劉 遠,鄭雅杰,孫召明
(中南大學 冶金與環(huán)境學院,長沙 410083)
鎘因其獨特的物理和化學性質(zhì),使鎳鎘電池以高功率系數(shù)、長循環(huán)壽命、快速充電能力在軍用無人機、通信電臺和夜視儀等電子產(chǎn)品中得到廣泛應(yīng)用[1?2],近年來,鎘在光電半導體材料[3?5]方面的應(yīng)用前景使高純鎘粉的制備研究受到廣泛重視。 鎘資源在自然界中存在于鋅礦、鉛鋅礦和銅鉛鋅礦中,在浮選時大部分進入鋅精礦,在焙燒過程中富集于煙塵和高鎘鋅中[6?7]。我國火法煉鋅廠和銅鉛冶煉廠含鎘物料經(jīng)焙燒脫除砷、銻等雜質(zhì),得到浸出性能良好的焙砂,再用硫酸浸出[8?11],浸出液經(jīng)氧化水解脫除鐵、砷等雜質(zhì),凈化后含鎘溶液用鋅粉置換得到海綿鎘[12],在鑄鐵鍋內(nèi)于熔融燒堿保護下,鑄成粗鎘錠。此法存在工藝流程繁瑣、生產(chǎn)周期長、能耗高且鋅粉消耗量大,而回收的鎘純度低,限制了鎘的生產(chǎn)和應(yīng)用[13]。精鎘是由粗鎘經(jīng)電解精煉法[14]或蒸餾法[15?16]進一步提純得到。電解精煉法生產(chǎn)精鎘其電流效率低、電耗大、周期長、成本高、電解沉積物不穩(wěn)定,仍需進一步火法精煉[17]。蒸餾法采用精餾塔分離高沸點雜質(zhì)制備粗鎘,再進行堿性精煉得到精鎘,其設(shè)備簡單,生產(chǎn)控制方便,在我國鋅冶煉廠普遍采用,但其精鎘產(chǎn)出率低,鎘與殘渣分離不徹底,存在二次污染和鎘中毒隱患[18]。精鎘制備鎘粉的方法有等離子還原法[19]、電化學法[20?21]、蒸發(fā)法[22]等。這些方法生產(chǎn)鎘粉制備工藝周期長、溫度高,鎘粒在此過程中易長大,通常得不到超細鎘粉。本文作者以鋅冶煉含鎘煙塵為原料,采用硫酸浸出,氧化中和除雜,氫氧化鈉沉淀,氫氣還原氫氧化鎘制備球形高純鎘粉,與其他制備高純金屬鎘方法相比,該工藝流程簡單、環(huán)境友好、產(chǎn)品純度高,且直接得到微米級球形鎘粉,其市場應(yīng)用廣泛。
以河南某公司鋅焙燒煙塵為原料,其主要元素含量如表1所列。硫酸(AR)、H2O2(AR)、FeCl3(AR)、氫氧化鈉(AR)、氫氣(高純,w(H2)>99.99%)。
表1 鋅焙燒煙塵主要元素含量Table 1 Main chemical components of roasting dust (mass fraction, %)
浸出:將去離子水與硫酸按比例配好置于三口燒瓶中,啟動加熱套加熱至所需溫度,在攪拌下將鋅焙燒煙塵緩慢加入,反應(yīng)一定時間后過濾,得到硫酸浸出液。
除雜:在浸出液中加入 H2O2使 As(Ⅲ)氧化為As(Ⅴ),按照一定的n(Fe)/n(As)加入FeCl3溶液,在攪拌下將NaOH加入到浸出液中,調(diào)節(jié)溶液pH,使As、Fe、Cu和Pb沉淀除去,得到硫酸浸出凈化液,即硫酸鎘溶液。
氫氧化鎘粉體的制備:以凈化液為原料配制0.5mol/L的硫酸鎘溶液,在連續(xù)攪拌下向硫酸鎘溶液中加入NaOH溶液,發(fā)生如下反應(yīng):
在室溫下反應(yīng)一段時間后,將沉淀物過濾,多次洗滌,在75 ℃下干燥10 h,得到氫氧化鎘微粉。
鎘粉的制備:將氫氧化鎘粉體置于程控管式爐中,通入N2保護,控制一定溫度,在氫氣中還原得到鎘粉。鋅冶煉含鎘煙塵制備高純鎘粉流程如圖1所示。
圖1 鋅冶煉煙塵制備高純球形鎘粉工藝流程圖Fig. 1 Flow chart for preparation of spherical Cd powder from roasting dust of zinc smelting
