張 亮,邵水源 ,李 穎,陳 晶
(1.西安科技大學 材料科學與工程學院,陜西 西安 710054;2.西安交通大學 醫(yī)學院 第一附屬醫(yī)院 招標采供辦公室,陜西 西安 710061)
·研究論文·
新型香蕉B1相聚硅氧烷側(cè)鏈液晶的合成及其液晶性能*
張 亮1,2,邵水源1,李 穎1,陳 晶1
(1.西安科技大學 材料科學與工程學院,陜西 西安 710054;2.西安交通大學 醫(yī)學院 第一附屬醫(yī)院 招標采供辦公室,陜西 西安 710061)
以4-烯丙氧基苯甲酰氯和4-羥基聯(lián)苯氰為原料,經(jīng)縮合反應(yīng)合成了一種新型的液晶基元4-烯丙氧基苯甲酸-4′-羥基聯(lián)苯氰酯(2,產(chǎn)率71.6%);將2接枝到聚甲基氫硅氧烷的主鏈上合成了一種新型的香蕉型B1相聚硅氧烷側(cè)鏈液晶(4,產(chǎn)率70.0%)。2和4的結(jié)構(gòu)經(jīng)1H NMR和FT-IR表征。用熱臺偏光顯微鏡(POM)和X-射線衍射儀(XRD)對2和4的液晶相類型和液晶相行為進行觀察和分析;采用差示掃描量熱法(DSC)和綜合熱分析法(TGA)對其熱性能進行分析。結(jié)果表明,4的介晶區(qū)間為106.81℃,較2(82.50℃)有所提高;4在升降溫過程中分別呈現(xiàn)出近晶A相和較特殊的香蕉型B1相織構(gòu)。
聚硅氧烷;側(cè)鏈液晶聚合物;香蕉型B1相;合成;液晶性能
高分子液晶是一種新型功能高分子材料,兼具液晶化合物和高分子化合物的特性,為高分子科學中的一個新的研究領(lǐng)域,它具有液晶相所特有的分子取向序和位置序及高分子化合物的特性[1-3]。
側(cè)鏈液晶高分子為液晶高分子的一大類,如聚硅氧烷側(cè)鏈液晶,其硅-氧主鏈可利用硅氫加成等反應(yīng)將各種液晶基元引入側(cè)鏈,通過改變側(cè)鏈結(jié)構(gòu)改變其性能。聚硅氧烷側(cè)鏈液晶因具有較低的表面張力和表面能、較低的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度、良好的耐熱性[4]及非線性光學等特性[5],近年來得到了廣泛的研究。
為此,本文以4-烯丙氧基苯甲酰氯(1)和4-羥基聯(lián)苯氰為原料,經(jīng)縮合反應(yīng)合成了一種新型的液晶基元4-烯丙氧基苯甲酸-4′-羥基聯(lián)苯氰酯(2,產(chǎn)率71.6%);將2接枝到聚甲基氫硅氧烷(3)的主鏈上合成了一種新型的香蕉型B1相聚硅氧烷側(cè)鏈液晶(4,產(chǎn)率70.0%)(Scheme 1)。2和4的結(jié)構(gòu)經(jīng)1H NMR和IR表征。用熱臺偏光顯微鏡和X-射線衍射儀對2和4的液晶相類型和液晶相行為進行觀察和分析;采用差示掃描量熱法和綜合熱分析法對其熱性能進行分析。
1.1 儀器與試劑
INOVA-400MHz型超導(dǎo)核磁共振儀(CDCl3為溶劑,TMS為內(nèi)標);傅立葉變換紅外光譜儀(KBr壓片);差示掃描量熱儀(DSC);Nikon Eclipse E400型熱臺偏光顯微鏡(配控溫熱臺及照相機,POM);D/MAX-3C型X-射線衍射儀(XRD)。
[6]方法制備;3,日本東芝公司;4-羥基聯(lián)苯氰,西安瑞聯(lián)近代電子材料有限責任公司;其余所用試劑均為分析純。
1.2 合成
(1)2的合成
向四口燒瓶中加入4-羥基聯(lián)苯氰19.5g(100mmol),三乙胺15.0mL和THF 200.0mL,攪拌下于室溫滴加124.1g(120mmol)的THF(100.0mL)溶液,滴畢,于0℃反應(yīng)5h;于室溫反應(yīng)2.5h。加水500mL,抽濾,濾餅用水洗滌,乙醇重結(jié)晶兩次后于60℃干燥14h得白色針狀晶體2,產(chǎn)率71.6%。
(2)4的合成
向三口燒瓶中加入122.7g(64.0mmol),34.1mL(1.0mmol)和甲苯50.0mL,攪拌下加入氯鉑酸1g的THF(1mL)溶液,氮氣保護下回流(110℃)反應(yīng)24h。加甲醇沉淀至有灰白色黏稠狀物產(chǎn)生。加入二氯甲烷100mL使黏稠狀物溶解,用甲醇沉淀兩次得粗產(chǎn)物,置真空干燥箱中于110℃干燥24h得灰白色固體4,產(chǎn)率70.0%。
2.1 表征
(1)IR
2~4的IR譜圖見圖1。對比2和3的IR譜圖可知,2160cm-1和1640cm-1附近的Si-H和C=C的吸收峰已經(jīng)基本消失,表明2與3確實發(fā)生了硅氫加成反應(yīng),且反應(yīng)近于完全。2240cm-1處仍出現(xiàn)有氰基特征吸收峰,1720cm-1處有酯羰基的C=O吸收峰[7-8]。其余吸收峰在2和3的IR譜圖中均有對應(yīng)峰,可初步證實2和4的結(jié)構(gòu)符合分子設(shè)計。
