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        磁控濺射NbSiN復(fù)合膜的微結(jié)構(gòu)和性能

        2013-10-14 01:15:34喻利花苑彩云許俊華
        材料工程 2013年7期
        關(guān)鍵詞:磁控濺射微結(jié)構(gòu)復(fù)合膜

        喻利花,苑彩云,許俊華

        (江蘇科技大學(xué) 江蘇省先進(jìn)焊接技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,江蘇 鎮(zhèn)江212003)

        以TiN為代表的過(guò)渡族金屬氮化物(MeN)薄膜具有許多優(yōu)異的性能,例如,高硬度,良好的耐磨性能、耐腐蝕性能和高溫穩(wěn)定性[1-4],被廣泛應(yīng)用于工模具等領(lǐng)域[5]。隨著干式切削和高速切削技術(shù)的發(fā)展,對(duì)高硬度和良好耐磨性薄膜的要求也不斷增加,為了滿足不斷增高的金屬加工技術(shù)的要求,人們開(kāi)始研究三元薄膜[6,7]。從 Veprek[8]等制備的 TiSiN 復(fù)合膜硬度(80~105GPa)超過(guò)金剛石薄膜硬度(70~90GPa)之后,Me-Si-N體系備受人們關(guān)注。大量研究結(jié)果表明,Si的加入可以有效阻止氮化物晶體長(zhǎng)大而形成納米晶復(fù)合膜,這是通過(guò)改變薄膜成分和微結(jié)構(gòu)來(lái)提高薄膜力學(xué)性能,如在 Ti-Si-N[9,10],W-Si-N[11]等薄膜中都獲得了較高硬度。

        NbN薄膜在超導(dǎo)微電子領(lǐng)域表現(xiàn)出卓越的性能(化學(xué)穩(wěn)定性,高的導(dǎo)電性和高熔點(diǎn)),并得到了廣泛的應(yīng)用[12]。Dong等[13]和王劍峰等[14]在 NbN 中加入Si元素制成的NbSiN三元薄膜也具有較高的硬度和彈性模量。然而,到目前為止,國(guó)內(nèi)外對(duì)NbSiN復(fù)合膜的摩擦磨損性能特別是高溫摩擦磨損性能報(bào)道還較少。本工作采用磁控濺射的方法,沉積得到一系列不同Si含量的NbSiN薄膜,并研究不同Si含量與薄膜的微結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能和摩擦磨損性能之間的關(guān)系。

        1 實(shí)驗(yàn)材料及方法

        采用JGP-450多靶磁控濺射設(shè)備制備不同Si含量的NbSiN復(fù)合膜。磁控濺射儀由一個(gè)直流陰極(DC)和另兩個(gè)可獨(dú)立控制的射頻陰極(RF)濺射槍組成,分別安裝在水冷的靶支架上?;芘c靶之間的距離為76mm。在兩個(gè)射頻陰極上分別安裝Nb靶(純度為99.9%)和Si靶(純度為99.999%),濺射靶尺寸為φ75mm×5mm。所有樣品分別沉積在P型摻雜(100)取向的單晶硅片和經(jīng)過(guò)拋光的不銹鋼上,基底為單晶硅片的薄膜樣品用于薄膜微結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能研究,基底為不銹鋼的薄膜樣品用于摩擦磨損性能研究。硅片和不銹鋼用去離子水、丙酮和無(wú)水乙醇超聲波各清洗10min,吹干后放入真空室。通過(guò)改變Si靶功率濺射獲得一系列不同Si含量的NbSiN納米晶復(fù)合薄膜。濺射時(shí)間2h,實(shí)驗(yàn)參數(shù)如表1所示。

        表1 NbSiN薄膜制備工藝參數(shù)Table 1 The technological parameters of NbSiN films preparing

        樣品的結(jié)構(gòu)分析在XRD-6000型X射線衍射儀上進(jìn)行,采用CuKα線,30mA下操作,掠入射角為1°,掃描速率為4(°)/min。采用JSM-6480型掃描電子顯微鏡(SEM)采集磨痕形貌,采用SEM配套的能量色散譜儀(EDS)分析薄膜的成分。采用瑞士CSM納米壓痕劃痕儀測(cè)試薄膜的硬度,每個(gè)樣品測(cè)試9個(gè)點(diǎn),取平均值。采用UMT-2型高溫摩擦磨損儀,摩擦形式為球-盤式圓周摩擦磨損,摩擦頭是直徑為9.38mm的Al2O3陶瓷摩擦頭,加載載荷為3N,摩擦速度為50r/min,摩擦?xí)r間為30min。

