任國峰+田豐+楊林

文章編號：16742974(2014)05000806

收稿日期：20130807

基金項目：國家自然科學基金資助項目（51275291）

作者簡介：任國峰（1982-），男，山東濟寧人，上海交通大學博士研究生

通訊聯(lián)系人，E-mail: yanglin@sjtu.edu.cn

摘 要：為了準確預估發(fā)動機控制器ECU中的功率MOSFET管的溫升情況，建立了一個針對工作于PWM脈寬調制方式下的功率MOSFET管的峰值節(jié)點溫升預測簡化模型，基于功率管的DATASHEET參數(shù)，模型可以快速地對工作于PWM調制方式下的功率管峰值節(jié)點工作溫度做出精確預測.通過試驗測量的溫升結果和模型的預測溫升結果的對比，驗證了模型的溫升預測精度，對溫升的預測最大誤差不超過2.3%.雖然溫度預測模型是基于柴油機電磁閥驅動電路，但預測模型可以很容易地擴展到其他的功率驅動電路拓撲結構.

關鍵詞：熱分析; 溫度預測; 模型; 功耗; 瞬態(tài)熱阻



中圖分類號：TK311;U495 文獻標識碼：A

Research on theTemperature Prediction 

ofPower MOSFET in ECU



REN Guofeng,TIAN Feng,YANG Lin



（Institute of Automotive Electronic Technology, Shanghai Jiaotong Univ, Shanghai 200240,China）

Abstract:A simple peak junction working temperature predicting model on the pulse width modulation working condition was established in order to accurately estimate the temperature rise of power MOSFET within engine controller. The model can make an accurate prediction of the peak junction temperature under pulse width modulation operation based on the components DATASHEET parameter. The measured temperaturerise results with experiments were provided to verify the model prediction accuracy. The prediction results match the experiment results very well and the maximum error is less than 2.3%. Although temperature prediction is based on the solenoid valve drive circuit, the analysis results can be easily extended to other power device drive circuitry topology.



Key words:thermal analysis; temperature prediction; model; power loss; transient thermal resistance



當今汽車對安全、節(jié)能環(huán)保以及舒適性、操縱穩(wěn)定性等功能的要求越來越高，使得迅速發(fā)展的電子技術在汽車領域獲得了廣泛的應用，傳統(tǒng)的機械控制系統(tǒng)逐漸被電子控制系統(tǒng)所取代，從發(fā)動機控制系統(tǒng)、動力傳動總成控制到車身和底盤控制等［1-2］.而功率MOSFET管，作為汽車中最重要的功率整流控制器件在汽車ECU內(nèi)廣泛應用.據(jù)統(tǒng)計，汽車上有60%的功率流動控制都是通過MOSFET管來實現(xiàn)的［3］.而MOSFET管在工作時會因為它的導通和開關而消耗一定的功率，消耗的功率會轉化成熱，從而造成了MOSFET管的工作溫度升高.在較高的溫度下，這些器件的可靠性會降低，工作壽命也會縮短.據(jù)美國汽車工程師協(xié)會SAE調查研究［4］，在所有引起汽車發(fā)動機ECU失效的因素當中，有40%是由于工作溫度過高而引起的.

工作于穩(wěn)態(tài)條件下的MOSFET管的溫升ΔT可以通過穩(wěn)態(tài)熱阻公式ΔT=P×Rth計算，但是ECU內(nèi)的功率管大多都工作在PWM開關脈寬調制狀態(tài)下，在開關脈沖功率作用于功率器件時，由于器件自身存在的熱容，器件的結點溫度并不會瞬時升高到峰值溫度，采用上式計算峰值節(jié)點工作溫度，會過高預測其峰值溫度.所以在發(fā)動機ECU設計開發(fā)過程中，如果能在硬件設計制作之前就對功率器件的峰值節(jié)點工作溫度作出精確預測，確保其峰值節(jié)點溫度不會超過器件允許的最高安全工作溫度限值，對于提高ECU工作的穩(wěn)定性和可靠性，縮短設計周期，降低設計成本都將具有非常重要的意義.

本文針對電控柴油機控制器ECU中的功率MOSFET管提出了一個溫度預測簡化模型，模型可以根據(jù)從器件手冊很容易獲取的一些基本參數(shù)對器件節(jié)點的峰值工作溫度快速做出精準預測，并通過試驗驗證了模型的預測精度.

