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        一種四線式紅外光學觸摸屏技術的研究

        2015-01-16 03:19:40西南石油大學劉峻宏崔唐杰成都樹德中學黃明泉
        電子世界 2015年24期
        關鍵詞:紅外光敏化觸摸屏

        西南石油大學 劉峻宏 崔唐杰成都樹德中學 黃明泉

        一種四線式紅外光學觸摸屏技術的研究

        西南石油大學 劉峻宏 崔唐杰
        成都樹德中學 黃明泉

        本項目是對傳統(tǒng)電阻式觸摸屏的改造,形成一種新的人機交互方式,利用紅外感光材料的電阻特性,紅外線照射下,電阻急劇下降,形成導通電路,使兩層被其隔開的ITO涂層連通,通過輸出電壓情況,計算出坐標,從而實現定位。

        觸摸屏;紅外;感光

        21世紀是科技飛速發(fā)展,觸摸屏已覆蓋各種科技產品,手機、電腦、電視都在向觸控方向發(fā)展?,F有的觸摸屏主要有以下三類:首先即是電阻式觸摸屏,曾經第一代只能手機應用最為廣泛的技術,由兩層ITO中間形成空隙,在壓力作用下形變接觸,實現電路導通,由于經常受壓形變,因此若ITO涂層太薄則容易脆斷,而涂層太厚,又會降低透光性并且形成內反射降低屏幕清晰度。由于經常被觸動,表層的ITO使用一定時間后會出現大量細小裂紋,甚至脫落,因此其壽命并不長久。第二種是電容式觸摸屏,現在普遍應用中的屏幕,相比電阻式觸摸屏,靈敏度和準確性都大為提升。但是電容隨溫度、濕度或接地情況的不同而變化,其穩(wěn)定性不是很好,容易產生漂移現象。最后一種是紅外線框式觸摸屏,設備投入高,價格貴,不利于推廣。本文介紹的四線式紅外光學觸摸屏是對電阻式觸摸屏的改進和創(chuàng)新,克服了被觸動多導致變形的問題。

        四線式紅外光學觸摸屏的結構如下圖所示,在一層透明的PET薄膜上均勻等厚的覆蓋有兩層透明、導電的ITO層,如圖上層作為Y 電極,下層作為X 電極,它們之間完全由均勻、透明的紅外感光半導材料隔開。其中上層(即Y 電極層)ITO上方也附著著一層PET薄膜(圖中未畫出)。X電極和Y電極的正負端由“導電條”(圖中黑色條形部分)分別從兩端引出,且X電極和Y電極導電條的位置相互垂直。引出端Y-,Y+,X-,X+,一共四條線。當觸摸屏表面受到紅外光照時,兩層ITO導電層之間半導體材料電阻迅速減小將兩層連通,四線式紅外光學觸摸屏的電路結構可以等效為相應的電路,如圖1所示。

        圖1

        計算光照點的X,Y坐標分為如下兩步:

        (1)計算Y坐標,在Y+電極施加驅動電壓Vdrive,將Y-電極接地,用X+作為引出端測量得到光照點的電壓,由于ITO層均勻導電,電阻模擬為線性分布,光照點電壓與驅動電壓電壓之比等于光照點Y坐標與屏幕高度之比。

        (2)計算X坐標,在X+電極施加驅動電壓Vdrive,將X-電極接地,用Y+作為引出端測量得到光照點的電壓,由于ITO層均勻導電,電阻模擬為線性分布,光照點電壓與驅動電壓電壓之比等于光照點X坐標與屏幕寬度之比。

        以上方法測得的電壓通常由ADC轉化為數字信號,再進行簡單處理就可以做為坐標判斷光照點的實際位置。

        如上介紹,四線式紅外光學觸摸屏的原理比較簡單。項目組在實驗室實驗過程中,主要做了以下研究。

        首先設計ITO-PET,由于PET膜在試驗中不易儲存和運輸,因此,我們選擇玻璃基片來做實驗。通過磁控濺射,將ITO以薄膜的形式度到30mm*50mm的玻璃基片上,測得長端電阻1.6千歐。

        再利用化學沉積法,用硫脲,氫氧化鈉,硝酸鉛按照一定濃度配比,在堿性環(huán)境下,將已鍍上ITO的玻璃基片放入水浴鍋中25度恒溫沉積,30min后,成功制取硫化鉛薄膜。測得電阻約1.9千歐。

        本設計選用硫化鉛(PbS)作為紅外光敏材料,。PbS的重要性質是在近紅外波段具有光敏性。硫化鉛的能帶間隙為0.41eV,工作波長在1-3μm的近紅外區(qū),在2.1μm的敏感度最大 。

        很多早期的實驗均證明,不經處理的硫化鉛,其光電導響應很弱,電阻變化不明顯,其電阻變化在驅動電壓加載下,幾乎并不能使兩層ITO導通。只有經過敏化,才能獲得高靈敏度的硫化鉛器件。一般來說,用氧氣敏化的方法有很多種,這里介紹兩種方式:第一種是在真空蒸發(fā)純硫化鉛材料過程中通氧,或者將硫化鉛膜在氧氣或者大氣中高溫氧化來達到敏化的目的。第二種是化學沉淀法,一般是將氧化劑加入沉淀溶液,以便較準確地控制氧化量,但也可以在沉淀后加溫氧化。

        這里采取對硫化鉛薄膜進行高溫敏化處理,高溫熱處理對PbS器件的電阻率、感光性能等有很大影響。實驗證明,要想提高PbS的紅外光敏性,必須提高熱處理溫度,但PbS的熔點為1114℃,在較高溫度下就開始揮發(fā)。所以,必須嚴格控制溫度,不能太高,否則由于PbS的揮發(fā),而影響PbS器件的敏化性能。因此,熱處理溫度應該在500℃左右。

        在熱處理前先將PbS在80℃的烘箱中烘干1h;熱處理方法是:保持一定的熱處理溫度,在空氣中恒溫熱處理1h。經敏化處理后的PbS材料即可成為本設計中的紅外光敏材料。

        注:國家大學生創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)訓練項目——四線式紅外光學觸摸膜技術(項目號:20148615029)。

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