張偉才，趙 權(quán)

（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所，天津 300220）

拋光片IPA干燥技術(shù)研究

張偉才，趙 權(quán)

（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所，天津 300220）

以Marangoni效應(yīng)為基礎(chǔ)的IPA干燥技術(shù)在襯底拋光片的干燥中遇到了瓶頸，即干燥后出現(xiàn)水痕缺陷。Marangoni干燥過(guò)程中，拋光片表面的水符合重力場(chǎng)下的楊方程模型，其脫離效果與晶片提拉速率和IPA流量密切相關(guān)。研究中發(fā)現(xiàn)，IPA流量在20 L/min、提拉速率在1 mm/s時(shí)干燥效果最佳；另外，Marangoni干燥過(guò)程不能完全去除晶片底部的殘水，需要營(yíng)造合適的蒸發(fā)環(huán)境，減壓排風(fēng)下供給適量的IPA蒸汽有助于底部殘水的去除。晶片與花籃在干燥過(guò)程中有相互影響，完全分離的模式可以消除這種影響，但同時(shí)會(huì)使干燥時(shí)間增長(zhǎng)。

異丙醇；馬蘭戈尼；底部殘水；水痕

干燥步驟作為濕法清洗的最后一個(gè)步驟，最終決定了拋光片的表面狀態(tài)，是清洗工藝的核心所在。傳統(tǒng)的離心甩干技術(shù)，對(duì)于大尺寸薄片和深窄溝槽結(jié)構(gòu)晶片，難以獲得令人滿(mǎn)意的干燥效果。基于Marangoni原理的IPA干燥技術(shù)可以有效解決上述問(wèn)題，已得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。

在要求極高的襯底片清洗中，IPA干燥存在水痕的殘留問(wèn)題。IPA干燥中的水痕難以被絕對(duì)消除，但是通過(guò)一系列工藝優(yōu)化將水痕降到足夠低的比例是可行的。本文將從水痕的形成原因出發(fā)，對(duì)影響IPA干燥效果的主要因素進(jìn)行研究。

1 Marangoni干燥機(jī)理分析

Marangoni干燥原理如圖1所示，晶片在IPA氣氛下與水分離（可通過(guò)晶片提拉或水慢排的方式實(shí)現(xiàn)），完全分離后，流體慢排使花籃干燥，開(kāi)啟排風(fēng)將IPA蒸汽抽掉，同時(shí)通入氮?dú)獯蹈删砻鏆埩舻腎PA。

圖1中的第2個(gè)步驟“晶片緩慢提拉”是Marangoni干燥的核心環(huán)節(jié)。提拉過(guò)程中，晶片表面的水會(huì)呈坡?tīng)盍飨?，如圖2所示，如果兩片晶片距離很近（例如處在花籃的相鄰槽中），這種坡?tīng)钏鲿?huì)相連為彎月形[1]。這種坡?tīng)钏鞯淖罡唿c(diǎn)與晶片接觸，主要受到4種力的作用，即水的重力G，晶片/水的界面張力γls，晶片的表面張力γs和水的表面張力γl，θ為水與晶片的接觸角，如圖3所示。

圖1 Marangoni干燥過(guò)程示意圖

在IPA蒸汽存在的環(huán)境中，由于IPA的表面張力比水小得多（25℃，IPA表面張力為20.9×10-3N/m；水的表面張力為 72.8×10-3N/m），所以會(huì)在坡?tīng)钏鞅韺有纬杀砻鎻埩μ荻?，產(chǎn)生Marangoni對(duì)流，使水更容易從晶片表面脫離。

圖2 晶片提拉過(guò)程中的水流方向

圖3 接觸點(diǎn)的受力情況

2 實(shí)驗(yàn)部分

利用100 mm（4英寸）硅拋光片進(jìn)行IPA干燥，分兩組實(shí)驗(yàn)，干燥后利用光散射測(cè)試系統(tǒng)檢測(cè)水痕缺陷。

A組：分別在提拉速率1 mm/s、2 mm/s和3 mm/s下進(jìn)行不同IPA流量的Marangoni干燥，減壓排風(fēng)階段氮?dú)饬髁?0 L/min。

B組：提拉速率1 mm/s、IPA流量20 L/min下進(jìn)行Marangoni干燥，減壓排風(fēng)階段氮?dú)饬髁吭O(shè)置為（10～100）L/min，每次增幅 10 L/min。

