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        狹縫波導硅基微環(huán)生物傳感器特性分析

        2014-03-23 01:10:03王卓然袁國慧林志遠
        儀表技術與傳感器 2014年1期

        高 亮,王卓然,袁國慧,王 維,林志遠

        (電子科技大學光電信息學院 電子薄膜與集成器件國家重點實驗室,四川成都 610054)

        0 引言

        光學傳感器在如醫(yī)學藥品分析、食品安全控制、環(huán)境監(jiān)測等諸多領域具有廣泛的應用前景。和有標記光學傳感技術相比,無標記光學傳感方式具有結構簡單、成本低廉、可在線監(jiān)測等優(yōu)勢,因此定量的進行無標記探測近年來已引起了學術界和工業(yè)界的廣泛關注。至今,已經(jīng)陸續(xù)出現(xiàn)了多種無標記光學生化傳感器,如MZI傳感器[1],表面等離子體傳感器[2]等,但由于傳感原理的不同,上述傳感器具有各自固有的缺點,如尺寸較大、制作困難等。

        基于消逝場傳感的微環(huán)傳感器,具有結構緊湊、傳感靈敏度高等優(yōu)勢,回音壁諧振效應等效于延長了傳感長度,可使器件結構微型化,易于實現(xiàn)傳感器陣列;同時器件高品質因子的特點有利于實現(xiàn)高的探測性能,因此微環(huán)傳感器具有極其廣闊的應用前景。在絕緣體上硅片(Silicon-on-Isolator,SOI)材料上制作微環(huán)諧振腔利用了現(xiàn)有的超大規(guī)模集成電路互補金屬氧化物半導體(CMOS)工藝,可達到實現(xiàn)批量生產(chǎn)、顯著降低器件成本的目的,目前微環(huán)傳感器的靈敏度大概為70nm/RIU[3]左右。

        2004年,康奈爾大學Lipson課題組提出了狹縫波導[4]的概念,并指出其可應用于傳感領域。2008年,康奈爾大學Jacob T.Robinson等報道了用于氣體探測的狹縫波導傳感器[5],由于光場被限制在充滿待測物質的低折射率狹縫區(qū)域,可使光和物質之間的相互作用顯著增強,靈敏度也隨之提高到490 nm/RIU量級。

        文中集中了狹縫波導與微環(huán)諧振腔各自的優(yōu)勢,研究了基于SOI材料的垂直狹縫波導的高靈敏度微環(huán)傳感器,分析了包括微環(huán)耦合區(qū)長度、耦合間距、側向失配量、非對稱系數(shù)等在內的關鍵幾何參數(shù)對器件傳感性能的影響,并利用時域有限差分法(FDTD)對器件結構進行了詳盡的計算,指明了在不同參量變化情況下器件傳感性能優(yōu)化的途徑。

        1 基于單狹縫波導的微環(huán)傳感器

        普通的微環(huán)傳感器(Ring Resonator Biosensor, RRB)的探測性能并不十分理想,尤其是靈敏度不是非常高。通常有兩個途徑來提高器件的性能:一種方法是盡量減小器件彎曲與傳輸損耗,從而提高傳感器的品質因子,增加傳感系統(tǒng)的信噪比;另一種方法是通過增強光與物質之間的相互作用,增加諧振波長的漂移量,提高傳感器的靈敏度。文中從后者入手,研究了一種基于SOI的垂直狹縫波導微環(huán)傳感器(Slot-Waveguide based Ring Resonator Biosensor,SWRRB),該跑道型微環(huán)傳感器的結構如圖1所示,包括了兩個半圓環(huán)的波導以及兩個水平耦合的直波導,微環(huán)的半徑大約為5 μm,器件波導均為狹縫波導。通過對狹縫波導結構的優(yōu)化,確定了狹縫波導的最優(yōu)結構參數(shù),加狹縫波導結果即當狹縫兩側的硅波導寬度W2為210 nm,狹縫的高度H為220 nm,狹縫寬度W1為100 nm時,狹縫區(qū)域的功率與入射功率之比可以達到最大值,如圖2所示,光場主要被限制在狹縫區(qū)域,硅波導中光場很弱。待測流體(可為液體或氣體)從SWRRB的上包層流過。

        (a)基于SOI的狹縫波導微環(huán)傳感器圖

        (b)傳感器截面圖

        圖2 狹縫波導電場強度分布圖

        采用時域有限差分(FDTD)的方法分析并優(yōu)化了SWRRB器件幾何形狀的關鍵參數(shù)對傳感性能的影響,包括了微環(huán)諧振腔的耦合長度、耦合間距、側向失配量、非對稱系數(shù)等。

        1.1微環(huán)諧振腔耦合區(qū)長度的優(yōu)化

        為了實現(xiàn)傳感器的微型化,將微環(huán)諧振腔半徑設為5 μm,微環(huán)諧振腔的耦合長度Lc初始值為0 μm、耦合間距G初始值為100 nm、側向失配量DL初始值為0 nm、非對稱系數(shù)A初始值為0.5。

        首先分析了在不同耦合區(qū)長度Lc的條件下傳感器的輸出響應曲線(圖3),發(fā)現(xiàn)當Lc為0~2 μm時,傳感器輸出功率大,但是消光比低、品質因子??;當Lc為4~5 μm時,傳感器輸出功率很小,說明此時耦合進微環(huán)諧振腔的功率較低,不利于探測;當Lc為3 μm時,傳感器輸出功率大、品質因子高,此時傳感器具有很好的傳感特性。

        圖3 不同耦合長度條件下的透射譜

        1.2微環(huán)諧振腔耦合間距的優(yōu)化

        當Lc固定為3 μm后,分析了在不同的耦合間距G下傳感器的性能特性,圖4是在不同G的條件下傳感器輸出端口的響應曲線,當G選在60~70 nm時,傳感器具有較高的品質因子,但是輸出功率?。划擥在90~120 nm時,傳感器輸出功率變大,但是同時消光比變低、品質因子減小,說明G不宜過大或過小;只有當G為80 nm時,傳感器的透射譜具有很高的消光比、品質因子高,同時輸出功率大。因此將傳感器的耦合間距定為80 nm.

