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        焦磷酸鹽溶液體系電沉積白銅錫的電化學(xué)行為

        2014-11-25 09:19:40郭艷曾振歐趙洋謝金平李樹泉
        電鍍與涂飾 2014年8期
        關(guān)鍵詞:電勢電鍍陰極

        郭艷,曾振歐, *,趙洋,謝金平,李樹泉

        (1.華南理工大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院,廣東 廣州 510640;2.廣東致卓精密金屬科技有限公司,廣東 佛山 528247)

        焦磷酸鹽溶液體系電沉積Cu–Sn 合金的研究對于無氰合金電鍍技術(shù)的開發(fā)具有十分重要的科學(xué)意義,目前相關(guān)的研究工作主要集中在鍍液配方和電鍍工藝條件方面[1-4],有關(guān)電沉積Cu–Sn 合金的電化學(xué)行為以及添加劑對其作用機理卻很少有文獻報道[5-6]。本文在焦磷酸鹽溶液體系電鍍白銅錫[w(Sn)=45%~55%]工藝研究的基礎(chǔ)上[7],通過測量陰極極化曲線和循環(huán)伏安曲線,研究了焦磷酸鹽溶液體系電沉積白銅錫的電化學(xué)行為,并研究了多種添加劑[8-13]對電沉積白銅錫過程的影響。

        1 實驗

        1.1 試劑

        電鍍液由分析純K4P2O7·3H2O、Cu2P2O7·4H2O、Sn2P2O7和化學(xué)純IEP、DPTHE、JZ-1 組成。

        1.2 電化學(xué)測試

        陰極極化曲線和循環(huán)伏安曲線測試采用Ingsens-3030 電化學(xué)工作站(廣州盈思儀器)和三電極體系的電解池。工作電極是園端面直徑為4 mm 的銅電極,輔助電極為1 cm2的Pt 電極,參比電極為飽和甘汞電極(SCE),實驗溶液與參比電極溶液之間采用帶有魯金毛細管的鹽橋連接。工作電極依次經(jīng)麂皮打磨、水洗、稀酸[φ(HNO3)=50%]活化和水洗后,置于測試液中浸泡3 min 后方可進行電化學(xué)測試,所測陰極極化曲線和循環(huán)伏安曲線上的電極電勢均相對于SCE。未說明之處,掃描速率均為10 mV/s,測試溫度均為25°C。

        1.3 性能測定

        采用MSAL XD-2 型X 射線衍射儀(XRD,德國Bruker)對在1.0 A/dm2下鐵片上電沉積50 min 所得白銅錫進行晶相結(jié)構(gòu)分析。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 電沉積銅、錫、白銅錫的陰極極化曲線

        在250 g/L K4P2O7·3H2O 溶液(pH=8.5)中析氫和添加 12 g/L Sn2P2O7電沉積 Sn、添加 16 g/L Cu2P2O7·3H2O 電沉積Cu、添加12 g/L Sn2P2O7+16 g/L Cu2P2O7·3H2O 電沉積白銅錫的陰極極化曲線如圖1 所示。

        圖1 不同溶液體系的電沉積陰極極化曲線Figure 1 Cathodic polarization curves for electrodeposition in different solutions

        從圖1 可知,K4P2O7溶液體系開始明顯析氫的陰極電勢約為?1.70 V,Cu、Sn、白銅錫電沉積的陰極電勢均比析氫電勢正,表明K4P2O7溶液體系在Cu、Sn、白銅錫電沉積過程中具有一定的電化學(xué)穩(wěn)定性。K4P2O7溶液體系中單獨電沉積Cu 的陰極電勢比單獨電沉積Sn 負,表明離子與Cu2+離子的配位能力明顯強于與Sn2+離子的配位能力。在電沉積白銅錫時,電沉積Cu 和Sn 的陰極電勢又進一步正移,表明溶液中的Cu2+離子與Sn2+離子也有相互促進電沉積的作用[9-10],使兩種金屬離子的陰極還原更容易進行。另外,從圖1還可看出,電沉積白銅錫時Cu 和Sn 之間具有相互作用,這種相互作用使電沉積過程形成自由能相對較低的固溶體合金。電沉積Cu、Sn、白銅錫的陰極極化曲線上都出現(xiàn)陰極極化增加至一定時陰極電流密度降低的現(xiàn)象,可能是由溶液中Cu2+與Sn2+均以配陰離子的形式在電極上直接放電還原所致。