        2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及討論

        2.1 薄膜的成分和微結(jié)構(gòu)

        表2為EDS成分分析得到的NbSiN薄膜中Si元素的原子分?jǐn)?shù),這里Si原子分?jǐn)?shù)是指薄膜中Si/(Nb+Si)原子比例。

        表2 NbSiN薄膜的EDS成分Table 2 EDS of NbSiN composite films

        圖1為不同Si含量的NbSiN復(fù)合膜的XRD圖譜。由圖1分析可知,不同Si含量的NbSiN復(fù)合膜都是δ-NbN面心立方結(jié)構(gòu)。Si含量為0時(shí),即NbN薄膜,主要以(200)取向?yàn)橹?。加入少量Si后,NbSiN復(fù)合膜的NbN(111)晶面衍射峰減弱,NbN(200)晶面的衍射峰增強(qiáng),仍呈NbN(200)擇優(yōu)取向;隨著Si含量的增加,復(fù)合膜的 NbN(111),(200)晶面衍射峰的強(qiáng)度逐漸減弱寬化,且呈向大角度偏移的趨勢(shì),表明復(fù)合膜的晶格常數(shù)減小。這主要是因?yàn)镹bN晶格的Nb原子被加入的Si原子所取代,形成了置換固溶體,而Si原子的半徑小于Nb的原子半徑,這樣,在Si原子周圍造成了晶格畸變,使得點(diǎn)陣常數(shù)減小,在XRD圖譜上就表現(xiàn)為NbSiN復(fù)合膜的衍射峰向大角度偏移。當(dāng)Si含量達(dá)到24.31%(原子分?jǐn)?shù),下同)時(shí),復(fù)合膜已經(jīng)呈現(xiàn)納米晶或非晶結(jié)構(gòu)[2,15]。

        圖1 不同Si含量的NbSiN的XRD圖Fig.1 XRD pattern of NbSiN coatings with different Si contents

        2.2 薄膜的力學(xué)性能

        圖2為NbSiN復(fù)合膜的硬度隨Si含量增加的變化曲線。由圖2可知,NbN薄膜的硬度為23.6GPa。隨著Si的加入,NbSiN薄膜的硬度迅速增加,當(dāng)Si含量為20.29%時(shí),硬度達(dá)到最大值32.1GPa。但是,隨著Si含量的進(jìn)一步增加,NbSiN復(fù)合膜的硬度有所下降,當(dāng)Si含量為24.31%時(shí),硬度僅為22.4GPa。

        為解釋硬度的增加,Veprek[16,17]等最早提出了非晶包裹納米晶的微結(jié)構(gòu)模型,他認(rèn)為非晶的Si3N4會(huì)阻礙位錯(cuò)的產(chǎn)生,并抑制微裂紋的增殖,同時(shí),可以防止晶粒發(fā)生晶界滑移。Sandu[18]等通過(guò)對(duì)NbSiN納米復(fù)合膜進(jìn)行研究后提出了復(fù)合膜的形成模型:(1)Si原子置換NbN晶格中的Nb形成固溶體;(2)NbN晶界處形成SiNx層;(3)納米復(fù)合結(jié)構(gòu),并且認(rèn)為復(fù)合膜的致硬機(jī)理為固溶強(qiáng)化和納米復(fù)合致硬??酌鞯龋?9]研究TiN/Si3N4納米復(fù)合膜時(shí),采用納米多層膜TiN/Si3N4來(lái)模擬,他們認(rèn)為在納米晶復(fù)合膜中也存在與多層膜同樣的硬度對(duì)Si3N4層厚變化的敏感性。結(jié)合多層膜所展示的規(guī)律,可以認(rèn)為Si3N4界面相在厚度<0.7nm時(shí)的晶體化也是復(fù)合膜產(chǎn)生高硬度的重要結(jié)構(gòu)因素,而其硬度隨Si含量微小增加而顯著降低的原因則同樣來(lái)自于Si3N4層因厚度微小增加由晶態(tài)向非晶態(tài)的轉(zhuǎn)變,以及由此引起的TiN和Si3N4共格界面的消失。