1 溫度預測模型

溫度預測模型主要由兩部分組成，分別是功率管的功耗模型和瞬態(tài)熱阻模型，并基于“疊加”原理計算工作于PWM開關脈寬調制方式下的功率管峰值節(jié)點溫升.

1.1 瞬態(tài)熱阻模型

獲取功率管的瞬態(tài)熱阻最實用的方式就是測量功率管在脈沖功率激勵下的熱響應.幸運的是，幾乎每個功率器件生產(chǎn)商都會在其使用手冊上給出瞬態(tài)熱阻響應曲線圖，如圖1所示的就是恩智浦（NXP）半導體生產(chǎn)的BUK9675-100A型功率管的瞬態(tài)熱阻響應曲線簇［5］.瞬態(tài)熱阻可以表示為：

Zthj-mb(t)=Rthj-mb×1-etτth（1）

式中Rthj－mb代表穩(wěn)態(tài)熱阻，可以直接從圖上讀取，或： 

lim t→

SymboleB@

Zthj－mbt=Rthj－mb（2）

從式（1）可以看出，確定瞬態(tài)熱阻就是確定時間常數(shù)τth，這可以通過對微分ΔZth/Δt求極限獲得：

lim t→0dZthj－mbtdt=ΔZthΔt=Rthj－mbτth （3）

在不同脈沖寬度tp和不同占空比δ下的瞬態(tài)熱阻可表示為：

Ztht,δ=δ×Rth+1－δ×

Ztht+tδ+Ztht－Zthtδ（4）



圖1瞬態(tài)熱阻響應曲線簇

Fig.1 Transient thermal impedance curves family

1.2 功率管的功耗模型

功率管的功率損耗主要由兩部分組成，在打開和關閉功率MOSFET管時，管自身會消耗一定的功率，稱為開關損耗；在MOSFET管導通時，自身通過大電流，因為功率管的導電溝道有一定的導通電阻，這些電阻會消耗一定的功率，稱為阻性損耗（亦稱跨導損耗）；這兩部分功率損耗是MOSFET管功率損耗的主要組成部分，這部分功率損耗會以熱的形式釋放出來，造成器件的工作溫度升高.

Ptotal=Presistive+Pswitch（5）

一個經(jīng)典的功率管分段線性功耗模型［6-7］因為其簡單易用且在估算功率管功耗時表現(xiàn)出的優(yōu)異性能而獲得了廣泛的應用.MOSFET管的等效驅動電路如圖2所示．

功耗模型把功率管的打開和關閉波形作分段線性處理，如圖3所示.

當驅動信號加到MOSFET管的柵極（Gate），驅動電流開始給MOSFET管的門極輸入電容CGS充電（從t0時刻開始），柵極電壓VGS開始增加達到柵極的閾值電壓VGS(th)，在這段時間內(nèi)MOSFET管內(nèi)沒有形成導電溝道，也就沒有流過電流，因此也就



圖2 功率MOSFET管的等效電路

Fig.2The equivalent circuit of power MOSFET



圖3 功率MOSFET管的分段線性功耗模型

Fig.3 Piece linear approximation of power loss model

沒有功率損耗Pt1=0.當柵極電壓VGS達到閾值電壓VGS(th)時（t1時刻），這時導電溝道開始形成，輸入電容繼續(xù)充電，漏極電流ID開始隨著柵極電壓的升高而線性增加直到接近輸出負載電流ILOAD（t2時刻）；接下來，進入t3時間段，這時柵極電流全部用來給柵、漏極間電容CDG充電，漏源兩端電壓VDS開始從輸入電壓線性下降到0，負載電流ILOAD全部流過MOSFET管.在t1~t2和t2~t3時間段內(nèi)，MOSFET管漏、源極間承受著最大的跨導電壓VDS和急劇上升的負載電流ILOAD或急劇下降的跨導電壓和最大負載電流，開關損耗主要發(fā)生在這段時間內(nèi)，關斷過程亦類似，如圖3中陰影部分所示.

