橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）發(fā)布一系列新的先進(jìn)產(chǎn)品。新產(chǎn)品讓電源設(shè)計(jì)人員能夠提高太陽能逆變器和電動(dòng)

汽車、企業(yè)計(jì)算和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等諸多應(yīng)用的能效。

意法半導(dǎo)體率先研制出工作溫度達(dá)到200°C的高壓碳化硅（SiC）功率MOSFET。碳化硅固有屬性使其比傳統(tǒng)硅功率晶體管節(jié)能至少50%，而且器件本身的尺寸還可以變得更小，擊穿電壓變得更高。這項(xiàng)技術(shù)被視為系統(tǒng)能效、微型化和成本優(yōu)化連續(xù)改進(jìn)的一項(xiàng)重要開發(fā)。

碳化硅MOSFET晶體管還能用于太陽能逆變電源，代替?zhèn)鹘y(tǒng)的高壓硅IGBT（絕緣柵雙極晶體管），將太陽電池的直流電轉(zhuǎn)變成交流電并入電網(wǎng)，無需任何特殊的驅(qū)動(dòng)電路。此外，因?yàn)楣ぷ黝l率高于IGBT，碳化硅MOSFET可縮減電源設(shè)備的其它元器件的尺寸，從而降低電源成本，提高能效。

在電動(dòng)汽車領(lǐng)域，碳化硅器件有望大幅提高能效，降低汽車動(dòng)力系統(tǒng)的尺寸。作為美國能源部與汽車工業(yè)的合作組織，美國汽車動(dòng)力系統(tǒng)電氣電子技術(shù)研發(fā)小組呼吁，到2020年，將汽車動(dòng)力系統(tǒng)能耗降低大約二分之一，同時(shí)降低尺寸至少20%。該小組的開發(fā)路線圖計(jì)劃將寬帶隙半導(dǎo)體材料即碳化硅技術(shù)列為提高功率轉(zhuǎn)換效率的重點(diǎn)技術(shù)，并使該項(xiàng)技術(shù)能夠在更高的工作溫度下更安全可靠地工作。與普通硅器件和競爭對(duì)手的碳化硅MOSFET相比，意法半導(dǎo)體的碳化硅器件耐溫性能更高（200°C），從而有助于簡化汽車?yán)鋮s系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。

咨詢編號(hào)：2014081002