C組：調(diào)整提拉高度，造成晶片與花籃的不同程度脫離。

3 結(jié)果與討論

3.1 Marangoni干燥的影響因素

Marangoni對(duì)流的形成本質(zhì)是IPA濃度梯度，而水從表面的脫離效果又與晶片提升速度密切相關(guān)。

圖4給出了不同提拉速率下IPA流量與水痕比例的關(guān)系。從圖4中可以看出，在沒(méi)有IPA供給時(shí)，晶片水痕的出現(xiàn)比例是100%，隨著IPA流量的增加，水痕比例有明顯的下降趨勢(shì)，當(dāng)流量增加到一定范圍時(shí)，水痕比例又出現(xiàn)平緩增長(zhǎng)的趨勢(shì)。圖5顯示了幾種IPA流量下的典型水痕缺陷。

圖4 不同提拉速率下IPA流量與水痕比例的關(guān)系

圖5 幾種典型的水痕缺陷圖（光反射掃描圖）

在沒(méi)有IPA蒸汽的情況下，晶片表面的水主要受到重力和水表面張力的作用向下流動(dòng)，當(dāng)晶片露出水面1/2后，晶片與水面的交界線開(kāi)始收縮，晶片表面的水受到的宏觀向下的力開(kāi)始變小，當(dāng)晶片完全脫離水面后，晶片下半部分仍有大量水存在，這些表面附著的水在氮?dú)庵斜淮蹈桑纬闪祟w粒群和氧化物構(gòu)成的水痕缺陷，如圖5（a）所示，這表明單純依靠慢速提拉難以獲得良好的干燥效果。如果在晶片提拉過(guò)程中，通入IPA蒸汽，產(chǎn)生Marangoni效應(yīng)，可使干燥效果大幅度提高，水痕缺陷變少變小，如圖 5（b）和圖 5（c）所示。但是。絕非IPA蒸汽流量越大越好，實(shí)驗(yàn)中IPA流量超過(guò)60 L/min后，晶片表面會(huì)呈現(xiàn)無(wú)規(guī)則缺陷，如圖5（d）所示，這是因?yàn)镮PA蒸汽在腔體內(nèi)積聚，在晶片表面冷凝形成液體薄層，在減壓排風(fēng)后揮發(fā)掉，殘留下各種形態(tài)的干燥缺陷。

從圖4中還能發(fā)現(xiàn)提拉速率對(duì)干燥效果有著明顯影響，低速提拉更容易獲得良好的干燥效果，但過(guò)低的提拉速率會(huì)降低干燥效率，并使得干燥效果變得不穩(wěn)定。

另一個(gè)非常重要的現(xiàn)象是：即使在IPA蒸汽存在的情況下，無(wú)論如何設(shè)置蒸汽流量或提拉速率，當(dāng)晶片脫離水面后，底部仍會(huì)有少量水存在，難以完全消除。事實(shí)上，Marangoni干燥產(chǎn)生的水痕大多出現(xiàn)在晶片底部，其直接原因即是晶片完全脫離水面后底部仍有殘水。如何不留痕跡地消除底部殘水，是IPA干燥的另一個(gè)核心環(huán)節(jié)。

3.2 底部殘水的去除

晶片完全脫離水面后，底部的殘水只能通過(guò)蒸發(fā)去除，所以此部分的核心內(nèi)容是營(yíng)造合適的蒸發(fā)環(huán)境。

為獲得良好的蒸發(fā)效果，此步驟進(jìn)行減壓排風(fēng)是必要的，同時(shí)還要持續(xù)供給氮?dú)猓蛊湓谌コ惑w內(nèi)的IPA蒸汽的同時(shí)形成流動(dòng)氣流，加快底部殘水的蒸發(fā)。根據(jù)伯努利原理，氮?dú)獾牧髁繉?duì)殘水的蒸發(fā)效果有著重要影響，圖6是不同氮?dú)饬髁肯碌木稍餇顩r，表明氮?dú)饬髁吭酱?，晶片的干燥效果越好?/p>

圖6 氮?dú)饬髁繉?duì)底部殘水的去除效果

圖7 IPA促進(jìn)水的鋪展[2]

