鄭雪曉
(中國西南電子技術(shù)研究所,成都 610036)
相控陣天線具有掃描速度快、跟蹤精度高、抗過載能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),但大量TR組件組陣,特別是高頻段天線(Ku頻段以上)由于其總體積小、陣元間距小、芯片效率不高[1]而導(dǎo)致的發(fā)熱量大造成了熱流密度極高。對(duì)于最新的大功率芯片來說,熱流密度已經(jīng)遠(yuǎn)超過了100W/cm2[2]。散熱成為了相控陣天線的重要問題,也是亟待解決的關(guān)鍵技術(shù)。
對(duì)于彈載天線來說,還面臨多工況問題。彈載電子產(chǎn)品由于其平臺(tái)條件限制,多數(shù)情況下無法采用強(qiáng)迫冷卻,部分產(chǎn)品平臺(tái)還會(huì)通過傳導(dǎo)或熱輻射的方式對(duì)設(shè)備加熱,因此需要在幾十秒到幾分鐘不等的時(shí)間內(nèi)對(duì)設(shè)備完成短時(shí)溫控。然而,為了滿足產(chǎn)品出廠之前的地面試驗(yàn),他機(jī)掛飛,以及交付以后的在線維護(hù)維修,需要有一套冷卻系統(tǒng)對(duì)設(shè)備實(shí)施長時(shí)間的穩(wěn)態(tài)散熱。為了保證設(shè)備技術(shù)狀態(tài)和技術(shù)穩(wěn)定性,在瞬態(tài)熱控和穩(wěn)態(tài)散熱工況切換時(shí),不能拆卸天線陣面,因此需要設(shè)計(jì)一套可快速更換散熱器的熱控解決方案。根據(jù)文獻(xiàn)介紹[3-5],目前相控陣天線的散熱主要還是采用風(fēng)冷以及液冷的方式,彈載相控陣天線的散熱方式采用相變材料儲(chǔ)熱器或其他熱沉形式,而考慮到使用平臺(tái)特點(diǎn)在穩(wěn)態(tài)散熱和瞬態(tài)熱控不同工況下切換的熱控方案很少提及。
為了滿足彈載產(chǎn)品多工況適應(yīng)性熱控,在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)就要考慮相控陣組陣方案,TR組件結(jié)構(gòu)形式、散熱系統(tǒng)均要進(jìn)行適應(yīng)性設(shè)計(jì),以滿足上述要求。
考慮到天線陣面的熱流密度,擬采用強(qiáng)迫式液冷散熱形式。在此基礎(chǔ)上相控陣天線常用結(jié)構(gòu)模型有如下3種:TR組件兩側(cè)散熱、穿通液冷[4]以及頂部散熱,如圖1所示。兩側(cè)散熱的結(jié)構(gòu)形式主要適用于陣元規(guī)模不大、尺寸小、頻段高的設(shè)備;穿通液冷可用于大陣面,但由于液冷通道更換需拆解天線陣面,而不更換則會(huì)造成設(shè)計(jì)冗余降低彈載產(chǎn)品的可靠性;頂部散熱可用于陣元規(guī)模大的設(shè)備,但直接采用冷板液冷,則會(huì)造成冗余設(shè)計(jì),如結(jié)合環(huán)路熱管則可較好地解決問題。本方案針對(duì)的彈載設(shè)備陣元數(shù)量在256陣,屬于小規(guī)模陣列天線,因此選用方案1。
圖1 相控陣天線陣列散熱結(jié)構(gòu)Fig.1 The radiating structure of phased-array antenna
天線陣面射頻前端由天線、TR組件、功分和差器、波控器、收發(fā)校正前端組成,天線陣面與TR組件、TR組件與功分和差器通過高頻盲插接插件進(jìn)行電氣互聯(lián)。由于陣面規(guī)模較小,考慮將和差功分器、波控器和結(jié)構(gòu)承載部件一體化設(shè)計(jì)形成多功能部件。陣面左右側(cè)設(shè)計(jì)為可更換散熱器,其結(jié)構(gòu)布局如圖2所示。
