中外合作成功研制出1.5英寸石墨烯單晶

中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所、美國德克薩斯州州立大學、香港理工大學，以及華東師范大學的研究人員合作，在國家重大技術專項“晶圓級石墨烯材料和器件基礎研究”等項目的支持下，在國際上首次實現(xiàn)了石墨烯單核控制形核和快速生長，成功研制出了1.5英寸石墨烯單晶。

銅表面催化生長是目前制備石墨烯薄膜的主要技術途徑，但由于無法實現(xiàn)單核控制，制備的薄膜一般為多晶，且生長速度隨著時間的推移逐漸變慢。研究人員通過向具有一定溶碳能力的Cu85Ni15合金局域提供碳源，產(chǎn)生局部碳濃度過飽和，成功解決了石墨烯單個核心控制形核這一技術難題。

據(jù)稱，通過單核控制制備晶圓級石墨烯是三維硅單晶技術在二維材料中的再現(xiàn)，對于推動石墨烯在電子學領域的應用具有重要意義。該項研究成果所研發(fā)的控制形核技術同時也為探索其它二維材料單晶晶圓的制備提供了新的思路。

（KX.1127）