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        基于有限差分的2.5維直流電阻率法的改進(jìn)

        2013-10-10 03:59:36鄧居智祝福榮孟小杰
        關(guān)鍵詞:優(yōu)化模型

        蔣 亮, 鄧居智, 陳 輝, 祝福榮, 孟小杰

        (東華理工大學(xué)放射性地質(zhì)與勘探技術(shù)國(guó)防重點(diǎn)學(xué)科實(shí)驗(yàn)室,江西 南昌 330013)

        直流電阻率法根據(jù)地下巖石的導(dǎo)電性差異,通過(guò)記錄觀測(cè)和研究激發(fā)人工電流場(chǎng)所得到的數(shù)據(jù)規(guī)律來(lái)反演地下結(jié)構(gòu)。在高精度正演計(jì)算中,應(yīng)用有限差分法進(jìn)行計(jì)算時(shí),受傅里葉系數(shù)和邊界條件的影響較大,會(huì)導(dǎo)致計(jì)算精度不夠高(張華等,2012)。Dey等 (1979)開(kāi)發(fā)的一款2.5D模型算法,在這種方法中,地質(zhì)描述為2D,點(diǎn)電源為三維源,而不必明確3D模型,這是基于在很多地質(zhì)情況下,可以假設(shè)地下的導(dǎo)電性在一維結(jié)構(gòu)是不變的這一理論(吳信民等,2013)。根據(jù)這種模型理論,在應(yīng)用有限差分的基礎(chǔ)上,對(duì)公式中的傅里葉系數(shù)進(jìn)行改進(jìn);采用邊界校正,對(duì)其邊界條件進(jìn)行優(yōu)化,使正演效果收邊界條件的影響更小。

        1 2.5維直流電阻率的理論推導(dǎo)

        設(shè)點(diǎn)電源為水平地面上的A點(diǎn),電流強(qiáng)度為I,用j表示電流的密度矢量,E為電場(chǎng)強(qiáng)度,u表示電位,ρ為巖石的電阻率,σ=1/ρ表示介質(zhì)電導(dǎo)率,由穩(wěn)定電流場(chǎng)的特性可以得到:

        根據(jù)(1)(2)式得:

        又由電荷守恒定律導(dǎo)出與j和q相關(guān)的連續(xù)性方程:

        將(3)式代入(4)式得到U與q的分布式:

        引入狄拉克函數(shù)δ,導(dǎo)出電位u與電流強(qiáng)度I的方程,將點(diǎn)電荷e放在(x0,y0,z0)處,最后由δ和 q得出:

        通過(guò)(5)(6)可以得到在合適的邊界條件下,電導(dǎo)公式可以寫(xiě)成(楊金鳳,2012):

        式(7)中φ是電勢(shì)場(chǎng),r+r-是電流源的正負(fù)極位置。

        假設(shè)(?/?y)σ(x,y,z)=0,那么方程(7)可以變?yōu)?

        這是2.5D的電導(dǎo)率公式。

        為了進(jìn)一步求解需要進(jìn)行傅里葉變換,這里傅里葉余弦變換的正向和逆向如下:

        其中,ky是波數(shù)。

        將上述變換代入(8)式可以得到:

        將上式用矩陣式表示為:

        D和G分別表示為散度和梯度的二維矩陣,S(σ)是電導(dǎo)率,~u是轉(zhuǎn)換后的電勢(shì)矢量,A(σ,k2y)是前移算子矩陣,q是含有正負(fù)電流源位置的矢量。

        當(dāng)給定一個(gè)電導(dǎo)模型和波數(shù),可以將上式改寫(xiě)為:

        將公式(13)和(10)聯(lián)合求解變形得到關(guān)于u的方程,這正是所要求的:

        其中n是波數(shù),gn是每個(gè)波數(shù)的總和(Moucha,2003)。

        2 算法改進(jìn)

        2.1 傅里葉系數(shù)k和g的優(yōu)化

        要以最小的波數(shù)得到最準(zhǔn)確的求解,需要一種優(yōu)化技術(shù),選擇合適的k和g,優(yōu)化k和g空間的點(diǎn)源,使其解決u,k和g的優(yōu)化過(guò)程如下:

        在一個(gè)均勻半空間的偶極源中可以得到電位:

        r所處的坐標(biāo)是(x,z),rim是該源的邊界位置,所以將(15)式帶入到(9)式變?yōu)?

        積分求解得:

        K0是Bessel函數(shù)零階修正的第二種,通過(guò)上式與(14)式進(jìn)行離散反變換可得:

        令Mg=v,g是包含n的向量,v是包含vi值的向量,可得到如下方程:

        為了讓誤差達(dá)到最小,選擇k和g使目標(biāo)函數(shù)最小化,可以得出

        I是一個(gè)向量,(20)式與k和g相關(guān),而且與g成線性關(guān)系,M的出現(xiàn)是為了應(yīng)對(duì)r的多變性,利用最小二乘法得到:

        聯(lián)合(19)式和(20)式得:

        上式是一個(gè)與k相關(guān)的非線性函數(shù)。為了進(jìn)一步優(yōu)化,提出一個(gè)小的阻尼因子,使上式得到進(jìn)一步改進(jìn):

        v(ki)是線性化的起點(diǎn),JT是靈敏度矩陣,K是包含k值得向量,W是單位矩陣是對(duì)模型的加權(quán),β是盡可能小的阻尼參數(shù)。對(duì)上式進(jìn)行微分,得到關(guān)于K的第i次迭代方程:

        定義一個(gè)新的k向量,則第i+1次迭代為:

        α是為了減少(23)式迭代次數(shù)而設(shè)立的參數(shù),當(dāng)(23)式經(jīng)過(guò)迭代到達(dá)理想值,就用該值來(lái)計(jì)算(20)式就可以得到 g(Pidlisecky et al.,2008)。

        2.2 邊界條件的優(yōu)化

        通過(guò)上式計(jì)算出的電壓值會(huì)存在兩個(gè)問(wèn)題,①邊界校正可以有效的解決邊界效應(yīng),但要減少相關(guān)錯(cuò)誤,需要對(duì)模型的邊界網(wǎng)格進(jìn)行填充。②奇點(diǎn)存在于源位置造成電勢(shì)衰減迅速,故需要使這個(gè)位置得到精細(xì)的離散。為了解決上述問(wèn)題,應(yīng)用一個(gè)校正的源項(xiàng)q,使其降低BC的影響,并提出一個(gè)類似的校正因子實(shí)現(xiàn)減少源奇異的效果,并提高邊界條件(Pidlisecky et al.,2008)。所以將(13)式代入(14)式得到:

        將其變形可以得到:

        σH是穩(wěn)定的電場(chǎng)的電導(dǎo)率,σT是所要求的真電導(dǎo)率,計(jì)算,為了量化誤差,使 qcorr=L-1·uH,向量 qcorr代替 q在(15)中得到:

        3 模型算例

        這里就溫納裝置建立模型進(jìn)行算法驗(yàn)證和正演對(duì)比,溫納裝置在測(cè)深過(guò)程中保持三等距,AM=MN=NB(李金銘,2005)。在溫納裝置中,可以測(cè)得最佳深度是AB/6,所得測(cè)點(diǎn)一共有(n-1)(n-2)/6,其中n是電極數(shù)(姚文斌,1989)。故構(gòu)建地下模型并將其剖分成80×30的網(wǎng)格,測(cè)區(qū)的剖分單元為0.5,分別建立2層均勻介質(zhì)模型,高阻模型和低阻模型。為了方便驗(yàn)證算法的準(zhǔn)確性,采用理想化的數(shù)值參數(shù)來(lái)構(gòu)建模型。

        3.1 算法驗(yàn)證

        圖1 算法驗(yàn)證對(duì)比圖Fig.1 The algorithm validation comparison chart

        為了方便驗(yàn)證算法的準(zhǔn)確性,采用理想化的數(shù)值來(lái)構(gòu)建模型,2層均勻介質(zhì)的模型(圖1),第一層的電導(dǎo)率為σ=1 S/m,第二層的電導(dǎo)率為σ=100 S/m,經(jīng)過(guò)計(jì)算可以得到其地表電壓曲線圖(U0理論曲線,U1只加入有限單元法,U2是在U1基礎(chǔ)上加入傅里葉變換,U3是在U2基礎(chǔ)上加入BC校正),通過(guò)地表電壓曲線可以看出,U3與U1,U2相比更加精確。最后對(duì)所得結(jié)果進(jìn)行誤差分析,由誤差可以看出U3與U2,U1相比雖然大部分誤差趨于零,但在靠近偶極源位置其誤差更小,這充分說(shuō)明了加入改進(jìn)的傅里葉系數(shù)和邊界條件,可以使計(jì)算精度進(jìn)一步提高。

        3.2 低阻模型

        構(gòu)建低阻模型(圖2),模型實(shí)際長(zhǎng)度是30 m長(zhǎng),10 m深,這里剖分成80×30的網(wǎng)格,正方體剖分,低阻是圖2中的紅色區(qū)域,其大小是2×2,電導(dǎo)率為σ=100 S/m,周圍區(qū)域?yàn)棣?1 S/m,經(jīng)正演計(jì)算可以得到以x是長(zhǎng)度,z是深度的視電阻率(圖3),其中圖3a是以有限差分正常反演的結(jié)果,圖3b是進(jìn)一步加入傅里葉變換所產(chǎn)生的結(jié)果,圖3c是在圖3b的基礎(chǔ)上加入了BC校正的結(jié)果。可以看出,圖3b與圖3a的結(jié)果基本相似略好一點(diǎn),圖3c與圖3a,圖3b相比層次感更加明顯,反演結(jié)果有一定的提高,更能清晰反映出異常體所在。

        圖2 低阻模型Fig.2 Low resistivity model

        3.3 高阻模型

        構(gòu)建高阻模型(其模型與低阻模型構(gòu)建一樣),高阻異常其電導(dǎo)率為 σ=0.01 S/m,周圍區(qū)域?yàn)棣?1 S/m,經(jīng)計(jì)算反演可以得到其以x是長(zhǎng)度,z是深度,的視電阻率ρ(Ω·m)(圖4)其中圖4a是正常反演的的結(jié)果,圖4b是加入傅里葉變換所產(chǎn)生的結(jié)果,圖4c在圖4b的基礎(chǔ)上加入了BC校正的結(jié)果。同樣圖4c與圖4a,圖4b相比層次感更加明顯,反演結(jié)果有一定的提高,更能反映出異常體的現(xiàn)狀。

        4 結(jié)語(yǔ)

        使用優(yōu)化的傅里葉系數(shù),可以有效提高數(shù)值模擬的計(jì)算精度;通過(guò)對(duì)邊界進(jìn)行優(yōu)化,在正演過(guò)程可以使異常區(qū)域更加明顯,結(jié)果受邊界條件的影響更小。正演是反演的基礎(chǔ),希望上述改進(jìn)可以對(duì)今 后反演工作有所幫助。

        圖3 低阻模型對(duì)比圖Fig.3 Low resistance model contrast figure

        圖4 高阻模型對(duì)比圖Fig.4 High resistance model contrast figure

        李金銘.2005地電場(chǎng)與電法勘探[M].北京:地質(zhì)出版社:246-251.

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