        圖4 不同耦合間距條件下的透射譜

        1.3微環(huán)諧振腔側向失配量的優(yōu)化

        由于環(huán)形腔在彎曲波導和直波導結合處的光模式并不匹配,因此引入側向失配量DL的概念,delta是半微環(huán)波導與側向耦合區(qū)波導之間的一個水平偏移量。當Lc與G分別固定為3μm和80 nm后,分析了在不同DL的情況下傳感器的輸出端口的響應曲線(圖5)。當DL在-5 nm時,傳感器的輸出功率最大;當DL為10 nm時,傳感器的透射譜具有很高的消光比,但是輸出功率較?。划擠L繼續(xù)增加的時候,光耦合損耗進一步加大,輸出功率進一步減小。因此將傳感器的側向失配量選為-5 nm.

        圖5 不同側向失配量條件下的透射譜

        (a)狹縫波導微環(huán)傳感器的模場圖

        (b)不同NaCl溶液的折射率與傳感器諧振峰位置之間的關系

        通過以上的模擬優(yōu)化,得到一種SWRRB的結構,利用FDTD方法分析了器件的模場圖,光從圖6(a)左上角直波導側入射,滿足諧振條件的光從右下方直波導輸出。通過圖6(a)可以看出光功率主要被限制在狹縫區(qū)域,這使得光和物質之間的相互作用大大加強。為了進一步分析器件性能,我們讓不同濃度的氯化鈉(NaCl)溶液[6]流過傳感器的上包層,同時觀測輸出波導端口的光功率大小。圖6(b)表明在不同濃度的NaCl溶液作為待測流體的條件下,傳感器響應曲線的諧振峰位置與NaCl溶液折射率之間的關系。數(shù)值分析結果表明,在對上述幾何參數(shù)進行優(yōu)化設計后,靈敏度達到594 nm/RIU左右,品質因子Q為430,自由光譜范圍(FSR)為25.6 nm.此SWRRB對比傳統(tǒng)的微環(huán)傳感器(典型的靈敏度約為70 nm/RIU),靈敏度提高了近8倍。性能提高的主要原因是由于狹縫區(qū)域的存在,使得準TE模被很好的限制在狹縫區(qū)域,導致光和物質之間的相互作用大大增強,從而顯著地提高了器件的傳感性能。

        1.4微環(huán)諧振腔非對稱系數(shù)的優(yōu)化

        雖然上述傳感器的靈敏度很高,但輸出端口的功率與品質因子并不是很高。在研究中發(fā)現(xiàn),由于微環(huán)諧振腔彎曲波導的存在,光波的模場并不是中心對稱的,因此可以從這點入手對SWRRB再次優(yōu)化,這里引入了非對稱系數(shù)的概念,非對稱系數(shù)A(0

        2 結語

        從器件幾何參數(shù)優(yōu)化的角度出發(fā)研究了基于SOI的無標記SWRRB,數(shù)值分析表明,這種微環(huán)單狹縫傳感器在耦合長度為3 μm、耦合間距為80 nm、側向失配量為-5 nm、非對稱系數(shù)為0.5時,傳感器的靈敏度大小可達594 nm/RIU,自由光譜范圍為25.6 nm,品質因子為430,比傳統(tǒng)的微環(huán)傳感器的靈敏度提高將近8倍。這種光學傳感器件與其他傳感器相比,具有尺寸微小、靈敏度高、與CMOS工藝兼容、無標記探測等優(yōu)點,因此將在生物分子探測和有害氣體探測方面具有很高的理論研究、實用價值和廣闊的發(fā)展前景。

        參考文獻:

        [1]DENSMORE A.A silicon-on-insulator photonic wire based evanescent field sensor.IEEE Photonics Technology,etters,2006,18(23):2520-2522.

        [2]NEMOVA G,KASHYAP R.Theoretical model of a planar integrated refractive index sensor based on surface plasmon-polariton excitation with a long period grating.Optical Society of America,2007,24:2696-2701.

        圖7 不同非對稱系數(shù)下傳感器輸出響應曲線

        圖8 非對稱系數(shù)為0.7時傳感器的模場分布圖

        [3]DE VOS K,BARTOLOZZI I,SCHACHT E,et al.Silicon-on-insulator microring resonator for sensitive and label-free biosensing.Optics Express,2007,15(12):7610-7615.

        圖9 NaCl溶液的折射率與傳感器諧振峰位置之間的關系

        [4]JACOB T R,CHE L,MICHAL.On-chip gas detection in silicon optical microcavities.Optics Express,2008,16(6).

        [5]XU Q F,VILSO R A,ROBERTO R P,et al.Experimental demonstration of guiding and confining light in nanometer-size low-refractive-index material.Optics,etters,2004,29(14 ).

        [6]SU H,HUANG X G.Fresnel-reflection-based fiber sensor for on-line measurement of solute concentration in solutions.Sensors and Actuators B-Chemical,2007,126:579-582.

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