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        材料變形量對(duì)反應(yīng)合成AgSnO2材料電接觸性能的影響

        2014-12-12 06:42:45劉方方
        中國(guó)科技縱橫 2014年16期
        關(guān)鍵詞:變形實(shí)驗(yàn)

        劉方方

        (廣東科技學(xué)院機(jī)電工程系,廣東東莞 523083)

        材料變形量對(duì)反應(yīng)合成AgSnO2材料電接觸性能的影響

        劉方方

        (廣東科技學(xué)院機(jī)電工程系,廣東東莞 523083)

        本文研究的是材料變形量對(duì)反應(yīng)合成AgSnO2材料轉(zhuǎn)移的影響。通過(guò)對(duì)真應(yīng)變分別為ε1=6、ε2=12、ε3=18的AgSnO2材料在直流、阻性負(fù)載條件下的電接觸性能進(jìn)行了比較,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,對(duì)應(yīng)真應(yīng)變?chǔ)?=18的AgSnO2材料的材料轉(zhuǎn)移量更小,表現(xiàn)出了更好的抗電弧侵蝕性能。

        AgSnO2電接觸材料 反應(yīng)合成 電弧侵蝕性能 材料變形量

        在開(kāi)關(guān)電器中,電觸頭直接承擔(dān)分?jǐn)嗪徒油娐凡⒊休d正常工作電流或在一定的時(shí)間內(nèi)承載過(guò)載電流的功能[1]。AgSnO2電接觸材料作為最具有應(yīng)用前景的電接觸材料而備受關(guān)注,作為開(kāi)關(guān)電器中承擔(dān)接通和分?jǐn)嚯娐返脑鼘?duì)開(kāi)關(guān)電器的安全運(yùn)行起決定性作用。因此研究AgSnO2材料的電接觸性能非常重要。

        AgSnO2觸頭材料的制備方法主要有內(nèi)氧化法、粉末冶金法、化學(xué)共沉淀法、反應(yīng)合成法[2]和高能球磨法等。其中,由昆明理工大學(xué)的陳敬超等人成功的用反應(yīng)合成法所制備的Ag/SnO2電接觸材料中,能夠使銀基體中合成尺寸細(xì)小、界面新鮮的SnO2顆粒,由于改變了Ag、SnO2的結(jié)合狀態(tài)使材料的加工性能和抗熔蝕性能同時(shí)得到改善和提高[3]。在一對(duì)AgSnO2觸點(diǎn)在電弧侵蝕作用過(guò)程中,其中一個(gè)觸頭的材料耗損會(huì)部分脫離本體散失于周圍空間,部分沉積到另一個(gè)觸頭的表面即發(fā)生所謂的材料轉(zhuǎn)移。本文研究的就是材料變形量對(duì)反應(yīng)合成AgSnO2材料的影響作用。

        圖1 真應(yīng)變?chǔ)?=6的AgSnO2的材料轉(zhuǎn)移

        圖2 真應(yīng)變?chǔ)?=12的AgSnO2的材料轉(zhuǎn)移

        1 實(shí)驗(yàn)

        1.1 材料制備

        本實(shí)驗(yàn)采用實(shí)驗(yàn)樣品為反應(yīng)合成技術(shù)制備的AgSnO2電觸點(diǎn)材料。具體制備方法是:以Ag粉、AgSn合金粉、氧化劑為原料,經(jīng)過(guò)充分混合后裝填在塑膠模具中,在冷等靜壓機(jī)中以壓力1 5 0~250MPa,時(shí)間5~25min為條件,成形為Ф30mm的素坯。素坯在真空反應(yīng)合成燒結(jié)爐中,經(jīng)過(guò)350~850℃、4~8h燒結(jié)成SnO2含量為10%的AgSnO2復(fù)合材料錠坯,再將擠壓錠坯在溫度為650~850℃、壓力為1000~1200MPa的條件下擠壓成線坯,經(jīng)拉拔成Ф1.35mm絲材。經(jīng)不同的材料變形量分別得到真應(yīng)變分別為ε1=6、ε2=12、ε3=18的絲材。用YFC-16冷墩復(fù)合觸點(diǎn)機(jī)設(shè)備制備得到AgSnO2/Cu復(fù)合觸點(diǎn)樣品。AgSnO2/Cu復(fù)合觸點(diǎn)的外形尺寸分別為:Φ3.0×0.8R+Φ1.5×1.6(圓點(diǎn));Φ3.0×0.8R+Φ1.5×1.7(平點(diǎn))。

        1.2 電接觸實(shí)驗(yàn)

        電接觸實(shí)驗(yàn)參數(shù)是:直流、阻性負(fù)載,電壓18V,對(duì)應(yīng)電流分別為5A、10A、16A、20A、25A、30A;閉合力80cN,頻率1HZ,觸點(diǎn)間距1.30mm,實(shí)驗(yàn)次數(shù):10000次。

        圖3 真應(yīng)變?chǔ)?=17.6的AgSnO2的材料轉(zhuǎn)移

        2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析與結(jié)論

        根據(jù)直流、阻性負(fù)載、電壓18V條件下的電接觸實(shí)驗(yàn)結(jié)果,制作出真應(yīng)變分別為ε1=6、ε2=12、ε3=18的反應(yīng)合成AgSnO2材料的轉(zhuǎn)移量隨電流條件的變化而發(fā)生的相應(yīng)變化示意圖,如圖1、2、3所示。