(2)1H NMR
圖4為4的1H NMR譜圖。對比2的1H NMR譜圖(圖2)可知,4在5.30和6.02處的峰已消失,說明4中已不存在烯鍵(CH2=CH);對比3的1H NMR譜圖(圖3)可知,4.65處無峰表明4中已無Si-H鍵,結(jié)合IR譜圖可充分證實硅氫加成反應(yīng)近于完全;1.21和1.58處的吸收峰為發(fā)生硅氫加成反應(yīng)后生成的新峰,歸屬加成產(chǎn)物(4)中側(cè)鏈-CH2-的質(zhì)子峰;2.50處峰為溶劑DMSO的質(zhì)子峰[9]。圖4中的其他峰均能在3和2的1H NMR譜圖上找到相對應(yīng)的峰,結(jié)合IR譜圖,可確定4的結(jié)構(gòu)與Scheme 1預(yù)期一致。
ν/cm-1
δ
δ
δ
2.2 織構(gòu)分析
(1)2的織構(gòu)分析
用POM觀察2在升溫和降溫過程中的液晶織構(gòu)。升溫至183.0℃(熔點)時,2熔融并開始流動,進入液晶相,呈現(xiàn)近晶A相的彩色扇形織構(gòu)。圖5(A)為升溫至207.0℃時2的織構(gòu)圖。由圖5(A)可見,升溫至清亮點附近時,視野中開始出現(xiàn)部分黑暗,扇形織構(gòu)變換加快;再升溫至清亮點溫度265.5℃時,織構(gòu)消失,視野變黑,樣品進入各向同性態(tài)。降溫時,從高于清亮點的溫度對樣品進行降溫,當溫度降至液晶化溫度265.0℃時,又出現(xiàn)近晶A相的彩色扇形織構(gòu)。圖5(B)為降溫至228.5℃時的織構(gòu)圖;繼續(xù)降溫至結(jié)晶溫度183.0℃時,樣品結(jié)晶。扇形織構(gòu)是近晶相液晶的典型織構(gòu),近晶相中層與層之間的關(guān)聯(lián)性比較小,彼此間很容易滑移。層的一致性很容易被破壞,但層與層之間的空隙很難破壞。近晶A相在光學中是單軸的且具有旋轉(zhuǎn)對稱性,對稱軸垂直于層面。層內(nèi)分子的質(zhì)心隨機排布,因此在層的法線方向沒有平移對稱性,由空間的三維對稱性降到平面的二維對稱性[10]。
A(升溫至207.0℃)
B(降溫至228.5℃)
(2)4的織構(gòu)分析
4的織構(gòu)分析如圖6所示。室溫觀察4時,視野很暗;隨著溫度的升高,樣品進入液晶態(tài),視野由暗變亮;繼續(xù)升溫,視野越來越亮,呈現(xiàn)近晶A相的扇形織構(gòu),色彩絢麗。圖6(A)為升溫至214.5℃時的織構(gòu)圖;當溫度進一步升高至其清亮點溫度(276.5℃)時,整個視野一片黑暗,進入各相同性態(tài)。降溫時,從高于清亮點的溫度對樣品進行降溫,當溫度降至液晶化溫度(275.0℃)時,出現(xiàn)從各向同性熔融態(tài)分離出的樹枝狀織構(gòu)——香蕉型B1相織構(gòu)[9]。圖6(B)為降溫至249.0℃時的織構(gòu)圖。隨著溫度的繼續(xù)下降,樣品逐漸失去流動性,進入結(jié)晶狀態(tài)。從圖6(A)和圖6(B)可看出,4在升溫過程中呈現(xiàn)近晶相A相,降溫過程中呈香蕉型B1相。對比圖5和圖6可知,2和4存在顯著的差異,特別在降溫過程中4呈現(xiàn)出的香蕉型B1相織構(gòu)更為獨特。
A(升溫至214.5℃)
B(降溫至249.0℃)
2.3 4的熱性能分析
圖7為2和4的DSC升溫圖。由圖7可見,2的升溫曲線上有一強一弱兩個峰,185.2℃處的強峰對應(yīng)Tm,267.70℃處的弱峰對應(yīng)于Ti,對照POM圖,DSC測出的相轉(zhuǎn)變溫度與POM圖一致[11-12]。從圖7還可見,4的升溫DSC曲線中也出現(xiàn)了一強一弱的兩個峰,分別對應(yīng)Tm和Ti。與2相比,4的Tm低于2的Tm,而Ti則高于2的Ti。這是因為4中引入了具有柔性結(jié)構(gòu)的聚硅氧烷主鏈,雖然4的分子量遠高于2,但此時聚硅氧烷主鏈的柔順性占主導(dǎo)作用,故4在受熱時其分子鏈的運動變得更為容易,導(dǎo)致其Tm低于2的Tm;而其Ti高于2的Ti,則是由于4較高的分子量所致[13]。
Temperature/℃
2.4 4的XRD分析
2(升溫過程中于207.0℃淬火處理)和4(升溫過程中于214.5℃淬火處理)的XRD譜圖見圖8。由圖8可見,在小角區(qū)(2θ≈5°)有尖銳的強衍射峰,說明2具有遠程層間有序性,即具有層狀結(jié)構(gòu)。在廣角區(qū)(2θ≈15°~20°)又出現(xiàn)一系列衍射峰,表明2在橫向上無序[14]。這些都與近晶型液晶的XRD特征相符合,再結(jié)合POM分析結(jié)果,可以確定2為近晶相液晶基元。