        通過(guò)上述分析,硬度的變化可以解釋為,在低Si含量時(shí),部分Si原子置換了NbN晶格中的Nb原子,形成NbSiN固溶體,使薄膜得到強(qiáng)化[20]。同時(shí),Si的原子半徑小于Nb的原子半徑,結(jié)果在Si原子附近將產(chǎn)生晶格畸變,形成一個(gè)以Si原子為中心的彈性應(yīng)變場(chǎng),當(dāng)位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)到Si原子附近時(shí)受到較大的阻力,使薄膜得到強(qiáng)化,硬度升高。但是隨著Si含量的進(jìn)一步增加,薄膜的力學(xué)性能又逐漸降低,主要是因?yàn)檫^(guò)多的Si原子摻入使得NbSiN復(fù)合膜逐漸向非晶態(tài)轉(zhuǎn)化[15,21],這與圖1中NbSiN薄膜的XRD圖譜分析結(jié)果相吻合。

        圖2 NbSiN復(fù)合膜硬度隨Si含量的變化曲線Fig.2 Hardness of NbSiN composite films

        2.3 摩擦磨損性能

        圖3是室溫下NbN和NbSiN薄膜經(jīng)過(guò)30min摩擦磨損得到的摩擦因數(shù)曲線。由圖3可以看出,NbN和NbSiN薄膜的摩擦磨損只有兩個(gè)階段,即磨合階段和穩(wěn)定階段,摩擦磨損結(jié)束后,薄膜沒(méi)有失效。NbN薄膜的摩擦因數(shù)最低為0.46,不同Si含量的NbSiN復(fù)合膜的摩擦因數(shù)在0.60到0.68之間,起伏不大。NbN薄膜的前700s屬于磨合階段,摩擦因數(shù)曲線不穩(wěn)定呈上升趨勢(shì);700s后進(jìn)入穩(wěn)定階段,摩擦因數(shù)曲線波動(dòng)不大;而NbSiN薄膜的磨合階段在前200s已經(jīng)結(jié)束,在200s之后,進(jìn)入穩(wěn)定階段,摩擦曲線較平滑,波動(dòng)不大。因此,在室溫時(shí),Si的加入不會(huì)起到減磨的作用,但是會(huì)使摩擦磨損過(guò)程更加穩(wěn)定。

        圖3 常溫時(shí)不同Si含量NbSiN薄膜的摩擦因數(shù)隨摩擦?xí)r間變化曲線Fig.3 Friction coefficient vs friction time of NbSiN coatings of different Si contents at RT

        圖4 為不同Si含量的NbSiN薄膜分別在常溫和650℃時(shí)的平均摩擦因數(shù)。從圖4中可以看出,NbN薄膜的摩擦因數(shù)從常溫時(shí)的0.46增加至650℃時(shí)的0.57,NbSiN復(fù)合膜的摩擦因數(shù)從常溫時(shí)0.60到0.68之間降至650℃時(shí)的0.42到0.57之間。與室溫摩擦磨損結(jié)果相比,650℃時(shí)NbSiN復(fù)合膜的平均摩擦因數(shù)略低,這與文獻(xiàn)[22,23]相一致。同時(shí),在650℃時(shí),NbSiN復(fù)合膜的平均摩擦因數(shù)隨著Si含量的增加而降低。當(dāng)Si含量為9.87%時(shí),平均摩擦因數(shù)為0.56,當(dāng)Si含量增加至24.31%時(shí),平均摩擦因數(shù)降至最低0.42。

        圖4 不同Si含量的NbSiN薄膜在常溫和650℃時(shí)平均摩擦因數(shù)曲線Fig.4 Average friction coefficient of NbSiN coatings with different Si contents at RT and 650℃

        圖5為Si含量為12.24%的NbSiN復(fù)合膜在650℃時(shí)的磨痕能譜分析。由圖5可見(jiàn),O元素的含量高達(dá)38.24%,說(shuō)明在650℃摩擦過(guò)程中,磨痕中產(chǎn)生了大量的氧化物。Fe元素主要是由于高溫下原子本身的擴(kuò)散作用和黏著磨損所致。

