那凱鵬,劉國(guó)忠,楊宇飛
(山西科泰微技術(shù)有限公司 山 西 太 原 0 30006)
超級(jí)電容器是20世紀(jì)70年代發(fā)展起來(lái)的一種介于電池和傳統(tǒng)電容器之間的新型儲(chǔ)能器件,具有功率密度大,充電速度快,容量高,可逆性好,使用壽命長(zhǎng),易于維護(hù)等優(yōu)點(diǎn)。作為一種儲(chǔ)能元件,超級(jí)電容的充放電曲線更接近于電容器而不是電池,可以應(yīng)用在傳統(tǒng)電池不足之處和短時(shí)高峰值電流之中[1],同時(shí)超級(jí)電容具有充放電次數(shù)多,存儲(chǔ)周期長(zhǎng),無(wú)需定期維護(hù)的優(yōu)點(diǎn),是替代鋰電池的最佳方案。雖然市場(chǎng)上具有一些專為給超級(jí)電容器充電而設(shè)計(jì)的IC產(chǎn)品,這些器件擁有輸入或輸出電流限制、自動(dòng)電池平衡以及眾多的保護(hù)功能,但該類產(chǎn)品僅僅能提供單個(gè)或兩個(gè)串聯(lián)電容的充電控制,無(wú)法對(duì)多個(gè)串聯(lián)超級(jí)電容的充電,實(shí)際工程應(yīng)用中,需要將多個(gè)超級(jí)電容串聯(lián),提供更高的工作電壓與更多的能量。目前,常用的針對(duì)多個(gè)串聯(lián)電容的充電方法主要有:
1)恒定電壓充電法:在充電過(guò)程中,充電電壓始終保持不變的方法叫做恒定電壓充電法,其優(yōu)點(diǎn)是可避免充電后期由于充電電流過(guò)大造成的極板活性物質(zhì)脫落及電能的損失,其缺點(diǎn)是由于充電初期充電電流過(guò)大,容易使電容極板彎曲,造成電容報(bào)廢。
2)恒定電流充電法:在充電過(guò)程中,充電電流始終保持不變的方法叫做恒定電流充電法,此方法使電容充電時(shí)間縮短。在允許的最大充電電流范圍內(nèi),充電電流越大,充電時(shí)間越短。但若在充電后期仍保持充電電流大小不變,將導(dǎo)致電解液析出氣泡過(guò)多而呈現(xiàn)出沸騰狀態(tài),這不但浪費(fèi)了電能,而且容易使電池溫升過(guò)高,造成電容存儲(chǔ)容量下降而提前報(bào)廢[2]。
3)MCU采集控制方法:采用MCU實(shí)時(shí)檢測(cè)超級(jí)電容組的端電壓,分析和處理,得到相對(duì)應(yīng)的PWM控制信號(hào)來(lái)控制主回路開(kāi)關(guān)管的開(kāi)通和關(guān)斷,從而改變充電電流的大小。其優(yōu)點(diǎn)是能夠彌補(bǔ)1)和2)方法的缺點(diǎn),缺點(diǎn)是需要MCU干預(yù),電路復(fù)雜,成本高。
因此,設(shè)計(jì)能夠彌補(bǔ)1)和2)方法缺點(diǎn)且無(wú)需MCU干預(yù)的充電電路,對(duì)于超級(jí)電容在實(shí)際工程中的應(yīng)用具有指導(dǎo)意義。
在實(shí)際項(xiàng)目開(kāi)發(fā)中,產(chǎn)品工作分為兩個(gè)階段:第一階段由系統(tǒng)電源提供28 V DC供電,工作至少180 s;第二階段由產(chǎn)品自供電,工作至少90 s。系統(tǒng)電源的帶載能力有限,要求產(chǎn)品電流不能超過(guò)1 A。
自供電常用鋰電池,但是鋰電池廠商要求,貯存的鋰電池電量保持為標(biāo)稱容量的30%到50%,并每6個(gè)月充電一次[3],需要耗費(fèi)較多的人力資源。如果采用超級(jí)電容在第一階段進(jìn)行充電,第二階段為項(xiàng)目產(chǎn)品提供供電,能夠滿足設(shè)計(jì)要求。所以,需要設(shè)計(jì)具有充電、放電和改變充電策略等功能的超級(jí)電容充電裝置。設(shè)計(jì)充分利用超級(jí)電容器的儲(chǔ)能特性,采用靈活的組合充電方式。在低壓時(shí)通過(guò)檢測(cè)充電電流,調(diào)節(jié)充電電壓,保持超級(jí)電容恒流充電,隨著超級(jí)電容器端電壓升高逐漸等于系統(tǒng)供電電壓,充電速度減慢,充電電流逐漸降低。為了滿足自供電要求,采用多節(jié)超級(jí)電容串聯(lián)。根據(jù)以上技術(shù)要求,設(shè)計(jì)了超級(jí)電容充電裝置,其技術(shù)參數(shù)如表1所示。