        由圖1可見(jiàn),對(duì)應(yīng)真應(yīng)變?chǔ)?=6的反應(yīng)合成AgSnO2材料在一定的電流條件(<25A)下工作時(shí)材料轉(zhuǎn)移量較小(<100ng/次),這表明反應(yīng)合成技術(shù)制備的AgSnO2材料的抗電弧侵蝕性能良好;AgSnO2材料的材料轉(zhuǎn)移方式轉(zhuǎn)變的臨界電流值為20.5A,當(dāng)電流條件<20.5A時(shí),觸點(diǎn)材料在電弧作用下發(fā)生陽(yáng)極轉(zhuǎn)移,當(dāng)電流條件>20.5A時(shí),觸點(diǎn)材料在電弧作用下的材料轉(zhuǎn)移方式變?yōu)殛帢O轉(zhuǎn)移;此外,材料在電流條件>25A時(shí),材料轉(zhuǎn)移量急劇變大(可達(dá)到270ng/次)。

        由圖2可見(jiàn),對(duì)應(yīng)真應(yīng)變?chǔ)?=12的反應(yīng)合成AgSnO2材料在一定的電流工作條件(<25A)下較小(<120ng/次),這表明反應(yīng)合成技術(shù)制備的AgSnO2材料的材料轉(zhuǎn)移量低。材料轉(zhuǎn)移方式發(fā)生反轉(zhuǎn)的臨界電流條件為17A,當(dāng)電流條件<17A時(shí),AgSnO2觸頭材料在電弧作用下發(fā)生陽(yáng)極轉(zhuǎn)移,當(dāng)電流條件>17A時(shí),AgSnO2觸頭材料在電弧作用下材料發(fā)生陰極轉(zhuǎn)移;且材料在轉(zhuǎn)移方式發(fā)生改變以后材料轉(zhuǎn)移量明顯變大,當(dāng)電流條件>25A后轉(zhuǎn)移量增大很快,數(shù)值上達(dá)到200ng/次。

        圖3所示為對(duì)應(yīng)真應(yīng)變?chǔ)?=18的反應(yīng)合成AgSnO2材料轉(zhuǎn)移量隨電流條件的變化規(guī)律。由圖2.3可見(jiàn),在一定的電流工作條件(≤20A)下材料轉(zhuǎn)移量較小(<80ng/次),這表明反應(yīng)合成技術(shù)制備的AgSnO2材料的抗電弧侵蝕性能好;AgSnO2材料的材料轉(zhuǎn)移方式轉(zhuǎn)變臨界電流值為16A,當(dāng)電流條件<16A時(shí),觸點(diǎn)材料在電弧作用下表現(xiàn)為陽(yáng)極轉(zhuǎn)移,當(dāng)電流條件>16A時(shí),觸點(diǎn)材料在電弧作用下材料轉(zhuǎn)移方式變?yōu)殛帢O轉(zhuǎn)移;材料在轉(zhuǎn)移方式發(fā)生改變以后,當(dāng)電流條件>25A轉(zhuǎn)移量明顯變大,轉(zhuǎn)移量達(dá)180ng/次。

        對(duì)比圖1、圖2及圖3,可以看出,對(duì)于反應(yīng)合成技術(shù)制備的AgSnO2材料在電流<25A條件下,不同的材料變形量對(duì)應(yīng)的反應(yīng)合成AgSnO2材料在電弧侵蝕作用下,材料轉(zhuǎn)移量均較小,表現(xiàn)出良好的抗電弧侵蝕性能。在相同的工作條件下,不同的材料變形量所得的AgSnO2材料的材料轉(zhuǎn)移方式發(fā)生轉(zhuǎn)變的臨界條件不同,變形量越大,臨界轉(zhuǎn)移電流值越小。真應(yīng)變?chǔ)?=6的反應(yīng)合成AgSnO2材料的臨界電流值為20.5A,對(duì)應(yīng)真應(yīng)變?chǔ)?=12的AgSnO2材料的臨界電流值為17A,真應(yīng)變?chǔ)?=18的AgSnO2材料的臨界電流值為16A。這是由于隨著AgSnO2材料的材料變形量的增加,第二組分SnO2顆粒彌散程度更好,使材料的硬度增加,在電弧作用下,氣相電弧和金屬相電弧的相互轉(zhuǎn)變的臨界點(diǎn)也發(fā)生了變化,從而影響了材料轉(zhuǎn)移方式。

        3 實(shí)驗(yàn)結(jié)論

        通過(guò)對(duì)比三種不同變形量的AgSnO2材料在發(fā)生陰極轉(zhuǎn)移的材料轉(zhuǎn)移量,可以得知,對(duì)應(yīng)真應(yīng)變?chǔ)?=18的AgSnO2材料的材料轉(zhuǎn)移量更小,表現(xiàn)出更好的抗電弧侵蝕性能。這是由于隨著AgSnO2材料的變形量的增加,SnO2顆粒彌散程度更好,從而影響了氣相電弧和金屬相電弧的相互轉(zhuǎn)變。

        [1]喬秀清,申乾宏等.AgSnO2電接觸材料的研究進(jìn)展[J].材料導(dǎo)報(bào),2013(27):1-2.

        [2]陳敬超,等.合成法制備銀-二氧化錫電接觸材料[P].中國(guó):ZL99104491.6,2002.7.

        [3]張志偉,陳敬超,等.大塑性變形改善反應(yīng)合成制備Ag/SnO2材料性能研究[J].稀有金屬材料與工程,2008(2):338-341.

        劉方方(1982-),女,廣東東莞人,碩士,講師,主要從事材料制備及性能改善方向的研究。

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