采用電感耦合等離子光譜儀(Intrepid Ⅱ XPS)分析物料中雜質(zhì)含量;采用日本Rint?2000型X射線衍射儀分析樣品的物相組成;采用掃描電鏡(SEM、JEOL、JSM?5600LV)對樣品的形貌進行分析表征;采用激光粒度分析儀(Mastersizer 2000)對產(chǎn)物的粒度進行分析表征。
實驗采用硫酸浸出含鎘煙塵,反應(yīng)溫度為65 ℃,液固比為 6:1,硫酸濃度為 110 g/L,反應(yīng)時間為 30 min。在此條件下硫酸浸出濾液中各元素含量如表 2所列,鎘的浸出率達到99.63%。
表2 鋅焙燒煙塵硫酸浸出液中元素的含量Table 2 Elements content in sulfuric acid leaching solution of zinc roasting dust (mg/L)
氧化鎘溶于硫酸的反應(yīng)方程式為
當氧化鎘溶解反應(yīng)達到平衡時,其平衡常數(shù)如下:
在標準狀態(tài)下,反應(yīng)的標準吉布斯自由能變化為
熱力學計算表明,氧化鎘在酸性溶液中反應(yīng)趨勢很大,反應(yīng)在達到平衡狀態(tài)時,在較小的H+濃度下,可以存在很高濃度的Cd2+。鉛主要以硫酸鉛存在,在硫酸介質(zhì)中不溶解,大部分進入渣中,As、Zn、Fe、Cu主要以氧化物存在,在酸性條件下易溶解進入溶液,為得到純凈的硫酸鎘溶液,需深度除雜。
在室溫下加入理論量10倍的30%雙氧水,反應(yīng)5 min后加入 FeCl3溶液,溶液中 n(Fe)/n(As)=3,加入NaOH調(diào)節(jié)溶液pH為5.5,反應(yīng)時間30 min,過濾得硫酸鎘濾液,砷的脫除率達 99.5%。濾液中雜質(zhì)含量如表3所列。
表3 硫酸浸出凈化液中雜質(zhì)含量Table 3 Impurities of purification sulfuric acid leaching solution (mg/L)
將浸出液中和到一定的 pH,則發(fā)生以下水解反應(yīng):
水解平衡時:
而
所以
式中:Kap為水溶液中Men+與OH?的活度積;Kw為水的離子積,常溫下近似等于 1×10?14。氫氧化物沉淀時,雜質(zhì)離子的平衡pH值如表4所列[23]。
表4 25 ℃時雜質(zhì)離子的平衡pH值[23]Table 4 Equilibrium pH value of impurity ions at 25 ℃[23]
在pH=5.5時,大部分雜質(zhì)元素水解沉淀而除去,在砷酸鹽沉淀過程中,發(fā)生如下反應(yīng):
對水解沉淀而言,同一變價金屬的高價離子比低價離子容易水解,改變其價態(tài)可以改變其在水解過程的行為,因此加 H2O2使 As(Ⅲ)氧化為 As(Ⅴ),促使溶液中砷離子完全沉淀,F(xiàn)eAsO4的溶度積為5.7×10?21,F(xiàn)e(OH)3的溶度積為 4×10?38,調(diào)節(jié)溶液pH可實現(xiàn)砷和鐵同時去除,而 Fe3+水解生成的Fe(OH)3膠體沉淀,也能吸附部分雜質(zhì)元素。
