（山東航天電子技術(shù)研究所，山東煙臺 264670）

1 引言

隨著衛(wèi)星平臺及遙感技術(shù)的不斷發(fā)展，星載平臺對數(shù)據(jù)存儲技術(shù)要求不斷提高，對數(shù)據(jù)存取速度從兆比特／秒已提高到吉比特／秒，對存儲容量的要求也從吉比特提高到太比特。在高性能和大容量需求背景下，與非型閃存（NAND Flash）存儲介質(zhì)以其高吞吐率、大容量、低成本、非易失等顯著優(yōu)勢成為星載固存設(shè)計的首選介質(zhì)［1］。因此，目前各國航天界都已把星載固存的存儲介質(zhì)從20世紀(jì)90年代的靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器（Static Random Access Memory，SRAM）、同步動態(tài)隨機(jī)訪問存儲器（Synchronous Dynamic Random Access Memory，SDRAM）轉(zhuǎn)變?yōu)榕c非（NAND）Flash芯片，并采用多芯片形成陣列式存儲，從而大大提高整個設(shè)備的吞吐能力和容量［2］。

采用NAND Flash芯片作為存儲介質(zhì)，較好地解決了星載固存對容量的需求，并降低了成本，但是由于NAND Flash 自身工藝特性而存在一些問題［3-5］：①寫入時必須進(jìn)行糾檢錯編碼以糾正其讀出時的錯誤比特；②出廠時一般有壞塊，擦除和寫入時也可能會產(chǎn)生新的壞塊，需進(jìn)行壞塊管理和替換；③擦寫壽命有限，一旦達(dá)到壽命周期，其存儲穩(wěn)定性將無法保證，因此在使用中要注意損耗均衡，不對局部進(jìn)行過于頻繁的擦寫而導(dǎo)致其過早達(dá)到壽命末期。目前在軌、在研的星載固存設(shè)備均需要對這些問題進(jìn)行處理，以滿足對數(shù)據(jù)可靠性的要求。而為了滿足吞吐能力的要求，一般使用現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）作為控制器實現(xiàn)上述算法，這極大地增加了控制算法的復(fù)雜性，因此有必要探索新的存儲途徑或介質(zhì)。

近年來，基于SATA［6］接口的固態(tài)硬盤（Solid State Drive，SSD）技術(shù)經(jīng)過多年發(fā)展已十分成熟，集成度高、功耗低、價格便宜、可靠性高［7］，并且SSD解決了上述問題，采用SSD 作為存儲模塊不需要關(guān)注FLASH 芯片的控制細(xì)節(jié)，只需要與SATA 接口進(jìn)行通信。在地面作為新興硬盤技術(shù)已經(jīng)在高端個人電腦、網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器［8］等環(huán)境中得到了廣泛應(yīng)用。本文首先介紹采用SSD 研制星載海量固存設(shè)備的優(yōu)勢和不足；其次，對在星載應(yīng)用中的可行性進(jìn)行研究，并對其與數(shù)傳分系統(tǒng)的融合進(jìn)行分析；最后，提出一種以SSD 作為存儲模塊的星載固存設(shè)備設(shè)計方案，并對設(shè)計中的關(guān)鍵技術(shù)和實現(xiàn)難點加以說明。

2 采用SSD設(shè)計星載固存設(shè)備的特點分析

2.1 采用SSD 的主要優(yōu)勢

SSD主要由3部分組成：FLASH 芯片、主控芯片、緩存芯片。目前主流的SSD 主控芯片基本集中在Marvell、英特爾、三星、SandForce、Jmicro 等幾家廠商，其技術(shù)成熟、可靠性高，屏蔽了應(yīng)用FLASH 芯片的控制和可靠性算法問題，使用戶如同操作普通硬盤一樣使用SSD。采用SSD 作為存儲模塊的主要優(yōu)勢體現(xiàn)在如下幾個方面：

