專利申請(qǐng)?zhí)?CN201110362349.6

公開(kāi)號(hào):CN102417156A

申請(qǐng)日:2011.11.15

公開(kāi)日:2012.04.18

申請(qǐng)人:北京大學(xué)

本發(fā)明公開(kāi)了一種刻蝕金屬鉬材料的方法，在金屬鉬材料上形成刻蝕掩膜，然后采用高密度等離子體(如ICP、TCP 等)干法刻蝕工藝，產(chǎn)生高密度、高能量離子和自由基，實(shí)現(xiàn)了對(duì)金屬鉬體材料的高速率、各向異性刻蝕?？涛g速率可達(dá)2.63 μm/min，刻蝕結(jié)果側(cè)壁的陡直度可達(dá)70°?；诒景l(fā)明的方法，可利用金屬鉬襯底基片作為制備MEMS 器件的主體材料。