慢速加料法是在反應(yīng)開始前,將0.5 mol/L的硫酸鎘溶液以5 mL/min的流量通過蠕動泵加入2 mol/L的NaOH溶液中,攪拌速度為400 r/min,控制反應(yīng)終點pH=10,反應(yīng)結(jié)束后,過濾、洗滌得到氫氧化鎘粉體??焖偌恿戏ㄊ菍?.5 mol/L硫酸鎘溶液和2 mol/L氫氧化鈉溶液快速混合加入反應(yīng)器中,之后操作與慢速加料法相同。圖 2(a)所示為快速混料方式得到的氫氧化鎘粉體形貌。圖2(b)所示為緩慢加料方式得到的氫氧化鎘粉體形貌。
由圖2(a)可以看出,氫氧化鎘呈絮狀,分散性差,團聚嚴重,使一部分顆粒粒徑很大,另一部分顆粒粒徑又很小。從圖2(b)可以看出,緩慢加料法得到的氫氧化鎘分散性好,粒徑分布集中,團聚不嚴重。表明通過緩慢加料法得到的氫氧化鎘具有更好的形貌,因為在緩慢加料過程中,反應(yīng)物的加入速度很慢,反應(yīng)產(chǎn)物過飽和度較低,不利于晶粒的生長和晶核的形成,整個反應(yīng)過程中形成的晶核數(shù)量較少[23]。
慢速加料法得到Cd(OH)2的XRD譜如圖3所示。由圖3可看出,通過化學沉淀法制備的Cd(OH)2為六方晶系,并且從譜圖上觀察不到雜相峰存在,產(chǎn)物為Cd(OH)2晶體。
圖2 不同加料方法得到的氫氧化鎘SEM像Fig. 2 SEM images of Cd(OH)2 prepared by different feeding rates: (a)Rapid feeding method; (b)Slow feeding method
圖3 氫氧化鈉沉淀制備Cd(OH)2的XRD譜Fig. 3 XRD patterns of Cd(OH)2 prepared by sodium hydroxide precipitation
2.4.1 還原溫度對還原產(chǎn)物及其形貌的影響
稱取烘干的Cd(OH)2粉末置于程控管式爐中,通入 N2趕走空氣后通入 H2,在一定溫度下反應(yīng)時間為120 min。不同反應(yīng)溫度時,產(chǎn)物XRD實驗結(jié)果如圖4所示。
圖4 不同溫度還原產(chǎn)物的XRD譜Fig. 4 XRD patterns of products at different reduction temperatures: (a)250 ℃; (b)280 ℃; (c)310 ℃; (d)340 ℃
由圖4可知,產(chǎn)物的衍射峰尖銳,隨著溫度的升高,Cd粉衍射峰逐漸變窄,且峰強逐漸增強,Cd晶粒沿某一晶面高度生長,結(jié)晶從無序趨向有序,溫度的升高使晶粒長大。在溫度低于310 ℃時,除含有主物相Cd(密排六方結(jié)構(gòu))外,產(chǎn)物中混有粒徑不同的呈現(xiàn)黃灰色的CdO,CdO的產(chǎn)生是由于還原溫度未達到Cd粉的還原溫度,因此,一部分CdO尚未完全反應(yīng)還含有 CdO相,說明在還原溫度比較低的時候Cd(OH)2前驅(qū)體粉一部分轉(zhuǎn)換為CdO,且并未完全還原。在310 ℃以上還原得到的Cd粉純度高,在溫度為310 ℃和340 ℃時, CdO相消失,Cd(OH)2粉末完全還原,產(chǎn)物為純凈的 Cd粉。當還原溫度超過鎘的熔點后,鎘粉熔化長大成鎘粒,粒徑顯著增加,為了得到粒徑均勻的鎘粉,采用還原溫度應(yīng)控制在300~310 ℃。
圖5所示為不同還原溫度得到產(chǎn)物的SEM像。由圖5可知,氫氣還原Cd(OH)2得到的產(chǎn)物呈球形,表面光滑,溫度310 ℃比340 ℃時得到的顆粒細小,無團聚現(xiàn)象。
對還原溫度為 310和 340 ℃的樣品進行粒度分析,當還原溫度為310和340 ℃時,鎘粉平均粒徑分別為49.61和76.09 μm,隨著還原溫度的升高,分布在粗粒區(qū)的顆粒增多,說明溫度升高促進還原產(chǎn)物Cd晶粒的長大,與SEM像結(jié)果一致。