圖2 射頻前端示意圖Fig.2 The structure of RF front-end
如圖2所示,在TR組件陣列兩側(cè)面為基于楔形鎖緊導(dǎo)軌的可更換熱沉,通過結(jié)構(gòu)導(dǎo)軌滑入支架當(dāng)中。鎖緊機(jī)構(gòu)在導(dǎo)軌與TR組件之間提供正壓力進(jìn)行鎖緊,同時(shí)提高TR組件加工精度,使外形尺寸達(dá)到±0.05mm;TR組件與安裝基面之間采用銷釘定位提高安裝精度,在換熱器與TR組件接觸處粘貼高導(dǎo)熱系數(shù)襯墊,在正壓力的作用下,填補(bǔ)TR組件外形的加工誤差,和組陣后的裝配誤差連接熱路。為了增加換熱效率,液冷模塊內(nèi)部采用“蛇”形結(jié)構(gòu),相變儲(chǔ)熱器內(nèi)部采用“田”或“目”字結(jié)構(gòu),用于強(qiáng)化傳熱,提高換熱效率?,F(xiàn)場可更換換熱器結(jié)構(gòu)形式如圖3所示。
圖3 現(xiàn)場可更換換熱器Fig.3 The structure of heat disspator
在地面聯(lián)式、暗室測試、他機(jī)掛飛以及交付后定期測試過程中,使用外部強(qiáng)迫液冷的形式進(jìn)行冷卻。正式交付后可在不維護(hù)陣面的情況下松開鎖緊器,從陣面前方抽出換熱器,改用相變材料儲(chǔ)熱裝置,從而實(shí)現(xiàn)短時(shí)瞬態(tài)溫控。由于導(dǎo)熱襯墊材質(zhì)柔軟,且有一定粘性,為易損件,反復(fù)使用后若出現(xiàn)較大變形,應(yīng)及時(shí)更換。
彈載平臺(tái)上通常情況沒有其他散熱條件,且工作時(shí)間不長,往往設(shè)備在未達(dá)到熱平衡之前就已經(jīng)完成工作,因此主要考慮采用熱沉散熱。相較于傳統(tǒng)金屬熱沉,相變材料由于其相變潛熱大的特點(diǎn)越來越廣地使用于電子設(shè)備瞬態(tài)熱控領(lǐng)域。本方案擬采 用 相 變 潛 熱 為171.4 kJ/kg、導(dǎo) 熱 系 數(shù)為4.525 W/m·K的石墨石蠟復(fù)合相變材料(PCM)。該相變材料是采用“液相浸滲法”,利用膨脹石墨對(duì)石蠟良好的吸附性能所制備出的石墨/石蠟復(fù)合PCM[6],具有儲(chǔ)熱密度大、導(dǎo)熱系數(shù)相對(duì)較高,且無液體泄漏和流動(dòng)問題,其相變過程體積變化小,價(jià)格相對(duì)較低的優(yōu)點(diǎn)。在吸熱過程中,相變材料溫度沒有明顯升高,卻能吸收大量熱量,非常適合在允許升溫很小的情況下的電子設(shè)備散熱。結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)將相變材料儲(chǔ)熱器結(jié)構(gòu)外形與液冷散熱通道結(jié)構(gòu)外形進(jìn)行統(tǒng)一化設(shè)計(jì),最終與系統(tǒng)形成相同的結(jié)構(gòu)模型。
由于瞬態(tài)工況下采用了PCM材料,因此在瞬態(tài)熱設(shè)計(jì)時(shí)主要考慮PCM儲(chǔ)熱器的計(jì)算,從而得到相應(yīng)的設(shè)計(jì)依據(jù)。
(1)相變散熱數(shù)學(xué)模型
在本方案中,由于采用了石墨基復(fù)合相變PCM,可忽略固液界面流動(dòng)問題,因此描述相變簡化為建立起 PCM 熔化前比熱 Cp-solid、Cp-liquid,等效比熱Ceffective,及其融化以及熔解熱、熔點(diǎn)之間的關(guān)系,即為等效比熱法,數(shù)學(xué)表達(dá)式為