（1）擴(kuò)展性強(qiáng)。每個SSD 與主控FPGA 的連接僅占用2 對差分輸入／輸出（I／O）。以Xilinx公司的XC5VFX130T［9］為例，單片提供了20 個GTX（Xilinx公司FPGA 內(nèi)置高速收發(fā)器）單元［10］，理論上可連接多至20個SSD。相比單片NAND Flash的至少20個I／O，單片F(xiàn)PGA 能提供更大的存儲容量和數(shù)據(jù)吞吐率，印刷電路板（Printed Circuit Board，PCB）布局布線復(fù)雜度低得多。在不更改設(shè)備硬件的前提下，調(diào)整SSD 的容量即可實現(xiàn)設(shè)備容量的增減。

（2）軟件可靠性高。SSD 使用的SATA 協(xié)議雖然復(fù)雜，但有專業(yè)公司設(shè)計的、經(jīng)過充分驗證的IP核可用，比自行設(shè)計、未經(jīng)充分驗證的NAND Flash控制器軟件可靠性更高。

（3）簡化算法。SSD 可看作多NAND Flash芯片結(jié)合外圍控制電路在更高層次上的一個封裝，對于使用者來說，其屏蔽了NAND Flash使用中的壞塊管理、損耗均衡、糾檢錯編碼等復(fù)雜的算法，這些算法完全由SSD 的主控芯片完成。

（4）成本低。SSD 的主要成本是NADA Flash芯片，生產(chǎn)廠家通過大規(guī)模采購現(xiàn)貨產(chǎn)品可降低其生產(chǎn)成本。

（5）更新?lián)Q代容易。SSD 屬于標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品，由生產(chǎn)廠家控制其內(nèi)部接口、芯片等技術(shù)的更新?lián)Q代，而用戶只需要關(guān)注外部SATA 接口即可。

（6）可維修性／可更換性。單個SSD 價格低廉，在載人航天器上使用時，可通過直接更換SSD 模塊完成故障修復(fù)，或?qū)τ诓恍枰皶r回傳的科學(xué)數(shù)據(jù)由返回艙帶回地面處理。

2.2 采用SSD 的缺點和可行性分析

本節(jié)主要通過SSD 與FLASH 芯片兩種技術(shù)方案的對比，說明其技術(shù)可行性。

1）運(yùn)行環(huán)境適應(yīng)性問題

星載固存設(shè)備由于運(yùn)行環(huán)境特殊，其可靠性要求與地面不同，地面應(yīng)用環(huán)境的SSD 不具備抗空間輻射的技術(shù)指標(biāo)，這是SSD 在空間應(yīng)用的最大問題，對星載應(yīng)用的固存設(shè)備必須進(jìn)行升級篩選、抗輻射加固等可靠性設(shè)計。目前國內(nèi)已有廠商開始提供軍用級的SSD，其存儲介質(zhì)同樣采用工業(yè)級的NAND Flash芯片，通過了軍用設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行溫度、震動、沖擊等篩選試驗，符合MIL-810F 和GJB150環(huán)境測試標(biāo)準(zhǔn)［11］。采用這種SSD 產(chǎn)品與直接使用工業(yè)級NAND Flash 芯片設(shè)計的星載固存設(shè)備在可靠性上并無太大差異。如果輔以加屏蔽殼、獨立冗余磁盤陣列（Redundant Array of Independent Disks，RAID）、增大冗余備份盤比例等方式，可有效解決SSD 星載應(yīng)用的可靠性問題。

2）SSD 使用后的性能下降問題

在地面使用中，微軟Windows 7以后的操作系統(tǒng)均會支持對SSD 的自動優(yōu)化，不會有反復(fù)使用后性能明顯下降的問題。在星載環(huán)境下，沒有該操作系統(tǒng)支持，SSD 的驅(qū)動軟件通常由固存設(shè)備設(shè)計方自行設(shè)計，因此需要自行調(diào)用Trim［12］（ATA8協(xié)議中對SSD 進(jìn)行數(shù)據(jù)整理的一條指令選項）指令進(jìn)行優(yōu)化。國內(nèi)某廠商提供的軍用級硬盤已實現(xiàn)了硬件層面的垃圾回收算法，在使用中幾乎不會感覺到硬盤垃圾帶來的影響。

