日前，Vishay Intertechnology,Inc.宣布，推出新的500 V家族里首款MOSFET---SiHx25N50E，該器件具有與該公司600 V和650V E系列器件相同的低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗優(yōu)點。新器件的低導(dǎo)通電阻和柵極電荷在高功率、高性能的消費類產(chǎn)品、照明應(yīng)用和ATX/桌面PC機開關(guān)電源（SMPS）里將起到節(jié)能的重要作用。

Vishay Siliconix SiHx25N50E 500 V MOSFET使用第二代超級結(jié)技術(shù)，為采用高性能平面技術(shù)的Vishay現(xiàn)有500V D系列器件補充了高效率產(chǎn)品。這些25 A器件的導(dǎo)通電阻為145 mΩ，提供TO-220(SiHP25N50E)、TO-247AC(SiHG25N50E)和細(xì)引線的TO-220 FULLPAK（SiHA25N50E）等多種封裝選項，這些低外形封裝適用于薄型消費類產(chǎn)品。

新的MOSFET具有57nC的超低柵極電荷，柵極電荷與到導(dǎo)通電阻乘積也較低，該參數(shù)是功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用里MOSFET的優(yōu)值系數(shù)（FOM）。與Vishay的600 V和650 V E系列器件類似，500 V技術(shù)具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)化的開關(guān)速度，能夠提高功率因數(shù)校正（PFC）、雙開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器和反激轉(zhuǎn)換器應(yīng)用里的效率和功率密度，器件符合RoHS，可承受雪崩和開關(guān)模式里的高能脈沖，保證極限值通過100%UIS測試。