由圖8還可見,在小角區(qū)有尖銳的強衍射峰,說明4具有遠程層間有序性,即具有層狀結(jié)構(gòu);在廣角區(qū)又出現(xiàn)一系列衍射峰,這些與近晶相液晶的XRD特征相符合。在12°出現(xiàn)的衍射峰是硅氧鍵的衍射峰。結(jié)合POM分析結(jié)果,可以確定香蕉型B1相4隸屬于近晶相。
2θ/(°)
采用近相晶液晶基元4-烯丙氧基苯甲酸-4′-羥基聯(lián)苯氰酯(2)合成了聚硅氧烷側(cè)鏈液晶(4)。通過對2與4進行結(jié)構(gòu)表征,證明了分子結(jié)構(gòu)符合預(yù)期。2升降溫過程中均呈現(xiàn)出近晶A相扇形織構(gòu),液晶區(qū)間為82.50℃。4在升溫過程中呈現(xiàn)近晶A相扇形織構(gòu),在降溫過程中呈現(xiàn)香蕉型B1相織構(gòu),其液晶區(qū)間為106.81℃。
2和4的成功合成,豐富了聚硅氧烷側(cè)鏈液晶的種類。
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SynthesisandLiquidCrystalPropertiesofaNewSide-chainLiquidCrystallinePolysiloxaneExhibitingBananaB1PhaseTexture
ZHANG Liang1,2,SHAO Shui-yuan1,LI Ying1,CHEN Jing1
(1.College of Material Science and Engineering,Xi’an University of Science and Technology,Xi′an 710054,China;2.Department of the Tender and Supply of the First Affiliated Hospital,Xi’an Jiaotong University School of Medicine,Xi’an 710061,China)
A new liquid-crystalline monomer,4-allyloxy-benzoic acid-4′-cyano-biphenol(2),was prepared by condensation reaction of 4-allyloxy-benzoic acyl chloride with 4′-cyano-biphenol.A novel type of side-chain liquid-crystalline polysiloxane(4)in yield of 70.0% was synthesized by graft polymerization of2with polymethyl hydrogen siloxane.The structures of2and4were characterized by1H NMR and FT-IR.The liquid crystalline phase type of 2and4were observed by polarizing optical microscopy(POM)and X-ray diffraction(XRD).The liquid crystalline phase behavior and thermo properties of 2and4were analyzed by differential scanning calorimetry(DSC)and thermal gravimetric analyzer(TGA).The results showed that the mesophase temperature range(106.81℃)of4was broader than2(82.50℃).Meanwhile,4exhibited a smectic A phase texture and banana B1phase texture during the heating and cooling cycle,respectively.
polysiloxane;side-chain liquid crystalline polymer;banana B1phase;synthesis;liquid crystal property
2013-04-16;
2014-05-26
2013年陜西省教育廳科研計劃資助項目(2013JK0920);2011年陜西省科技統(tǒng)籌創(chuàng)新工程計劃戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重大產(chǎn)品(群)項目(2011KTCQ01-36)
張亮(1981-),男,漢族,陜西西安人,中級技師,主要從事高性能高分子材料及液晶材料的研究。
李穎,講師,Tel.029-85587373,E-mail:liyingxust@126.com
O634.4;O753
A
1005-1511(2014)04-0448-05