3）數(shù)據(jù)緩沖的需求問題

SSD 使用的存儲介質(zhì)是NAND Flash芯片，其需要以塊為單位擦除后才能再次寫入數(shù)據(jù)。然而，由于SATA 接口硬盤通信命令采用的是ATA 協(xié)議，并沒有擦除命令，因此，SSD 主控在寫入新數(shù)據(jù)時實際上是執(zhí)行先擦后寫模式（當(dāng)然是其要寫入的物理塊“臟”的情況下），這導(dǎo)致在連續(xù)寫入時會出現(xiàn)間歇性地變慢。如圖1所示為某SSD 以4 Mbyte為單位，順序?qū)懭?44Mbyte時的時間分布情況，在第16次／32次寫入時的耗時明顯比平時多，因此，必須使用較大的緩沖區(qū)以平滑寫入速率。對于FPGA主控來說，使用DDR2／DDR3SDRAM 做緩存是理想的選擇，其容量大、帶寬寬，并且DDR2／DDR3SDRAM 控制器通常作為免費的IP 核在FPGA上使用，設(shè)計難度較低。

圖1 某SSD 寫入時間分布圖Fig.1 Distributing diagram of writing time from a SSD

4）整機(jī)質(zhì)量的增加

由于SSD 是一個獨立產(chǎn)品，具有自己的組成結(jié)構(gòu)，采用SSD 相比直接采用芯片在整機(jī)質(zhì)量上會少量增加。

5）功耗與性能考慮

對采用SSD 和直接采用FLASH 芯片的固存進(jìn)行對比測試，其結(jié)果如下：在以4塊SSD 組成的原理樣機(jī)測試中，整機(jī)功耗達(dá)21 W，寫入速率僅達(dá)4Gbit／s；而采用了8片F(xiàn)LASH 芯片的星載固存，整機(jī)功耗僅為15 W，寫入速率達(dá)5Gbit／s。

但是需要注意的一點是：在上述測試中，由4個SSD 盤組成的樣機(jī)的容量為480Gbyte，而由8 片F(xiàn)LASH 芯片組成的固存樣機(jī)容量僅128Gbyte，二者之間幾乎相差4倍。因此，可得出這樣的結(jié)論：在速率要求不是很高，功耗限定不很苛刻，而對容量要求較高的場合，采用SSD 更適合。

6）文件管理方式

盡管SSD 采用了與傳統(tǒng)機(jī)械硬盤相同的接口，但是作為星載數(shù)據(jù)的管理仍然無法采用地面通用文件系統(tǒng)，這主要是由于通用文件系統(tǒng)是非常復(fù)雜的，需要很強(qiáng)的CPU 處理能力，而星載CPU 均為嵌入式、低功耗、高可靠處理器，其自身計算能力和內(nèi)存、外設(shè)等均無法與地面計算機(jī)系統(tǒng)相比［13］。對存儲數(shù)據(jù)管理時，對于FLASH 的塊（block）、頁（page）的管理和對邏輯區(qū)塊地址（Logical Block Address，LBA，每個LBA 包含512byte）地址管理采用的方法，與現(xiàn)有技術(shù)不同。

通過本節(jié)分析可見，采用SSD 盡管存在一些缺點和不足，但在技術(shù)上是可行的，并且具有軟件可靠性高、研制周期短、容量大等優(yōu)勢。

3 與數(shù)傳／載荷分系統(tǒng)的數(shù)據(jù)接口

如果以遙感衛(wèi)星作為星載固存設(shè)備的主要使用場合，對固存的記錄性能要求均達(dá)到幾兆比特／秒，回放性能要求也達(dá)到幾百兆比特／秒到吉比特／秒。然而，由于星載處理器能力非常低，無法解決上述數(shù)據(jù)的存盤處理，實時性也不能滿足要求，因此數(shù)傳／載荷系統(tǒng)間需采用FPGA 處理高速數(shù)據(jù)接口。

對于SSD 作為星載存儲模塊使用的情況，也只能使用FPGA 將數(shù)傳／載荷分系統(tǒng)數(shù)據(jù)接口轉(zhuǎn)換為SSD 使用的SATA 接口，如將低壓差分信號接口、TLK2711接口等數(shù)據(jù)由FPGA 進(jìn)行緩沖，再通過SATA 總線提交給SSD 進(jìn)行存儲，回放過程恰好相反。