Eswitch=Esw－on+Esw－off=

12×VDS×ID×t3－t1+12×VDS×

ID×t9－t7（6）

打開和關閉MOSFET管的時間tsw=t3－t1可以通過下式計算：

tsw=QgateIdrive（7）

Qgate代表柵極電荷，通過直接從芯片手冊上讀取，Idrive是柵極充電電流，由使用的驅動電路結構確定.MOSFET管在導通時，其行為就像是一個低阻值的電阻，所以阻性損耗的計算是比較容易的.由歐姆定律可得：

Eresistive=I2LOAD×RON×ton（8）

這樣，在一次開關過程中，MOSFET管的功耗可以近似表示為：

Ptotal=Esw－on+Eresistive+Esw－offtsw+ton+tsw（9）

1.3 基于疊加原理計算功率管的節(jié)點溫升

當一連串的脈沖功率應用于功率管時，功率管的最大溫度往往發(fā)生在最后一個脈沖的結尾處，此時的功率管節(jié)點峰值溫度是前面所有脈沖功率作用的總和.“疊加”原理把此時的節(jié)點溫度看作是所有單個脈沖激勵的綜合響應，包括瞬態(tài)熱阻和等效功耗.

ΔTtn,end=

∑ni=1PiZthtn,end－ti,start－Zthtn,end－ti,end（10）

圖4所示是4個功率脈沖作用于功率管時，計算功率管的峰值節(jié)點溫度.

在第4個脈沖結束處（即t7時刻）的峰值節(jié)點溫升ΔT可以按下式計算：

ΔTt4,end=ΔTt7=∑4i=1PiZtht4,end－ti,start－

Ztht4,end－ti,end=

P1Ztht7－t0,t7－t0t7－t0－P1Ztht7－t1,t7－t1t7－t0+

P2Ztht7－t2,t7－t2t7－t0－P2Ztht7－t3,t7－t3t7－t0+

P3Ztht7－t4,t7－t4t7－t0－P3Ztht7－t5,t7－t5t7－t0+

P4Ztht7－t6,t7－t6t7－t0 (11)

2 模型預測精度試驗驗證

汽車控制器內(nèi)的大多數(shù)半導體功率開關器件都工作在PWM開關狀態(tài)下，提出的模型就比較適合預測這種情況下的瞬態(tài)峰值節(jié)點溫度.模型選用電控柴油機電磁閥驅動電路作為一個應用案例，來驗證模型對瞬態(tài)溫度的預測精度.

2.1 試驗方案

現(xiàn)代的電控柴油機普遍采用高速、強力電磁閥來控制燃油噴射.為了實現(xiàn)電磁閥的高速響應特性，電控柴油機電磁閥普遍采用高電壓、大電流來驅動，電控柴油機ECU的電磁閥驅動電路拓撲結構如圖5所示.電磁閥的驅動電路普遍采用雙電壓和“提升-保持”型的驅動電流，如圖6所示．開始時，用高電壓驅動電磁閥快速打開，達到提升峰值電流（15 A）時還要保持500 μs以保證針閥可靠落座，隨后，為了減小電磁閥發(fā)熱，驅動電流轉為保持電流（5 A），直到噴油脈寬結束.為了達到穩(wěn)定的驅動電流，開關功率管的PWM調制方式被廣泛采用，這會導致MOSFET管兩種主要的功耗模式，開關損耗和阻性損耗.