表1 超級(jí)電容充電裝置主要技術(shù)指標(biāo)Tab.1 Main technical indicators of super capacitor charging device
超級(jí)電容充電裝置由充電供電電路,充電控制電路和超級(jí)電容組組成,負(fù)載電路負(fù)責(zé)驗(yàn)證該充電裝置的性能。超級(jí)電容充電裝置原理框圖如圖1所示。
圖1 超級(jí)電容充電裝置原理框圖Fig.1 The principle diagram of super capacitor charging device
充電供電電路選用TI公司的TPS5430DDA。TPS5430DDA是降壓(step-down)開(kāi)關(guān)型集成穩(wěn)壓芯片,電壓輸入范圍:5.5~36 V,可提供3A連續(xù)電流輸出(峰值電流可達(dá)4 A)。輸出通過(guò)100 mΩ的MOSFET開(kāi)關(guān),效率高達(dá)95%。它集成了固定頻率振蕩器(500 Hz)和基準(zhǔn)穩(wěn)壓器(1.22 V),通過(guò)調(diào)節(jié)VSEN腳至1.22 V控制寬范圍輸出,初始精度達(dá)到1.5%[4]。并具有完善的保護(hù)電路,包括過(guò)流保護(hù)及過(guò)熱保護(hù)電路等,利用該器件只需極少的外圍器件便可構(gòu)成高效穩(wěn)壓電路。
充電控制電路選用AD公司的電流檢測(cè)運(yùn)算放大器AD8210YRZ。AD8210YRZ可提供高電壓接口,并能夠在分流電阻上進(jìn)行雙向電流監(jiān)控,從而簡(jiǎn)化高端電流監(jiān)控。它具有高共模抑制(CMR)特性和出色的溫度性能,可在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最佳精度。該器件放大經(jīng)分流電阻流至負(fù)載的電流,并提供以地為參考、與負(fù)載電流成比例的輸出電壓。初始化增益:20 V/V[5]。
2.3.1 超級(jí)電容組特點(diǎn)
設(shè)計(jì)中選用韓國(guó)VINA公司的超級(jí)電容器VEC 2R7 156 QG。
其主要特點(diǎn)有:
a)ESR:33 mΩ;
b)最大充放電電流:13.5 A;
c)端電壓:2.7 V;
d)漏電流:0.053 mA;
e)容量:-10~+30%。
2.3.2 電容數(shù)量及連接方法
為了滿足放電能力要求,在設(shè)計(jì)中采用10個(gè)超級(jí)電容器串聯(lián)的方法。電容儲(chǔ)存能量(J)=(CU2)/2,可輸出能量(J)=(放電前儲(chǔ)能-放電后儲(chǔ)能)×電源模塊轉(zhuǎn)換效率=放電電壓×放電電流×放電時(shí)間,經(jīng)計(jì)算,能夠滿足設(shè)計(jì)要求。超級(jí)電容連接方法如圖2所示。
圖2 超級(jí)電容連接方法Fig.2 Connection methods of super capacitor
施加電壓低于額定電壓會(huì)使得超級(jí)電容器的壽命延長(zhǎng),而施加電壓高于額定電壓,則超級(jí)電容器的壽命將縮短,甚至壽命縮短的速度會(huì)更快。為防止法拉電容因?yàn)槌潆婋妷哼^(guò)高損壞,在每?jī)蓚€(gè)法拉電容旁并聯(lián)一個(gè)5.6 V穩(wěn)壓管進(jìn)行保護(hù)[6]。
電容長(zhǎng)時(shí)間在相反的極性下工作,不僅會(huì)縮短壽命,而且會(huì)發(fā)生嚴(yán)重的損毀,例如電解液可能會(huì)發(fā)生泄漏。由于超級(jí)電容量的差異,每個(gè)電容儲(chǔ)存的電荷量是不均衡的,在放電過(guò)程中,個(gè)別電容就可能出現(xiàn)負(fù)壓,電容極性改變。為了防止上述情況發(fā)生,可在每個(gè)電容兩端并聯(lián)一個(gè)分壓電阻。
電路設(shè)計(jì)充電電流為600 mA,通過(guò)電阻R1將電流轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào),并經(jīng)過(guò)內(nèi)部穩(wěn)定20倍增益輸出。AD8210YRZ芯片輸出VOUT如式1。