4 SSD 在星載應(yīng)用中的關(guān)鍵技術(shù)

1）SSD 性能優(yōu)化技術(shù)

SSD 廠商在讀寫控制中采用了損耗均衡技術(shù)，以防止Flash的某些塊過早到達(dá)壽命末期。應(yīng)用該技術(shù)導(dǎo)致在全盤多次寫入后，寫入速率急劇降低。因此需要對SSD 進(jìn)行性能優(yōu)化，以恢復(fù)其寫入性能。性能優(yōu)化的方法一般是通過向SSD 發(fā)送Trim指令，從而使SSD 能夠更加有針對性的進(jìn)行處理，以恢復(fù)寫入速率。

2）SSD 環(huán)境適應(yīng)技術(shù)

由于星載固存設(shè)備應(yīng)用環(huán)境特點，對固存需要有防震動、寬溫級、防輻射等要求。對于商用SATA接口SSD，其接口及緊固件防震動問題需要加以改進(jìn)，可對SSD 接口部分進(jìn)行硬件更換。寬溫級SSD目前市場上產(chǎn)品已有很多，可直接采購，而防輻射指標(biāo)目前商用SSD 均不具備，必須加以外部防護(hù)，可通過輻射總劑量計算，然后貼裝鉭片等方式進(jìn)行抗輻照加固屏蔽空間輻射。

3）SSD 升級篩選技術(shù)

現(xiàn)貨產(chǎn)品SSD 必須經(jīng)過升級篩選剔除掉其中的不良品后方可用于星載固存。升級篩選過程包括一系列復(fù)雜嚴(yán)格的實驗流程，如結(jié)構(gòu)分析、X 射線檢查、高溫存儲、靜態(tài)老煉、動態(tài)老煉、溫度循環(huán)測試、壽命考核、抗輻照能力評估等方面。

5 基于SSD 的存儲陣列設(shè)計及驗證

以下給出一種以4個SATAⅡ接口的120Gbyte大小2.5吋SSD 盤作為存儲模塊，以Xilinx公司XC5VFX130TFPGA 作為接口控制芯片，以Synopsys公司SATAⅡIP 核為總線控制器的設(shè)計思路。

1）設(shè)計方案

本節(jié)主要以原理設(shè)計為主，介紹基于SSD 的星載固存設(shè)備的設(shè)計方案。硬件主要由電源板、主控板和固態(tài)存儲板組成，如圖2所示。主控板完成對外部接口的控制、存儲文件管理、SSD 存儲板管理。SSD 存儲板由多塊SSD 硬盤組成，是設(shè)備的存儲實體。電源板則為設(shè)備提供穩(wěn)定的電源及加斷電控制等。主控板、存儲板、電源板通過底板進(jìn)行連接。主控板和固態(tài)存儲板之間采用SATA 線纜實現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸。

如圖3所示，主控板是星載固存的核心控制模塊，是一個以FPGA為核心的高度集成的控制系統(tǒng)。FPGA 通過總線接口芯片與控制總線進(jìn)行交互，以接收指令進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲和回放。通過一對高速串行接口芯片與數(shù)傳／載荷分系統(tǒng)模擬板進(jìn)行高速數(shù)據(jù)傳輸。FPGA 同時外掛DDR3SDRAM 作為高速數(shù)據(jù)的緩沖區(qū)使用。

圖2 系統(tǒng)級功能框圖Fig.2 System-level functional block diagram

圖3 主控板功能框圖Fig.3 Controller board functional block diagram

FPGA 內(nèi)部為一個典型的高級可擴(kuò)展接口（Advanced eXtensible Interface，AXI）架構(gòu)系統(tǒng)，主要包括以下主要功能模塊：

（1）32 位MicroBlaze 處理器，主要用于實現(xiàn)SATA 協(xié)議的應(yīng)用層，作為SATA 主機(jī)，通過ATA指令進(jìn)行數(shù)據(jù)存取服務(wù)；