(a) 4個功率脈沖

(b) 等效的多個激勵脈沖

(c) 單個脈沖激勵下的節(jié)點溫度響應

(d) 疊加原理計算峰值節(jié)點溫度Tj

P1: Zth(t-t0,δ0)=Zth［(t7-t0),(t7-t0)/(t7-t0)］

P3: Zth(t-t4,δ4)=Zth［(t7-t4),(t7-t4)/(t7-t0)］

P4: Zth(t-t6,δ6)=Zth［(t7-t6),(t7-t6)/(t7-t0)］

-P2: Zth(t-t3,δ3)=Zth［(t7-t3),(t7-t3)/(t7-t0)］

-P3: Zth(t-t5,δ0)=Zth［(t7-t5),(t7-t5)/(t7-t0)］

-P1: Zth(t-t1,δ1)=Zth［(t7-t1),(t7-t0)/(t7-t0)］

(e) 對應不同脈沖下的瞬態(tài)熱阻

圖4 基于疊加原理計算功率管峰值節(jié)點溫升

Fig.4 Calculation of peak junction temperaturerise

based on superposition principle







圖5 電磁閥驅動電路拓撲結構

Fig.5 Topology structure of solenoid valve drive circuit



圖6 驅動電流波形及其等效功耗

Fig.6 The wave shape and equivalent 

power loss of drive current



MOSFET管的峰值節(jié)點溫度不但和噴油脈寬有關，還和噴油周期有關.而噴油脈寬和周期又是發(fā)動機轉速和加速踏板位置的函數(shù)，他們的關系如圖7所示，從圖中可以看出，在100%加速踏板位置處（ACCP: Accelerator pedal position），噴油脈寬最大.在一次噴油過程中，對應缸的低邊控制開關（LS1~LS6）一直打開，所以低邊開關主要產(chǎn)生阻性損耗，高壓控制開關HS80V只在提升電流的上升階段打開一段很小的時間，一旦電流達到峰值提升電流，高壓控制開關就關閉；而蓄電池控制開關HS在提升和保持電流階段一直處于PWM調制狀態(tài)，在PWM調制時，MOSFET管兩端承受著急劇變化的電壓和電流，產(chǎn)生巨大的功率損耗，并且相對于底邊控制開關（LS1~LS6，發(fā)動機一個工作循環(huán)內(nèi)開關一次），蓄電池控制開關HS在一個工作循環(huán)內(nèi)要PWM調制6次.所以，高邊開關HS是驅動電路中溫升最高的功率器件，下面的溫升分析都是基于高邊開關HS進行的.

Engine speed/(r?min-1）

圖7 不同加速踏板位置和轉速下的噴油脈寬

Fig.7 Injection pulse width under different engine 

speeds and ACCP positions



從圖6中的驅動電流波形來看，在一個噴油脈寬Tpulse內(nèi)，功率管的峰值節(jié)點溫度應出現(xiàn)在噴油脈寬結束時，這段時間內(nèi)，除去電流從0上升到提升峰值電流的時間ton和從提升峰值電流下降到保持電流的時間toff，再除以電流振蕩時的上升時間tr和下降時間tf，就可以算出在一個噴油脈寬內(nèi)等效的脈沖功率個數(shù)n.

ton=LR×ln UU－R×Ipeak(12)

toff=LR×ln IpeakIhold－ΔI(13)

tr=LR×ln U－R×IthU－R×Ith－ΔI(14)

tf=LR×ln IthIth－ΔI(15)

式中Ith代表提升和保持階段的電流峰值限值，ΔI代表電流振蕩幅度.從而在一個噴油脈寬Tpulse內(nèi)，功率管開關次數(shù)n可以表示為：

n=500 μs－tontr+tf+T－500 μs－tofftr+tf(16)

模型需要的輸入?yún)?shù)如表1所示.

表1溫度預測模型的輸入?yún)?shù)

Tab.1 The input parameter of proposed model

預測模型參數(shù)量參數(shù)值

功耗

模型

漏、源導通電阻

RDS(on)

75 mΩ

門充電荷

Qgate

15 nC

門充電流

Idrive

400 mA

高驅動電壓

Uboost

80 V

蓄電池電壓

U

24 V

提升峰值電流

Ipeak

15 A

保持峰值電流

Ihold

5 A

驅動回路電阻

R

1.2 Ω

電磁閥電感

L

800 μH

電流振蕩幅值

ΔI

1 A

瞬態(tài)熱阻模型

穩(wěn)態(tài)熱阻

Rth

1.5 K/W

微分項

ΔZth/ΔT

445

在實際測量MOSFET管的節(jié)點溫度時，不可能把一個溫度計放置到MOSFET管的節(jié)點位置處，測量MOSFET管的節(jié)點溫度一般都是通過測量管子的一個溫度敏感參數(shù)來獲得.MOSFET管體內(nèi)的并聯(lián)二極管的前向電壓降就是一個溫度敏感參數(shù)，通過測量MOSFET管體內(nèi)并聯(lián)二極管兩端的壓降就可以算出MOSFET管的節(jié)點溫度，從而得到MOSFET管的節(jié)點溫升［8］：

ΔTj－mb=Tj－Tmb=0.55－VSD0.002 39+

25－Tmb[℃](17)

其中Tmb為管子的焊接基溫度，也就是PCB板的溫度.

