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        低旁瓣級高頻相控陣的設(shè)計方法

        2015-01-09 03:57:20鐘琴琴
        聲學(xué)與電子工程 2015年3期
        關(guān)鍵詞:襯層基陣基元

        鐘琴琴

        (第七一五研究所,杭州,310023)

        低旁瓣級高頻相控陣的設(shè)計方法

        鐘琴琴

        (第七一五研究所,杭州,310023)

        高頻寬帶相控陣是聲多普勒海流剖面儀(ADCP)的核心組成部分。文章著重介紹了在不影響聲源級的情況下,如何設(shè)計低旁瓣值的高頻相控陣,對實測結(jié)果進(jìn)行分析,證明所提設(shè)計方法是可行的。

        低旁瓣級;高頻寬帶;相控陣

        高頻相控陣是聲多普勒海流剖面儀(ADCP)的核心組成部分,ADCP是應(yīng)用于艦船、潛艇和水下航行器的底跟蹤、航速測量、海流測量和自身水下定位的水聲設(shè)備。相控陣有體積小、聲源級高的優(yōu)點,可應(yīng)用于深海、湖泊的檢測和控制,有較好的市場前景和較高的社會效益。

        ADCP為了提高測速的測試精度和減少噪聲帶來的干擾,往往要求相控陣能有更高的發(fā)射響應(yīng)、接收靈敏值和更低的旁瓣級。

        1 設(shè)計方法

        ADCP相控陣通常設(shè)計為圓形平面陣,因為這是流體動力學(xué)上一個理想的形狀,而且基陣的各個子陣的參數(shù)也是一致的[1]。相控陣是由n級4元陣組成的4n元線列陣擴(kuò)展成的一個圓面陣,這個圓面陣內(nèi)的基元是中心對稱分布的。我們利用線列陣組合平面陣的原理來進(jìn)行布陣[2]。n級ADCP相控陣指向性的函數(shù)為[3]:

        高頻相控陣通常采用壓電顆粒來設(shè)計基元,這種方法的電路可實現(xiàn)性強(qiáng)且基元之間的耦合性好。聲源級不變、實現(xiàn)低旁瓣級可以通過兩種方法實現(xiàn):一是通過改變布陣設(shè)計來實現(xiàn),減小基元間距,增加基元數(shù)量;二是通過提高基元之間的一致性和耦合性。當(dāng)然,這兩種方法在結(jié)構(gòu)和工藝可實現(xiàn)情況下,可同時采取。

        2 Matlab仿真

        改變布陣間距,使其間距不大于半波長,在機(jī)械加工能實現(xiàn)的情況下盡量增大基元的輻射面,可以提高聲源級和降低旁瓣。

        通過Matlab仿真,分別計算陣元數(shù)為904、間距為0.707λ和陣元數(shù)為1 296、間距0.6λ的相控指向性圖,兩個基陣的旁瓣值分別為0.16(?15.92 dB)和0.149(?16.54 dB)。可見同樣外形尺寸下,基元間距減小,意味著基元尺寸減小,基元數(shù)量增加,是可以減小旁瓣值。如圖1、圖2所示。

        圖1 間距為0.707λ的波束圖

        圖2 間距為0.6λ的波束圖

        我們再來計算基元不一致性給相控指向性帶來的影響。圖1、圖2是理想狀態(tài)下,不考慮不一致性的結(jié)果,圖3是904個基元方案,基元的性能不一致性設(shè)計為20%的計算結(jié)果,旁瓣值為0.168(?15.5 dB),計算時加入了一個rand隨機(jī)函數(shù)。圖4是基元的性能不一致性設(shè)計為30%的計算結(jié)果,可以看出不僅旁瓣值大了(為0.21,?13.55 dB),而且相控波束的最大值也受到影響,歸一化的結(jié)果為0.98,這是說明增加了隨機(jī)函數(shù),聲源級會受到影響。

        圖3 基元的性能不一致性為20%的波束圖

        圖4 基元的性能不一致性為30%的波束圖

        所以高頻基陣的裝配工藝要求很高,但在實際操作中,很難達(dá)到如此高的精度,而且基元也不能做到如此大量的篩選來保證一致性。

        3 方案實施及結(jié)果分析

        高頻顆粒型換能器通常會采用灌注層技術(shù)來將基元的性能拉平,實現(xiàn)一致性的提高。另外,增加背襯層可以降低換能器的特性阻抗,在與水匹配及拓展帶寬上有很大的優(yōu)勢。為了解增加背襯層帶來的性能影響,制作了幾個同樣尺寸的小樣陣,對其進(jìn)行測試得到結(jié)果見表1。由表1中的數(shù)據(jù)可以看出,裝配工藝對基陣性能是有影響的,1#與3#數(shù)據(jù)差別較大。另外,有背襯層的換能器的效率要高(5#、6#),這個結(jié)果是符合理論的,而且選擇合適參數(shù)的背襯層,其發(fā)射響應(yīng)值也不低(6#)。所以,根據(jù)6#換能器的參數(shù)制作2個有背襯層的大陣,基陣外形尺寸一致。一個是904個基元,間距為0.707λ;一個是1296個基元,間距為0.6λ。兩個基陣的實測相控指向性圖見圖6、圖7。旁瓣分別是0.2(?14 dB)和0.13(?17.72 dB),圖5是以前制作的沒有背襯層的基陣,旁瓣是0.257(?11.8 dB)。由此可以驗證我們采取的兩個方法是有效的。

        表1 小樣陣的測試數(shù)據(jù)

        圖5 間距為0.707λ基陣無背襯層的實測波束圖

        圖6 間距為0.707λ基陣有背襯層的實測波束圖

        圖7 間距為0.6λ基陣有背襯層的實測波束圖

        另外,從表2中的測試數(shù)據(jù)來看,背襯層確實能使得基陣的聲學(xué)性能更好。

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