式中,h為PCM材料的潛熱,δT為PCM的相變溫度范圍。
焓法數(shù)學(xué)模型是相變散熱最常用的數(shù)學(xué)模型,由于不考慮內(nèi)熱源,其能量控制方程[7]為
固、液相溫度和焓的關(guān)系可表示為
式中,ρ為密度,h為比焓,k為導(dǎo)熱系數(shù),T為溫度,下標(biāo)s和l分別表示固相和液相。
由于采用復(fù)合相變材料無固液界面,因此焓法的進(jìn)一步描述可表示為
等效比熱和焓法的主要區(qū)別是在能量方程中,焓法使用焓來取代原來能量方程中的溫度T,將H和T一起作為待求函數(shù),在整個(gè)區(qū)域(包括液相區(qū)、固相區(qū)和兩相區(qū))建立一個(gè)統(tǒng)一的能量方程,利用數(shù)值解法求得熱焓和溫度分布。因此,等效比熱法控制方程可表示為
其中,溫度T和焓H的關(guān)系如下:
其中,∈定義為相變溫度范圍的一半,λ(J/kg)為相變潛熱,Hs和Hl分別為固相液相的比焓。
可見T和H都是線性關(guān)系,在數(shù)學(xué)上有相似的解。等效比熱法是直接對(duì)Cp進(jìn)行賦值處理,焓法是通過一個(gè)線性表達(dá)式,并引入H,實(shí)際上,通過對(duì)H的定義,間接地對(duì)Cp進(jìn)行了處理。
實(shí)際在數(shù)值計(jì)算時(shí),對(duì)熔點(diǎn)位置的PCM區(qū)域材料賦予高等效比熱,并在該位置處達(dá)到一定溫度后恢復(fù)相應(yīng)PCM液相時(shí)的比熱,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)PCM的模擬。采用該模型,使得數(shù)值模擬消耗大幅降低,且計(jì)算精度一般能滿足工程需求。
(2)相變材料吸熱總量計(jì)算
設(shè)計(jì)時(shí),需預(yù)先判斷相變材料填入總量是否滿足要求。由于材料相變過程中,設(shè)備對(duì)外或多或少存在熱交換,因此這個(gè)過程相對(duì)復(fù)雜。工程實(shí)際應(yīng)用時(shí)可通過先進(jìn)行粗略估算后再對(duì)模型進(jìn)行仿真驗(yàn)證,從而解決這個(gè)問題。估算相變材料吸熱總量可根據(jù)公式
其中,Cp1為相變潛熱,Cp2為比熱容。
天線模塊中包含了256個(gè)GaAs芯片,每塊芯片的熱耗均為:發(fā)射功耗2.4 W,占空比35%;接收功耗0.2 W,占空比65%。經(jīng)過計(jì)算,穩(wěn)態(tài)計(jì)算時(shí)每塊芯片的平均熱耗均為0.97 W,整個(gè)模塊上的總熱耗為248.32 W,器件主要熱物理特性如表1所示。穩(wěn)態(tài)仿真時(shí),模塊的整體CFD模型和流道結(jié)構(gòu)分別如圖4所示,模塊兩側(cè)的流道采用直通叉流的模式。根據(jù)產(chǎn)品平臺(tái)要求,初始環(huán)境溫度均為70℃。穩(wěn)態(tài)仿真的散熱方式為液冷式,工質(zhì)選擇65號(hào)防凍液(乙二醇與水的混合物),根據(jù)試驗(yàn)時(shí)地面可能的外部溫度情況將入口處工質(zhì)溫度保持在35℃,根據(jù)熱流密度設(shè)置每根管道的水流量均為2 L/min。
表1 器件主要熱物理特性Table 1 The heat characteristics of the devices
圖4 熱仿真模型Fig.4 The model of thermal simulation
仿真結(jié)果如圖5所示。