2.2 試驗結果

圖8是MOSFET管節(jié)點溫度測量方案，即并聯(lián)二極管前向壓降測量電路．圖9是測試臺架，包括高壓共軌柴油機控制器ECU、基于圖8方案的MOSFET并聯(lián)二極管前向壓降測量板等．表2給出了在不同發(fā)動機轉速下的MOSFET管溫升模型預測值和試驗測量值（對應100%油門開度），可見在300~2 750 r/min的發(fā)動機轉速范圍內(nèi)，模型均能對MOSFET管的溫升做出準確預測，預測誤差最大不超過2.3%，模型有比較高的預測精度.



圖8MOSFET管的節(jié)點溫度測量方案

Fig.8 Measurement schematic of MOSFET

junction temperature





圖9 溫度模型預測精度驗證的試驗臺架

Fig.9 The verification platform of proposed model



表2 模型預測和試驗測量溫升結果對比

Tab.2 Comparisons of temperaturerise between 

models and tests

發(fā)動機轉速 

/(r?min-1)

100%油門開度

試驗結果/℃模型結果/℃誤差 /%

30025.325.7

1.6

50025.926.41.9

75027.628.11.8

1 00030.130.82.3

1 25033.433.2-0.6

1 50036.336.60.8

1 75038.938.8-0.3

2 00041.341.81.2

2 25043.744.00.7

2 50044.644.70.2

2 75044.143.6-1.2

3 結 論

由于溫度對汽車控制器ECU工作穩(wěn)定性和可靠性的重要影響，所以在ECU設計制作之前對功率器件做溫度預測以確保其峰值節(jié)點工作溫度不超過最高安全工作溫度范圍，就非常有必要.基于一些從器件手冊很容易獲取的參數(shù)和具體的驅動電路結構，本文提出的預測模型可以很精確地預測出工作在PWM開關脈沖方式下的功率管峰值節(jié)點工作溫度，并且模型預測精度經(jīng)過了試驗驗證，預測誤差最大不超過2.3%.

參考文獻

［1］ 魏學哲, 戴海峰, 孫澤昌. 汽車嵌入式系統(tǒng)開發(fā)方法、體系架構和流程[J]. 同濟大學學報：自然科學版，2012, 40(7):1064-1070．

WEI Xuezhe, DAI Haifeng, SUN Zechang. Methodology, architecture and development glow of automotive embedded systems [J]. Journal of Tongji University:Natural Science, 2012, 40(7): 1064-1070.(In Chinese)

［2］ 潘旭峰, 馬彪. 汽車電子控制系統(tǒng)的核心-ECU[J].汽車電子, 1996, 16(8):21-25.

PAN Xufeng, MA Biao. ECU-the core of automotive electronic control systems [J]. Automotive Electronic, 1996, 16(8):21-25. (In Chinese)

［3］ DOSTHOSS R, KOUZANI A Z, SHEIKHOLESLAM F. Direct method for optimal power management in hybrid electric vehicles [J]. International Journal of Automotive Technology, 2011, 12(6):943-950.

［4］ REYNELL M. White Paper: U.S. Automotive electronics integrity program [R]. SAE Report,1996．

［5］ JACKS Mati, MARRY Fuack. Nchannel TrenchMOS logic level FETBUK9675100A［EB/OL］.［20110419］.http:// www. nxp. com/technicalsupportportal/appnote/AN023.pdf.

［6］ JON Klein． Synchronous buck MOSFET loss calculations with excel model [R]. USA Texas:Fairchild Semiconductors, 2006.

［7］ SPAZIANI L. A study of MOSFET performance in processor targeted buck and synchronous rectifier buck converters [C]//In Proc HFPC96. 1996:123-137.

［8］ JOCK H, MATTI L.Thermal management of power semiconductor [R]. USA Texas: Philips Semiconductors, 2005.

3 結 論

由于溫度對汽車控制器ECU工作穩(wěn)定性和可靠性的重要影響，所以在ECU設計制作之前對功率器件做溫度預測以確保其峰值節(jié)點工作溫度不超過最高安全工作溫度范圍，就非常有必要.基于一些從器件手冊很容易獲取的參數(shù)和具體的驅動電路結構，本文提出的預測模型可以很精確地預測出工作在PWM開關脈沖方式下的功率管峰值節(jié)點工作溫度，并且模型預測精度經(jīng)過了試驗驗證，預測誤差最大不超過2.3%.

