盧福華,周海濤,張昌龍,霍漢德,王金亮,覃世杰,左艷彬,周衛(wèi)寧

(中國(guó)有色桂林礦產(chǎn)地質(zhì)研究院有限公司,國(guó)家特種礦物材料工程技術(shù)研究中心廣西桂林541004)

KTiOAsO晶體的水熱法生長(zhǎng)①4

盧福華,周海濤,張昌龍,霍漢德,王金亮,覃世杰,左艷彬,周衛(wèi)寧

(中國(guó)有色桂林礦產(chǎn)地質(zhì)研究院有限公司,國(guó)家特種礦物材料工程技術(shù)研究中心廣西桂林541004)

文章報(bào)道了水熱法生長(zhǎng)KTiOAsO4晶體的結(jié)果,結(jié)果表明,以KH2AsO4和TiO2為培養(yǎng)原料, 2mol/L KF為礦化劑,生長(zhǎng)出了尺寸可達(dá)19×20×12mm3(a×b×c)的KTA晶體,晶體沿(011)方向的生長(zhǎng)速度為0.10mm/d,晶體的透過(guò)率測(cè)試結(jié)果表明:晶體在450nm～2500nm波段內(nèi)透過(guò)率60%以上。

水熱法;KTiOAsO4;透過(guò)率

1 引言

砷酸鈦氧鉀KTiOAsO4(簡(jiǎn)稱KTA)晶體是KTiOPO4(KTP)晶體家族中的一員,同時(shí)也是一種性能良好的激光倍頻材料,具有優(yōu)異的非線性光學(xué)性能,如較高的非線性光學(xué)系數(shù),光電轉(zhuǎn)換系數(shù)大,很高的激光損傷閾值,較低的相位匹配溫度敏感性,較大的角度帶寬和穩(wěn)定的相位匹配等特性[1]。KTA晶體具有KTP晶體的大部分優(yōu)點(diǎn),同時(shí)在二次倍頻轉(zhuǎn)換效率、電光特性和離子導(dǎo)電率等方面又有許多不同[2,3],其實(shí)用價(jià)值很大。到目前為止已經(jīng)有很多科學(xué)技術(shù)工作者對(duì)KTA晶體的生長(zhǎng)、性質(zhì)以及鐵電疇等缺陷問(wèn)題進(jìn)行了系統(tǒng)研究[4,5]。由于KTA晶體是一種多疇晶體,采用助溶劑法生長(zhǎng)難以避免各種缺陷,特別是疇的存在,所以要想獲得缺陷少,質(zhì)量好的KTA晶體較為困難[1,6],這就要求我們尋找新的方法生長(zhǎng)出質(zhì)量更好的KTA晶體。

水熱法具有生長(zhǎng)溫度低、晶體在低過(guò)飽和度下結(jié)晶,生長(zhǎng)的晶體具有應(yīng)力小、質(zhì)量好的特點(diǎn),這將有助于改善晶體的理想配比關(guān)系、提高晶體的均勻性及完整性,有利于提高晶體的光學(xué)質(zhì)量、抗光學(xué)損傷能力等。因此采用水熱法生長(zhǎng)KTA晶體有可能解決助熔劑法存在的問(wèn)題,使KTA晶體這一材料得到廣泛應(yīng)用,這將促進(jìn)我國(guó)晶體材料以及中遠(yuǎn)紅外全固態(tài)激光器的發(fā)展,為我國(guó)的軍事、工業(yè)等現(xiàn)代化做出貢獻(xiàn)。

本文報(bào)道了采用水熱法,在以KH2As O4和TiO2為培養(yǎng)料,2mol/L KF為礦化劑的條件下,生長(zhǎng)KTA晶體的結(jié)果。

2 晶體生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)

2.1 實(shí)驗(yàn)裝置

水熱法生長(zhǎng)KTA晶體的過(guò)程是在Φ38× 700mm3高壓釜中進(jìn)行的,高壓釜裝置結(jié)構(gòu)基本原理圖如文獻(xiàn)[7]報(bào)道中所示。

2.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果

實(shí)驗(yàn)中我們采用KH2AsO4和TiO2為培養(yǎng)原料,培養(yǎng)原料按照化學(xué)反應(yīng)方程式(1)進(jìn)行配料,晶體生長(zhǎng)的有關(guān)工藝參數(shù)如表1所示。

表1 水熱法生長(zhǎng)KTA晶體的有關(guān)工藝參數(shù)Table 1 Related process parameters of the growth of KTA crystal by hydrothermal technique

在此生長(zhǎng)條件下,生長(zhǎng)出比較透明、無(wú)色、外形良好、尺寸達(dá)到19×20×12mm3(a×b×c)的KTA晶體,如圖1所示。KTA晶體沿(011)面的生長(zhǎng)速度為0.10mm/d。

圖1 水熱法生長(zhǎng)的KTA的晶體Fig.1 KTA crystal grown by hydrothermal method

2.3 晶體透過(guò)率曲線

我們把水熱法生長(zhǎng)的KTA晶體//(011)方向切割出了質(zhì)量比較好的1.8mm厚的薄片,經(jīng)過(guò)研磨拋光后,采用LAMBDA900分光光度計(jì)測(cè)試了KTA晶體在200～3000nm波段透過(guò)率,透過(guò)率曲線如圖2所示。從圖2可以看出,KTA晶體的透過(guò)率在450nm～2500nm波段內(nèi)曲線比較平坦,其透過(guò)率在60%以上,這說(shuō)明所生長(zhǎng)的KTA晶體的光學(xué)透過(guò)率性能比較好。