        2.2 電沉積白銅錫的循環(huán)伏安曲線

        圖2 為在250 g/L K4P2O7·3H2O+12 g/L Sn2P2O7+16 g/L Cu2P2O7·3H2O 溶液(pH=8.5)中測得的不同電勢掃描速率下電沉積白銅錫的循環(huán)伏安曲線。電勢負向掃描時,出現(xiàn)1 個錫還原反應(yīng)峰和2 個銅還原反應(yīng)峰。隨電勢掃描速率增大,峰電勢負移,峰電流增大;電勢正向掃描時則沒有明顯的氧化反應(yīng)峰。這表明電沉積白銅錫過程中Sn2+的放電還原一步完成,Cu2+離子的放電還原則可能分兩步進行,電沉積白銅錫過程為不可逆電極過程。

        圖2 電沉積白銅錫的循環(huán)伏安曲線Figure 2 Cyclic voltammograms for white copper–tin electrodeposition

        2.3 不同Cu2+/Sn2+摩爾比溶液的陰極極化曲線

        在0.65 mol/L K4P2O7+0.03 mol/L Sn2P2O7溶液(pH=8.5)中,改變Cu2P2O7的摩爾濃度(0.03、0.05、0.07 和0.09 mol/L),測得電沉積白銅錫的陰極極化曲線如圖3 所示。

        圖3 不同Cu2+/Sn2+摩爾比溶液電沉積白銅錫的陰極極化曲線Figure 3 Cathodic polarization curves for white copper–tin electrodeposition in solutions with different mole ratios of Cu2+ to Sn2+

        陰極極化曲線上出現(xiàn)a、b 兩組還原反應(yīng)峰,分別對應(yīng)于Sn 和Cu 的還原。隨溶液中Cu2+離子含量增大,第一個還原反應(yīng)峰a 中Sn 的還原反應(yīng)電流增大,陰極極化電勢正移。當溶液中Cu2+離子與Sn2+離子的摩爾比高于7∶3 時,Sn 的還原反應(yīng)電流基本不變,陰極極化電勢的正移也不太明顯。溶液中Cu2+離子含量增大也使得電沉積白銅錫的初始電勢顯著正移,有利于合金電沉積。溶液中Cu2+離子含量對第二個還原反應(yīng)峰b的影響也較大,隨Cu2+離子含量增大,該反應(yīng)峰分裂成兩個明顯的還原反應(yīng)波,對于陰極電勢為?0.97 V 的還原反應(yīng)波,陰極電勢稍有負移,還原反應(yīng)電流明顯升高;而對于陰極電勢為?1.13 V 的還原反應(yīng)波,其陰極電勢基本不變,但還原反應(yīng)電流明顯升高。由此可見,溶液中Cu2+離子的陰極還原分兩步進行,Cu2+離子含量增大,電沉積銅的速率加快,白銅錫沉積層中的銅含量增加。

        2.4 添加劑對電沉積白銅錫的影響

        2.4.1 添加劑對陰極極化曲線的影響

        在250 g/L K4P2O7·3H2O+12 g/L Sn2P2O7+16 g/L Cu2P2O7·3H2O 溶液(pH=8.5)中,分別加入3 種添加劑IEP(1.0 mL/L)、DPTHE(1.0 mL/L)或JZ-1(0.6 mL/L),測得的陰極極化曲線如圖4 所示。

        圖4 添加劑對電沉積白銅錫陰極極化曲線的影響Figure 4 Effects of additives on cathodic polarization curves for electrodeposition of white copper–tin

        3 種添加劑對Sn 陰極還原的影響基本相似,使其陰極還原電勢負移、陰極極化增大。對于Cu 陰極還原而言,3 種添加劑的影響差別較大,除IEP 依然保持原本的2 個還原反應(yīng)峰之外,DPTHE 和JZ-1 則使2 個還原反應(yīng)峰合并成一個還原反應(yīng)峰。IEP 和DPTHE 對Cu 陰極還原的極化影響程度不大,而JZ-1 則使陰極極化減小而促進Cu2+陰極還原的作用。

        2.4.2 添加劑對鍍層晶體結(jié)構(gòu)的影響

        在250 g/L K4P2O7·3H2O+12 g/L Sn2P2O7+16 g/L Cu2P2O7·3H2O 溶液(pH=8.5)中分別添加IEP(1.0 mL/L)、DPTHE(1.0 mL/L)或JZ-1(0.6 mL/L),以1 A/dm2的電流密度在鐵片上電沉積50 min,所得白銅錫電沉積層的XRD 譜圖如圖5 所示。

