Vishay的Si7655DN -20V P溝道MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎(jiǎng)之最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)
2014-03-25 16:06:02
電子設(shè)計(jì)工程 2014年1期
關(guān)鍵詞：產(chǎn)品
Vishay Intertechnology, Inc.宣布其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎(jiǎng)之電源器件和模塊類最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)。
EDN China創(chuàng)新獎(jiǎng)于2005年引入國(guó)內(nèi)，以表彰在中國(guó)市場(chǎng)上的IC和相關(guān)產(chǎn)品在設(shè)計(jì)上所取得的成就。今年，共有82家公司的144款產(chǎn)品角逐9個(gè)技術(shù)門類的獎(jiǎng)項(xiàng)。EDN China的在線讀者投票選出73款提名產(chǎn)品，再由技術(shù)專家和EDN高級(jí)編輯組成的評(píng)審團(tuán)選出最終的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品。
Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3 mm x 3.3 mm封裝的-20 V P溝道MOSFET，在4.5 V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻僅為4.8 mΩ。Si7655DN還是首個(gè)采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK?1212封裝的器件，該封裝實(shí)現(xiàn)了更低的RDS(on)，同時(shí)0.75 mm的標(biāo)稱高度比前一版本封裝的高度薄28%，并保持相同的PCB布板樣式。
通過(guò)使用新的PowerPAK 1212封裝版本和Vishay Siliconix業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的P溝道TrenchFET?Gen III技術(shù)，Si7655DN實(shí)現(xiàn)了3.6 mΩ(-10 V)、4.8 mΩ(-4.5 V)和8.5 mΩ(-2.5 V)的最大導(dǎo)通電阻。這些指標(biāo)比最接近的同檔-20 V器件低17%以上。Si7655DN的低導(dǎo)通電阻使設(shè)計(jì)者能夠在其電路里實(shí)現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用電能，并延長(zhǎng)電池使用壽命，其小尺寸封裝有助于節(jié)省寶貴的空間。
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