圖6同時(shí)表明，單純依靠氮?dú)獯捣?，?huì)有相當(dāng)一部分晶片底部的殘水不能被完全去除，這是生產(chǎn)工藝所不能容忍的，并且氮?dú)獯捣飨滤恼舭l(fā)速率很慢，水與晶片界面長(zhǎng)時(shí)間存在并暴露在氣體中，較容易發(fā)生氧化反應(yīng)，形成局部氧化缺陷。實(shí)驗(yàn)表明，此步驟如果通入適量的IPA蒸汽，可以幫助殘水盡快在晶片表面鋪展開(kāi)來(lái)，其原理如圖7所示，以加快殘水的蒸發(fā)。必須指出的是，雖然同樣是IPA的作用，但此步驟已不再是Marangoni效應(yīng)范疇，對(duì)IPA流量和供給時(shí)間有了不同的要求。

3.3 干燥過(guò)程中花籃對(duì)晶片的影響

在多片干燥過(guò)程中，花籃對(duì)晶片干燥效果的影響是不能回避的。花籃是承載晶片的容器，需要與晶片一并被干燥，但是其結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)比晶片復(fù)雜得多，在干燥中需要進(jìn)行專(zhuān)門(mén)討論。

晶片與花籃具有面接觸，二者同時(shí)進(jìn)行IPA干燥時(shí)，面接觸部位（通常為溝槽）的水難以在Marangoni干燥步驟完全消失，而長(zhǎng)時(shí)間存留在溝槽內(nèi)，最終導(dǎo)致氧化性缺陷。片、籃在干燥中的分離設(shè)計(jì)有助于降低水痕缺陷的比例，如表1所示，當(dāng)片、籃處于半分離狀態(tài)時(shí)，二者的接觸面相對(duì)下降，晶片兩側(cè)的水流到晶片底部，造成底部水痕缺陷比例增加；當(dāng)片、籃處于完全分離狀態(tài)時(shí)，接觸面的影響被消除，水痕比例有明顯下降，但是隨著片、籃分離程度的增加，整體干燥時(shí)間也會(huì)增加。

表1 片、籃在不同狀態(tài)下的干燥表現(xiàn)

4 結(jié) 論

本文通過(guò)對(duì)晶片IPA干燥的理論和實(shí)驗(yàn)分析，研究了IPA流量和提拉速率對(duì)Marangoni干燥過(guò)程的影響，認(rèn)為IPA流量在20 L/min、提拉速率在1 mm/s時(shí)干燥效果最佳；研究同時(shí)發(fā)現(xiàn)Marangoni干燥過(guò)程不能完全去除晶片的底部殘水，需要營(yíng)造合適的蒸發(fā)環(huán)境，減壓排風(fēng)下供給適量的IPA蒸汽有助于底部殘水的去除和水痕比例的降低。片、籃在干燥中存在相互影響，二者完全分離的模式可消除這種影響，但同時(shí)會(huì)使干燥時(shí)間增長(zhǎng)。

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[1]O Zikanov，W Boos，K Wolke，A.Thess.A model for thermal Marangoni drying[J]，Journal of Engineering Mathematics，2001（4）：250-251.

[2]In-Soung Chang，Jae-Hyung Kim.Development of clean technology in wafer drying processes[J]，Journal of Cleaner Production，2001（9）：228-229.

The Research on The IPA Dry of Polished Wafer

ZHANG Weicai，ZHAO Quan
（The 46th Research Institute of CETC，Tianjin 300220，China）

Abstract:IPA drying based on Marangoni convection encountered a bottleneck in the polished wafer drying process because of watermark.The water of wafer surface followed the Young equation，and its removal efficiency depended on the IPA flow and the pulling rate.The drying result was best when the IPA flow was 20L/min and the pulling rate was 1mm/s.Appropriate evaporation environment was needed to remove the water from the bottom of wafer，and adding appropriate amount of IPA vapor under the exhaust was proved to be an effective way.Complete separation could avoid the mutual influence of wafer and cassette，however，the drying time was increased simultaneously.

Keywords:Isopropyl alcohol；Marangoni；Water of bottom；Watermark

TN305.97

A

1004-4507（2013）11-0022-04

2013-07-31

張偉才（1985-），男，漢族，工程師，河北玉田人，研究方向?yàn)榘雽?dǎo)體材料加工。

趙 權(quán)（1967-），男，漢族，研究員，河北昌黎人，研究方向?yàn)榘雽?dǎo)體材料加工。