓,當輸入信號是激勵電流時,對輸入信號的削弱也不多。
由于半導體器件的電阻率、載流子濃度和遷移率等隨溫度變化,使得霍爾傳感器的內(nèi)阻、霍爾電勢等參數(shù)也隨之變化[4-5]。溫度對霍爾傳感器的參數(shù)及工作狀態(tài)有顯著的影響[6-7],為了削弱溫度變化對霍爾傳感器測量的影響,對電路進行溫度補償是非常必要的。
設電壓源輸出為U,霍爾傳感器的內(nèi)阻為r0,靈敏度為K0,為補償溫度變化對傳感器輸出的影響,在電路中串聯(lián)一個電阻R0,等效原理圖如圖3所示。
圖3 恒壓供電輸入補償電路Fig.3 Constant voltage compensation circuit power supply input
設霍爾傳感器輸出電勢的穩(wěn)定系數(shù)為α,霍爾傳感器內(nèi)阻為r,溫度系數(shù)為β,R為串聯(lián)的補償電阻,溫度系數(shù)為δ,采用恒壓源供電,電源內(nèi)阻為r′,溫度系數(shù)為ξ。根據(jù)霍爾傳感器的輸出公式,在初始狀態(tài),霍爾電勢為:
當溫度變化ΔT時,霍爾電勢表示為:
根據(jù)各參數(shù)的溫度變化規(guī)律,式中,
補償電路的目的就是消除溫度變化對霍爾傳感器輸出的影響[3],因此,補償?shù)睦硐虢Y(jié)果是U′H=UH,將式(3)(4)(5)(6)代入,得:
整理變形可以得到:
當忽略電源的內(nèi)阻影響時,式(8)變?yōu)椋?/p>
其中,α、β、δ都是霍爾傳感器的固有參數(shù),選定傳感器類型后,這些參數(shù)就確定下來。R0滿足式(9)的值時,可以補償溫度變化的影響。但分析中是以忽略電源內(nèi)阻為前提的,這也就帶來了補償?shù)恼`差。電壓源供電,霍爾傳感器的控制電流不僅受溫度影響,還要受到內(nèi)阻分壓作用的影響,為此,可以采用恒流源作為霍爾傳感器的電源,采取并聯(lián)補償?shù)姆绞健?/p>
采用恒流源供電,補償電阻與傳感器并聯(lián),原理圖如圖4所示。
圖4 恒流源供電輸入補償電路Fig.4 Constant current source power supply input compensation circuit
根據(jù)原理圖,在初始狀態(tài),
當溫度變化ΔT時,根據(jù)電路圖可知:
通常測量不會在溫度變化劇烈的條件下進行,因此溫度變化值很小,且δ值一般也很小[3],可以略去高次項,則式(14)不會為:
使用霍爾傳感器,如果溫度恒定,可以只考慮對零位的補償,但如果環(huán)境溫度變化明顯,就需要同時進行零位和溫度的誤差補償。
采用如圖5所示電路,通過調(diào)節(jié)Rp1來實現(xiàn)對零位電勢的控制。在一個輸出端串上一個用來補償溫度的電橋,電橋的一個臂并聯(lián)一支熱敏電阻R(t)來調(diào)節(jié)溫度系數(shù),這樣的結(jié)構(gòu)可使電橋給出一個隨溫度變化的可調(diào)不平衡電壓。通過調(diào)整這個電壓就可以實現(xiàn)對溫度漂移的補償。
圖5 綜合補償電路Fig.5 Comprehensive compensation circuit
傳感器的正常工作,除了消除自身的問題,還必須考慮到周圍環(huán)境的影響,主要是來自外界電磁波的干擾。采取以下必要措施來抗干擾:
1)采取屏蔽,抑制干擾耦合。在電磁干擾源和傳感器之間采用金屬層屏蔽。應對高頻電場采用銅、鋁等良導體,增加反射。對于低頻磁場,采用鐵和鎳鐵等高導磁材料作為屏蔽介質(zhì),抑制穿透。
2)電路系統(tǒng)接地,消除傳導耦合。為避免地線形成環(huán)路產(chǎn)生新的干擾,所有接地的引線應該盡可能地短且盡量直。信號回路、電源回路以及信號屏蔽回路各自的接地線保持獨立。此外,電源線使用雙絞線,相互抵消干擾。
3)通過濾波抑制干擾。根據(jù)干擾與信號不同的頻譜特點,通過由針對性的濾波,實現(xiàn)對干擾的有效抑制。
半導體自身的材料特性及制作工藝水平限制,使得霍爾傳感器在實際使用中會有一些自身不能克服的問題,主要表現(xiàn)為零位電勢和溫度漂移。通過研究的材料的特性及工作原理,必須采取正確的補償方法才能最大程度的抑制這些誤差,保證測量的精度。通過補償電路,使霍爾電勢與磁場強度呈現(xiàn)滿意的線性關系,提高了霍爾傳感器的實用性和對環(huán)境的適應能力。
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