        與PDF 標準圖譜的對比可知,無添加劑的電沉積層結(jié)構(gòu)為Cu6Sn5結(jié)構(gòu);添加DPTHE 和IEP 后的電沉積層結(jié)構(gòu)雖也是Cu6Sn5結(jié)構(gòu),但有顯著的擇優(yōu)取向;添加劑JZ-1 的電沉積層結(jié)構(gòu)則為Cu41Sn11和Cu6Sn5,其中Cu41Sn11為主要部分。文獻[12]指出,在添加劑DPTHE 和IEP 的晶體結(jié)構(gòu)圖中,IEP 的譜圖產(chǎn)生寬化現(xiàn)象,電沉積層的晶粒尺寸更小、更細致。在電鍍工藝實驗中采用IEP 添加劑,所得白銅錫鍍層更加均勻致密,產(chǎn)生的麻點最少,具有更明顯的整平作用和晶粒細化作用[13],這與本文結(jié)果一致。

        圖5 添加劑對電沉積白銅錫晶體結(jié)構(gòu)的影響Figure 5 Effects of additives on crystal structure of electrodeposited white copper–tin

        2.4.3 IEP 添加量對陰極極化曲線的影響

        在250 g/L K4P2O7·3H2O+12 g/L Sn2P2O7+16 g/L Cu2P2O7·3H2O 溶液(pH=8.5)中加入不同量的IEP,測得陰極極化曲線見圖6。

        圖6 IEP 含量對電沉積白銅錫陰極極化曲線的影響Figure 6 Effects of IEP content on cathodic polarization curves for electrodeposition of white copper–tin

        添加劑IEP 的加入對白銅錫電沉積中Sn 陰極還原的影響較顯著,雖IEP 加入量增大,Sn 陰極還原極化增強,沉積速率減??;Cu 陰極還原的第一步極化減小、反應(yīng)速率加快。這表明添加劑IEP 的加入具有抑制Sn電沉積和促進Cu 電沉積的雙重作用。

        2.4.4 DPTHE 含量對陰極極化曲線的影響

        在250 g/L K4P2O7·3H2O+12 g/L Sn2P2O7+16 g/L Cu2P2O7·3H2O 溶 液(pH=8.5)中 加 入 不 同 量 的DPTHE,測得陰極極化曲線如圖7 所示。DPTHE 用量低時,陰極極化曲線沒有明顯變化;DPTHE 用量高時,電沉積Sn 的陰極極化增強得較明顯,電沉積Cu 的2 個還原峰縮為1 個還原峰,陰極極化改變無規(guī)律。因此,添加劑DPTHE 在電沉積白銅錫過程中的電化學(xué)行為仍不明確。

        圖7 DPTHE 含量對電沉積白銅錫陰極極化曲線的影響Figure 7 Effect of DPTHE content on cathodic polarization curves for electrodeposition of white copper–tin

        2.4.5 JZ-1 含量對陰極極化曲線的影響

        在250 g/L K4P2O7·3H2O+12 g/L Sn2P2O7+16 g/L Cu2P2O7·3H2O 溶液(pH=8.5)中加入不同量JZ-1,測得的陰極極化曲線見圖8。

        圖8 JZ-1 含量對電沉積白銅錫陰極極化曲線的影響Figure 8 Effect of JZ-1 content on cathodic polarization curves for electrodeposition of white copper–tin

        添加劑JZ-1 的加入對于Cu–Sn 合金電沉積中Sn和Cu 的陰極還原都有較顯著的影響。隨JZ-1 加入量增加,Sn 陰極還原極化增強,Cu 陰極還原極化減弱。這表明添加劑JZ-1 抑制了Sn 電沉積和促進了Cu 電沉積,從而有利于Cu–Sn 合金的共沉積。

        3 結(jié)論

        (1)焦磷酸鹽溶液體系電沉積Cu、Sn、白銅錫過程的電化學(xué)性能穩(wěn)定。

        (2)焦磷酸鹽體系電沉積白銅錫為不可逆電極過程,電沉積白銅錫時Cu 和Sn 之間具有相互作用,溶液中的Cu2+與Sn2+之間有相互促進電沉積的作用。

        (3)在焦磷酸鹽溶液體系電沉積白銅錫過程中,添加劑IEP、DPTHE 和JZ-1 通過改變Sn2+和Cu2+還原的陰極極化來影響白銅錫的電沉積過程和晶體結(jié)構(gòu)。

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