TPS5430DDA通過(guò)調(diào)節(jié) VENSE腳至1.22 V控制輸出,所以電路設(shè)計(jì)如圖3所示,R2短路,R3不焊接。
充電初期,當(dāng)充電電流小于(大于)600 mA時(shí),SENSE端電壓小于(大于)1.22 V,TPS5430DDA 內(nèi)部調(diào)節(jié)升高(降低)輸出電壓,以保證充電電流保持在600 mA。充電后期,超級(jí)電容端電壓接近于VIN,充電電流降低,AD8210YRZ芯片失去調(diào)節(jié)作用,進(jìn)入恒壓充電階段。
圖3 電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)圖Fig.3 Thesimple circuit design
充電電流設(shè)置公式為:R3/(R2+R3)=0.6/I,其中R2和R3為圖3中電阻,I為設(shè)計(jì)充電電流。如果希望充電電流為0.9 A,那么 R3/(R2+R3)=2/3,那么選擇 R2=10 kΩ,R3=20 kΩ。
充電電路按照?qǐng)D1連接完成后,打開(kāi)電源開(kāi)關(guān),充電開(kāi)始。通過(guò)示波器和電流表觀察電容充電狀態(tài),并通過(guò)示波器觀察VSENSE腳的電平變化情況。
經(jīng)過(guò)VSENSE的控制,電容充電電壓穩(wěn)步增長(zhǎng),電容充電電壓檢測(cè)如圖4所示。電流表值也都穩(wěn)定在600 mA左右變化,最大達(dá)到680 mA。充電時(shí)間為103 s,小于第一階段工作的180 s,滿足設(shè)計(jì)要求。
圖4 電容充電電壓檢測(cè)圖Fig.4 Voltage detection map of capacitor charging
在充電過(guò)程中VSENSE腳一直在1.2 V左右調(diào)整,當(dāng)充電完成后,逐步下降為0 V,AD8210YRZ芯片起到了控制作用,VSENSE控制總體變化圖如圖5所示。
圖5 VSENSE控制總體變化圖Fig.5 The overall change chart of VSENSE control
斷開(kāi)電源開(kāi)關(guān),電容組放電電壓檢測(cè)如圖6所示。放電時(shí)間為104s,滿足設(shè)計(jì)要求。
圖6 電容放電情況測(cè)試結(jié)果Fig.6 Capacitor discharge test results
本文詳細(xì)闡述了超級(jí)電容充電裝置電路的設(shè)計(jì)過(guò)程,充電電路改進(jìn)了以往設(shè)計(jì)中需要通過(guò)MCU程序采集和分段控制電容充電的方法,采用簡(jiǎn)單硬件電路解決了超級(jí)電容充電問(wèn)題,并對(duì)充電電路的性能進(jìn)行了測(cè)試。經(jīng)過(guò)常態(tài)性能測(cè)試與高溫工作(+60 ℃,保溫 2 h)、低溫工作(-40 ℃,保溫 2 h)試驗(yàn),超級(jí)電容充電裝置性能良好,各項(xiàng)指標(biāo)滿足設(shè)計(jì)要求。該產(chǎn)品成本低,實(shí)用性強(qiáng),目前已投入使用,取得良好的效果。
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[3]天津力神電池股份有限公司.鋰離子電池的使用常識(shí)[EB/OL].[2013-04-13].http://www.lishen.com.cn.
[4]Texas Instruments incorporated.TPS5430 data sheet-Soiseek.cn[EB/OL].[2006-1-20].http://www.soiseek.cn/TPS5430/.
[5]Analog Devices incorporated.AD8210 data sheet-analog.cn.[EB/OL][2006-2012].http://www.analog.com/AD8210/.
[6]鄧仙玉.基于MPPT技術(shù)的光伏充電控制器研究[D].北京:北京交通大學(xué).2011:26-27.