參考文獻

［1］ 魏學哲, 戴海峰, 孫澤昌. 汽車嵌入式系統(tǒng)開發(fā)方法、體系架構和流程[J]. 同濟大學學報：自然科學版，2012, 40(7):1064-1070．

WEI Xuezhe, DAI Haifeng, SUN Zechang. Methodology, architecture and development glow of automotive embedded systems [J]. Journal of Tongji University:Natural Science, 2012, 40(7): 1064-1070.(In Chinese)

［2］ 潘旭峰, 馬彪. 汽車電子控制系統(tǒng)的核心-ECU[J].汽車電子, 1996, 16(8):21-25.

PAN Xufeng, MA Biao. ECU-the core of automotive electronic control systems [J]. Automotive Electronic, 1996, 16(8):21-25. (In Chinese)

［3］ DOSTHOSS R, KOUZANI A Z, SHEIKHOLESLAM F. Direct method for optimal power management in hybrid electric vehicles [J]. International Journal of Automotive Technology, 2011, 12(6):943-950.

［4］ REYNELL M. White Paper: U.S. Automotive electronics integrity program [R]. SAE Report,1996．

［5］ JACKS Mati, MARRY Fuack. Nchannel TrenchMOS logic level FETBUK9675100A［EB/OL］.［20110419］.http:// www. nxp. com/technicalsupportportal/appnote/AN023.pdf.

［6］ JON Klein． Synchronous buck MOSFET loss calculations with excel model [R]. USA Texas:Fairchild Semiconductors, 2006.

［7］ SPAZIANI L. A study of MOSFET performance in processor targeted buck and synchronous rectifier buck converters [C]//In Proc HFPC96. 1996:123-137.

［8］ JOCK H, MATTI L.Thermal management of power semiconductor [R]. USA Texas: Philips Semiconductors, 2005.

3 結 論

由于溫度對汽車控制器ECU工作穩(wěn)定性和可靠性的重要影響，所以在ECU設計制作之前對功率器件做溫度預測以確保其峰值節(jié)點工作溫度不超過最高安全工作溫度范圍，就非常有必要.基于一些從器件手冊很容易獲取的參數(shù)和具體的驅動電路結構，本文提出的預測模型可以很精確地預測出工作在PWM開關脈沖方式下的功率管峰值節(jié)點工作溫度，并且模型預測精度經(jīng)過了試驗驗證，預測誤差最大不超過2.3%.

參考文獻

［1］ 魏學哲, 戴海峰, 孫澤昌. 汽車嵌入式系統(tǒng)開發(fā)方法、體系架構和流程[J]. 同濟大學學報：自然科學版，2012, 40(7):1064-1070．

WEI Xuezhe, DAI Haifeng, SUN Zechang. Methodology, architecture and development glow of automotive embedded systems [J]. Journal of Tongji University:Natural Science, 2012, 40(7): 1064-1070.(In Chinese)

［2］ 潘旭峰, 馬彪. 汽車電子控制系統(tǒng)的核心-ECU[J].汽車電子, 1996, 16(8):21-25.

PAN Xufeng, MA Biao. ECU-the core of automotive electronic control systems [J]. Automotive Electronic, 1996, 16(8):21-25. (In Chinese)

［3］ DOSTHOSS R, KOUZANI A Z, SHEIKHOLESLAM F. Direct method for optimal power management in hybrid electric vehicles [J]. International Journal of Automotive Technology, 2011, 12(6):943-950.

［4］ REYNELL M. White Paper: U.S. Automotive electronics integrity program [R]. SAE Report,1996．

［5］ JACKS Mati, MARRY Fuack. Nchannel TrenchMOS logic level FETBUK9675100A［EB/OL］.［20110419］.http:// www. nxp. com/technicalsupportportal/appnote/AN023.pdf.

［6］ JON Klein． Synchronous buck MOSFET loss calculations with excel model [R]. USA Texas:Fairchild Semiconductors, 2006.

［7］ SPAZIANI L. A study of MOSFET performance in processor targeted buck and synchronous rectifier buck converters [C]//In Proc HFPC96. 1996:123-137.

［8］ JOCK H, MATTI L.Thermal management of power semiconductor [R]. USA Texas: Philips Semiconductors, 2005.