（2）SATA 控制器，實現(xiàn)SATA 協(xié)議的鏈路層和傳輸層；

（3）FPGA 內(nèi)置的4 個GTX 收發(fā)器，用作SATA協(xié)議的物理層，直接與4個SSD 相連；

（4）DDR3 SDRAM 控制器，實現(xiàn) DDR3 SDRAM 的訪問控制；

（5）DMA 控制器，主要實現(xiàn)數(shù)據(jù)在DDR3 SDRAM、SATA 控制器和數(shù)據(jù)輸出輸入接口模塊的高速數(shù)據(jù)傳輸，將處理器從數(shù)據(jù)搬移中解放出來；

（6）總線接口模塊，實現(xiàn)總線接口時序到AXI接口時序的轉(zhuǎn)換；

（7）數(shù)據(jù)輸入輸出接口，實現(xiàn)DDR3SDRAM 和對外數(shù)據(jù)接口間的數(shù)據(jù)交換。

2）測試驗證

測試平臺工控機(jī)插入一塊PCI Express板卡模擬數(shù)傳／載荷分系統(tǒng)數(shù)據(jù)發(fā)送和接收，該板卡使用兩個TLK2711芯片進(jìn)行高速數(shù)據(jù)收發(fā)，采用125 M時鐘，16 位寬度，帶寬達(dá)到2 Gbit／s，有效帶寬達(dá)1.98Gbit／s，總速率達(dá)3.96Gbit／s。通過高速電纜連接板卡與SSD 樣機(jī)，上位機(jī)軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)生成、發(fā)送給PCI Express板卡，由板卡通過TLK2711發(fā)送給SSD 樣機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入測試，讀出測試時數(shù)據(jù)流方向相反。

寫入測試時，首先通過控制總線通知SSD 樣機(jī)進(jìn)入寫入工作模式，然后通過PCI Express板卡發(fā)送數(shù)據(jù)，發(fā)送10min數(shù)據(jù)后停止發(fā)送，最后再次通過控制總線發(fā)送停止指令。

讀出測試時，首先上位機(jī)通知PCI Express板卡進(jìn)行接收，然后通過控制總線通知SSD 樣機(jī)進(jìn)入回放工作模式，回放完成后通過控制總線發(fā)送停止指令。

（1）測試結(jié)果：在上述測試流程完成后，SSD 樣機(jī)在10min內(nèi)記錄完成295Gbyte數(shù)據(jù)，平均記錄速率達(dá)到3.93Gbit／s?；胤磐暝撐募臅r10min，平均回放速率達(dá)3.93Gbit／s。在回放過程中，計算機(jī)對數(shù)據(jù)正確性進(jìn)行實時校驗，結(jié)果正確，沒有誤碼產(chǎn)生。經(jīng)過測試表明，該設(shè)計的原理是正確的，能夠完成對SSD 盤陣列控制操作進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。由于外部數(shù)據(jù)接口速率限制，該測試并未測試出樣機(jī)的最高性能，但是通過SATA 協(xié)議分析儀抓取的數(shù)據(jù)可計算出，該樣機(jī)寫入中的性能在132 Mbyte／s以上（見圖1）。

（2）環(huán)境試驗：在功能與性能測試完成后，對該樣機(jī)進(jìn)行了力學(xué)、85℃高溫老練等環(huán)境試驗，并在試驗中、試驗后進(jìn)行了功能與性能測試，所有功能均正常。

6 結(jié)束語

本文提出了采用SSD 硬盤作為存儲模塊研制星載固存設(shè)備的技術(shù)方案，并結(jié)合星載固存運(yùn)行環(huán)境對SSD 的使用提出了可行性分析與設(shè)計、關(guān)鍵技術(shù)解決思路。研究結(jié)果表明，針對星載應(yīng)用環(huán)境，采用SSD 硬盤與FLASH 芯片，相比技術(shù)上可行，成本上更低，標(biāo)準(zhǔn)化程度高，研制周期短，能夠作為要求快速研制和發(fā)射、壽命較短的星載固存設(shè)備存儲模塊使用。對于長壽命、高可靠衛(wèi)星應(yīng)用環(huán)境，對SSD 硬盤的抗輻照情況和加固措施需要開展更加深入的研究。

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