圖5 穩(wěn)態(tài)熱仿真結(jié)果Fig.5 The result of steady-state thermal simulation
芯片槽溫為仿真結(jié)果中的芯片與殼體貼合面溫度T1與單個(gè)芯片內(nèi)部溫升之和,可根據(jù)公式T=T1+θJC·W得出。由計(jì)算可知,此模組上的芯片最高槽溫依然低于150℃的極限工作槽溫,芯片可以正常工作。
在與穩(wěn)態(tài)熱仿真邊界條件一致的情況下,將液冷模塊分兩次更換為普通全鋁熱沉以及加入了石墨/石蠟復(fù)合材料的相變材料儲(chǔ)熱器,分別進(jìn)行了熱仿真,結(jié)果如圖6所示。
圖6 熱仿真結(jié)果Fig.6 The result of transient thermal simulation
從計(jì)算結(jié)果可以看出在140s的時(shí)間軸附近,安裝面溫度就已達(dá)到106℃,即140s時(shí)的芯片槽溫已經(jīng)接近150℃這一極限工作槽溫。因此,此種情況下模塊最多能夠工作140s。本系統(tǒng)使用PCM后,溫度隨時(shí)間增長的斜率明顯較使用鋁作為熱沉的情況較小,即溫度增加的速率較小。另外,在240s時(shí)間軸附近,芯片表面溫度已接近106.35℃,即在240s時(shí)間軸附近,芯片槽溫就已接近150℃的極限工作槽溫。因此,使用該相變材料時(shí),該射頻前端工作時(shí)間延長了100s。
為了方便熱測試,TR組件設(shè)計(jì)初便在中央芯片附近設(shè)置了熱傳感器,并通過引線引出。為了體現(xiàn)采用了石蠟石墨PCM的可更換散熱器的儲(chǔ)熱效果,并和仿真結(jié)果對(duì)比,特意制作了全鋁材的熱沉。熱測試時(shí)將設(shè)備置于70℃溫箱中模擬實(shí)際使用中的環(huán)境溫度,根據(jù)此類典型產(chǎn)品彈載工作時(shí)間,測試了采用全鋁熱沉和復(fù)合PCM熱沉作用下各自工作120s和200s時(shí)的中央芯片的時(shí)間溫度曲線,如圖7所示。溫度曲線較仿真結(jié)果略高,但趨勢(shì)相同,說明采用了PCM的可更換式熱沉起到了較為明顯的效果,也使設(shè)備滿足了使用要求。
圖7 熱測試結(jié)果Fig.7 The result of thermal measurement
在總結(jié)了大量文獻(xiàn)中有關(guān)相控陣天線散熱的方法后,本文為彈載相控陣天線多工況熱適應(yīng)性提出一種思路。采用這種方案,相控陣天線在工況切換時(shí)不用對(duì)陣面進(jìn)行大面積拆裝,使維修維護(hù)性大大提高,可以有效解決多工況可切換的彈載相控陣天線熱控問題。但是由于石墨/石蠟相變材料本身物性特點(diǎn),使相變儲(chǔ)熱器的重復(fù)使用性較差,儲(chǔ)熱器幾次使用后需要更換其中的儲(chǔ)熱介質(zhì)才能繼續(xù)使用。
另外,由于石墨的導(dǎo)熱系數(shù)相較金屬導(dǎo)熱率系數(shù)低,
因此在更大規(guī)模的相控陣天線散熱時(shí),其相變響應(yīng)時(shí)間較慢,成為其進(jìn)一步的應(yīng)用障礙。更大規(guī)模的彈載相控陣天線散熱問題需要綜合更多的相變儲(chǔ)熱的新技術(shù)新工藝來解決,未來環(huán)路熱管的引入以及更高導(dǎo)熱系數(shù)的相變材料的綜合應(yīng)用,以及如何實(shí)現(xiàn)環(huán)路熱管與相變材料集成及更換,是下一個(gè)研究方向。
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