        圖5 Si含量為12.24%的NbSiN復(fù)合膜650℃磨痕能譜分析Fig.5 EDS analysis of the worn surfaces of NbSiN composite films with 12.24%Si contents at 650℃

        圖6為650℃不同Si含量的NbSiN復(fù)合膜摩擦30min后的磨痕SEM圖像。圖6(a)中薄膜磨痕較寬,磨痕表面有很多磨屑,磨損比較嚴(yán)重;圖6(b)中磨痕變窄,磨屑數(shù)量減少片層變大,但是存在大量的犁溝;圖5(c)中磨痕極窄且變淺,犁溝減少但存在大片層狀的磨屑。NbSiN復(fù)合膜在高溫摩擦過(guò)程中發(fā)生氧化,在磨痕內(nèi)生成了氧化物膜層,由于膜層表面具有一定的粗糙度,在摩擦過(guò)程中,當(dāng)摩擦副發(fā)生相對(duì)位移時(shí),凸起部分就會(huì)受到非常大的壓力,因?yàn)檠趸锬泳哂幸欢ǖ拇嘈?,在較大的壓力下易被碾碎,從而剝落形成白色磨屑。失去了氧化物膜層的保護(hù)以后,新露出的NbSiN薄膜組織遇到大氣后繼續(xù)被氧化,在后續(xù)的摩擦過(guò)程中又被碾碎磨去[24],從而使得薄膜逐漸被磨損。通過(guò)以上分析認(rèn)為,在650℃高溫下薄膜的磨損機(jī)制以氧化磨損和黏著磨損為主。

        圖6 650℃時(shí)不同Si含量的 NbSiN復(fù)合膜的磨痕SEM 圖像 (a)12.24%;(b)20.29%;(c)24.31%Fig.6 SEM graphics of different Si contents of NbSiN coatings at 650℃ (a)12.24%;(b)20.29%;(c)24.31%

        由圖4和圖6可見(jiàn),在650℃時(shí),NbSiN復(fù)合膜的平均摩擦因數(shù)低于室溫時(shí)平均摩擦因數(shù),且隨著Si含量的增加,復(fù)合膜的摩擦因數(shù)逐漸降低,摩擦磨損性能逐漸增強(qiáng)。馬青松等[25]研究了Ti-Si-N薄膜的摩擦磨損性能,并認(rèn)為高溫下摩擦因數(shù)降低歸因于高溫下氧化膜的潤(rùn)滑作用。分析認(rèn)為,650℃的高溫摩擦因數(shù)低于常溫時(shí)的摩擦因數(shù),可能是由于高溫時(shí)薄膜發(fā)生氧化,生成具有潤(rùn)滑作用的氧化物膜層;而650℃時(shí),摩擦因數(shù)隨Si含量的增加而減小,則是由于薄膜中Si的含量增加使摩擦過(guò)程中生成的具有潤(rùn)滑作用的氧化物增多所致。

        3 結(jié)論

        (1)采用磁控濺射法制備的不同Si含量的NbSiN復(fù)合膜中,只存在面心立方NbN結(jié)構(gòu),且呈(200)面擇優(yōu)取向。隨著Si含量的增加,復(fù)合膜的衍射峰都逐漸減弱并寬化。

        (2)隨著少量Si加入,薄膜的力學(xué)性能得到改善。在Si含量為20.29%時(shí),NbSiN復(fù)合膜的硬度達(dá)到最大值32.1GPa;隨著Si含量的進(jìn)一步增加,NbSiN復(fù)合膜逐漸向納米晶和非晶態(tài)轉(zhuǎn)化,硬度逐漸降低。

        (3)室溫和高溫摩擦磨損實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在室溫時(shí),Si的加入沒(méi)有減磨作用,但是可以使摩擦磨損過(guò)程更加穩(wěn)定;650℃時(shí),NbSiN復(fù)合膜隨Si含量的增加,摩擦因數(shù)逐漸減小,耐磨性能逐漸提高。650℃時(shí)的平均摩擦因數(shù)低于室溫時(shí)的平均摩擦因數(shù)與高溫摩擦過(guò)程中生成氧化物有關(guān)。

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