高全華,王晉國,孫鋒利
(長安大學理學院,陜西西安710064)
大功率激光二極管陣列作為一類體積小、效率高、可靠性好的激光光源,在泵浦固體激光器、激光測距、激光引信、激光打印、材料加工、激光雷達以及激光制導等方面獲得了越來越廣泛的應用。但由于其光束質(zhì)量不好,平行于結(jié)平面和垂直于結(jié)平面方向光場分布相差很大,有很大的發(fā)散角和像散,因此在實際應用中,常常需要對光束進行空間整形。在空間整形光學元件的設計中,準確了解半導體激光器的光場分布,特別是遠場分布十分重要。當前,對單管DL遠場分布的研究已經(jīng)比較成熟[1-5],但報道的對于 DLS遠場分布的研究還很少[6-7]。
本文從亥姆霍茲方程出發(fā),以單管DL的遠場結(jié)構模型為基礎,建立了大功率激光二極管陣列的遠場分布模型,并進行了計算機模擬,這對于DLS遠場傳輸特性的研究和遠場整形光學系統(tǒng)的設計具有重要意義。
在標量場理論中,單色光波的場分布必須滿足時諧條件下的亥姆霍茲方程,在均勻介質(zhì)中利用慢變化近似得到:
在可分離變量的條件下,基模高斯光束是該方程的最常見的一個特解,在此表達式的基礎上可對橫坐標x分別作以下變換[8]:
其中,x+和x-均為正實數(shù),于是得到亥姆霍茲方程在慢變化條件下的另一個特解,場分布為:
式(2)是由兩個偏心橢圓高斯光束疊加而形成的,其中:
用這種模型可以方便地描述大功率DL雙峰結(jié)構的遠場光強分布。故而,每個發(fā)光單元emitter的遠場光強分布模型為:
其中,k+和k-稱為光束質(zhì)量偏心參數(shù)。
半導體激光陣列(DLS)通常是由多條bar堆積而成的,每條bar由多個發(fā)光單元(emitter)組成,如圖1所示。Bar間距為h,emitter間隔為l。x方向為平行結(jié)平面方向,y方向為垂直結(jié)平面方向,z方向為光束傳播方向。
圖1 DLS結(jié)構圖Fig.1 Block diagram of DLS
通常DLS為多個emitter的非相干疊加,這樣在確定了單個emitter的光場分布模型之后,便可以得到半導體激光陣列DLS的光強分布模型:
這里假設m,n均為偶數(shù),其中:
yj=y-(j+0.5)×l,其他參數(shù)同上。
在原理相同的情況下,為了能夠簡單、清晰地說明問題,這里以2個bar,4個發(fā)光單元組成DLS簡化模型為例,給出計算機仿真結(jié)果,如圖2所示。
相關參數(shù):λ =0.808 μm,ωox=1.8 μm,ωoy=0.5 μm,k+=1,k-=1。
圖2 簡化DLS遠場光強分布圖Fig.2 Graph of intensity distributing of the simplified DLS at z=50 μm,z=160 μm,z=300 μm,z=1 mm,z=1.3 mm,z=1.4 mm,z=2 mm,z=3 mm,z=4 mm,z=4.5 mm,z=6 mm,z=12 mm
從圖中可見,在z=50 μm處,DLS的光強分布由四個雙峰結(jié)構構成,即每個emitter是雙峰結(jié)構,光斑沒有重疊現(xiàn)象;z=300 μm處,光強分布由四個單峰構成,光斑開始重疊,雙峰結(jié)構消失;z=2 mm,光強分布由三個單峰構成,并且中間光斑光強最大,兩邊光斑光強很小,此時光強主要集中于中間光斑;z=4 mm,光強分布呈現(xiàn)單光斑,光強分布比較均勻,此時有利于實際應用,比如作為泵浦源等;z=4.5 mm,光強分布由兩個單峰構成;繼續(xù)增加z值,光強分布不再變化,仍由兩個單峰構成。
模型中引入了光束質(zhì)量偏心參數(shù)k+和k-,使模型不但可以描述對稱的雙峰結(jié)構,而且還可以描述不對稱的雙峰結(jié)構,比如單峰結(jié)構(極端的不對稱結(jié)構),與已有模型相比[6-7]有一定的優(yōu)越性,如圖3所示。
圖3 z=80 μm時,簡化DLS的遠場光場分布Fig.3 Graph of intensity distributing of the simplified DLS atz=80 μm
提出了一個DLS遠場光場分布模型,通過計算機仿真給出了簡化DLS模型的遠場光場變化特性,指出光強呈現(xiàn)單光斑的位置,此時光強分布比較均勻,模型還可表示不對稱的雙峰結(jié)構,如單峰結(jié)構,故適用范圍更廣。這些,有利于進一步確定DLS的遠場光強分布特性,對光束整形系統(tǒng)設計也具有一定的意義。尤其在大功率固體激光器的抽運,光束的傳輸、變換、聚焦與準直,光學整形系統(tǒng)的設計,以及光束質(zhì)量評價等方面有很重要的意義。
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