氫氣還原Cd(OH)2粉末的過程就是Cd晶粒形核、長大、生長的過程。在還原過程中,先形成Cd晶核,隨著還原的進行,新核不斷生成,舊核不斷長大,尺寸小的晶粒具有的應(yīng)變能比尺寸大的晶粒的應(yīng)變能大得多,為了盡可能地減小體系的總自由能而使結(jié)構(gòu)趨于穩(wěn)定,尺寸小的晶粒就自發(fā)合并成尺寸大的晶粒,在外界提供熱量的情況下,界面附近的晶核發(fā)生擴散生長而使晶粒長大,當反應(yīng)溫度過低時,提供晶核擴散生長的能量不足,不能將其完全還原,產(chǎn)物中存在CdO物相,因此,需要升高還原溫度使反應(yīng)完全,但是隨著反應(yīng)溫度的升高,晶粒的生長和鎘的融化使其形成較大的顆粒,為了減小產(chǎn)物粒徑,應(yīng)嚴格控制還原溫度。
圖5 不同還原溫度產(chǎn)物的SEM像Fig. 5 SEM images of products at different reduction temperatures: (a)310 ℃; (b)340 ℃
2.4.2 還原時間對產(chǎn)物及粒度的影響
在其他條件不變,當還原溫度為310 ℃時,還原時間對產(chǎn)物物相的影響如圖6所示。從圖6可知,當還原時間小于 120 min時,還原產(chǎn)物中除了含有 Cd外,還含有CdO相,說明CdO未還原完全;當還原時間大于120 min時,各還原產(chǎn)物的XRD譜均顯示出單一的密排六方型 Cd的衍射峰,且峰形尖銳。還原時間對制備純凈的 Cd粉有較大的影響,隨著還原時間的增加,燒結(jié)的作用越來越明顯,其衍射峰高增加,峰寬變窄,鎘粉的結(jié)晶度更好。
激光粒度儀分析表明,還原時間為60、120和180 min時產(chǎn)物平均粒徑分別為38.76、49.61和73.25 μm。在一定的還原溫度下,晶粒的尺寸符合Dt=ct1/2,即晶粒的平均直徑與時間的平方根成正比,產(chǎn)物的平均尺寸隨著反應(yīng)時間的增加而增加,由晶粒聚集的顆粒也增大,隨著還原時間的延長,細顆粒發(fā)生團聚,粗粒區(qū)的顆粒逐漸增加,鎘粉的粒徑明顯變大,在保證鎘粉質(zhì)量的同時應(yīng)盡量減少反應(yīng)時間控制鎘粉粒徑。
圖6 不同還原時間產(chǎn)物的XRD譜Fig. 6 XRD patterns of products at different reduction times:(a)30 min; (b)60 min; (c)120 min; (d)180 min
1) 以鋅冶煉含鎘煙塵為原料,采用硫酸浸出得到含鎘浸出液,加入理論量10倍雙氧水,n(Fe)/n(As)=3,調(diào)節(jié) pH=5.5,過濾得到凈化的硫酸鎘溶液。將 0.5 mol/L的硫酸鎘溶液以5 mL/min的緩慢加料速度加入2 mol/L的NaOH溶液,終點pH=10,過濾洗滌烘干,得到平均粒徑為10.56 μm的氫氧化鎘粉體。
2) 采用H2還原 Cd(OH)2前驅(qū)體制備高純鎘粉,還原溫度和還原時間對產(chǎn)物結(jié)構(gòu)和粒徑影響較大,在還原條件為還原溫度310 ℃,還原時間120 min,氫氣流量40 L/h時,成功制備平均粒徑為49.61 μm的球形鎘粉。
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