圖2 水熱法KTA晶體的透過(guò)率曲線Fig.2 Transmittance curve of KTA crystal grown by hydrothermal method

從圖2中還可以看出水熱法生長(zhǎng)的KTA晶體在約2700nm波段附近存在一個(gè)比較強(qiáng)的吸收峰,該吸收峰是由OH-引起的,這和水熱法生長(zhǎng)的KTP晶體的透過(guò)率曲線相似[7]。這主要是由于水熱法生長(zhǎng)晶體的過(guò)程中,礦化劑溶液中的水分子,在高溫高壓條件下分解后OH-離子進(jìn)入晶格中造成的,這是水熱法生長(zhǎng)晶體的共性。

3 結(jié)果與討論

3.1 結(jié)晶形貌

在水熱法生長(zhǎng)KTA晶體實(shí)驗(yàn)中,我們采用的是//(011)的籽晶進(jìn)行KTA晶體的生長(zhǎng),其形貌如圖3所示。從圖3中可以看出,KTA晶體顯露的晶面有:平行雙面(100),雙面e(011),r(101)和斜方柱(210)等,由于其中(001)和(010)生長(zhǎng)速度最快,完全消失。從圖中可以看出,水熱法和熔鹽法生長(zhǎng)的KTA晶體的形貌基本一致[8]。

圖3 水熱法KTA晶體結(jié)晶形態(tài)Fig.3 Crystal form of KTA crystal grown by hydrothermal method

3.2 自發(fā)成核

在實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn):在黃金襯套管的內(nèi)壁上端有比較多的自發(fā)成核晶粒(見(jiàn)圖4所示),其XRD測(cè)試圖如圖5所示,從圖中可以看出,雖然有少許雜質(zhì)峰,但是其主要衍射峰與KTA標(biāo)準(zhǔn)PDF卡片圖譜吻合得比較好,由此可以確定該自發(fā)成核晶粒主要成分為KTA,這說(shuō)明KF對(duì)培養(yǎng)料的溶解能力比較好,因此采用KF試劑可以作為水熱法生長(zhǎng)KTA晶體的一種礦化劑。

圖4 自發(fā)成核晶粒Fig.4 Crystals by spontaneous nucleation

圖5 自發(fā)成核晶粒的XRDFig.5 The XRD of ctystals by spontaneous nucleation

4 結(jié)論

以2mol/L KF作為礦化劑,KH2AsO4和TiO2為培養(yǎng)料,在水熱條件下生長(zhǎng)出了尺寸為19×20× 12mm3(a×b×c)mm3的KTA晶體,這為KTA晶體的生長(zhǎng)提供了一種新的方法,這既增加了KTA晶體的生長(zhǎng)方法,同時(shí)也為更好的研究KTA晶體的性能打下良好的基礎(chǔ)。

[1] 牟其善,劉希玲,馬長(zhǎng)勤,等.KTiOAsO4晶體的生長(zhǎng)缺陷研究[J].無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào),2000(15):584-588.

[2] Bierlein J D,Vanherzeele H.Appl Phys Lett.,1989(54):783-784.

[3] Cheng L K,Cheng L T,Bierlein J D,et al.Appl Phys Left, 1993(62):346-48.

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[5] 魏景撳,王繼揚(yáng),劉耀崗,等.KTiOAsO4晶體的生長(zhǎng)和性質(zhì)研究[J].人工晶體學(xué)報(bào),1994(2):95-100.

[6] 牟其善,劉希玲,李可,等.KTiOAsO4晶體的鐵電疇與位錯(cuò)的多種實(shí)驗(yàn)方法研究[J].人工晶體學(xué)報(bào),2000(29):360-362.

[7] Zhang Chang-long,et al.Growth of KTP crystals with high damage threshold by hydrothermal method[J].Journal of Crystal Growth,2006,292:364-367.

[8] H.G.Gallagher,et al.Crystal growth and characterization of KTiOAsO4[j].Journal of Crystal Growth,2001,224:303-308

KTiOAsO4Crystal Grown by Hydrothermal Technique

LU Fu-hua,ZHOU Hai-tao,ZHANG Chang-long,HUO Han-de,WANG Jin-liang,
QIN Shi-jie,ZUO Yan-bin,ZHOU Wei-ning (National Engineering Research Center for Special Mineral Materials,China Nonferrous Metal(Guilin)Geology and Mining Co.,Ltd.,Guilin 541004)

The KTA crystal grown by hydrothermal technique has been reported in this article.The result shows that the KTA crystal of a size up to 19×20×12mm3(a×b×c)has been obtained by using KH2AsO4and TiO2as cultivating materials and 2mol/L KF as mineralizer.The growth rate of KTA crystal along(011)was 0.10mm/d.The transmittance test of the crystal shows a result of over 60%between the waveband of 450nm～2500nm.

hydrothermal technique;KTiOAsO4;transmittance

TQ164

A

1673-1433(2014)05-0042-03

2014-12-16

盧福華(1981-),男,廣西桂林人,工程師,研究方向:水熱法人工晶體的生長(zhǎng)。

科研院所技術(shù)開(kāi)發(fā)研究專項(xiàng)資金(2008EG115059)

張昌龍,教授級(jí)高工,E-mail:zhchl@rigm.ac.cn