南昌大學(xué)太陽(yáng)能光伏學(xué)院&材料科學(xué)與工程學(xué)院

■ 龔洪勇 周浪 黃海賓 向昱任 汪已琳 張東華 高江 崔冶青

一 引言

異質(zhì)結(jié)氫化非晶硅/晶硅太陽(yáng)電池的關(guān)鍵技術(shù)之一是在氫化非晶硅/晶硅異質(zhì)結(jié)界面內(nèi)插入一層高質(zhì)量的本征氫化非晶硅薄膜(i-a-Si:H)，以減少硅片表面復(fù)合速率和界面態(tài)密度，提高太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率。摻雜非晶硅薄膜的隙態(tài)密度高達(dá)1018cm?3，與晶體硅片形成界面的懸掛鍵和缺陷態(tài)密度高，具有較高的復(fù)合電流，可增加暗隧穿泄漏電流。本征a-Si:H層的隙態(tài)密度僅為1015～1016cm?3，能極大地抑制隧穿電流[1]；相對(duì)摻雜非晶硅薄膜，高質(zhì)量的本征非晶硅薄膜與晶體硅片形成界面的懸掛鍵更少，缺陷態(tài)密度更低，具有更好的界面鈍化效果。本文為采用PECVD法在太陽(yáng)能級(jí)n型直拉單晶(Cz)硅襯底上沉積i-a-Si:H薄膜工藝，旨在優(yōu)化工藝以期得到更好的鈍化效果。

二 實(shí)驗(yàn)

LDK提供的n型Cz-Si(40mm×40mm)厚度約185μm，電阻率約3?·cm，(100)面，體少子壽命＞1ms，以此為樣品，以KOH溶液去除損傷層，減薄后厚度約150μm，再經(jīng)過(guò)RCA清洗后，以氫氣(H2)和硅烷(SiH4)做反應(yīng)氣源，用PECVD在硅片的前后表面制備i-a-Si薄膜。采用Similab的WT-2000PV少子壽命測(cè)試儀測(cè)試制備樣品的少子壽命[2]，激光波長(zhǎng)為904nm，注入硅材料深約30μm，微波頻率約10GHz。

三 結(jié)果和討論

1 不同的氫稀釋比的影響

氫氣的稀釋比對(duì)非晶硅薄膜中的晶化率有一定的影響。如圖1所示，氫氣稀釋較低時(shí)，硅片的少子壽命較高，鈍化效果較好；氫氣稀釋較高時(shí)，硅片的少子壽命較低。這是因?yàn)槌练e氣源中氫氣稀釋較高時(shí)會(huì)增加晶化率，易得到微晶硅薄膜[3]，微晶硅能增加界面的粗糙度，增加懸掛鍵和缺陷態(tài)密度；稀釋較低時(shí)易得到非晶硅，高質(zhì)量的非晶硅薄膜可降低懸掛鍵和缺陷態(tài)密度，鈍化效果更好。文獻(xiàn)[4]指出在異質(zhì)結(jié)界面中需防止出現(xiàn)外延生長(zhǎng)惡化異質(zhì)結(jié)界面的情況發(fā)生。本文研究結(jié)果與文獻(xiàn)[5]在氫稀釋比R≤5時(shí)可獲得高質(zhì)量的異質(zhì)結(jié)界面和長(zhǎng)少子壽命樣品相符合。

圖1 在60sccm總流量下不同氫氣稀釋比對(duì)少子壽命的影響

2 不同襯底溫度的影響

襯底溫度直接影響反應(yīng)前驅(qū)體在生長(zhǎng)表面的擴(kuò)散，很大程度上對(duì)薄膜初期的孵化層和總體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生影響。如圖2所示，溫度較低時(shí)硅片少子壽命較低，說(shuō)明溫度較低時(shí)不利于反應(yīng)物前驅(qū)體在生長(zhǎng)表面的擴(kuò)散，影響非晶硅薄膜的質(zhì)量；溫度繼續(xù)升高，有利于薄膜生長(zhǎng)，此時(shí)的懸掛鍵和缺陷態(tài)密度會(huì)較低，鈍化效果更好；溫度繼續(xù)升高，有可能會(huì)造成外延生長(zhǎng)[2]，界面粗糙度增加導(dǎo)致懸掛鍵和缺陷態(tài)密度增加，鈍化效果又會(huì)降低。實(shí)驗(yàn)結(jié)果與文獻(xiàn)[6]最優(yōu)溫度210℃相接近。

圖2 當(dāng)H2/SiH2=25sccm:5sccm時(shí)，不同溫度下少子壽命的變化

3 不同沉積氣壓的影響

一定功率下，沉積時(shí)的氣壓會(huì)影響電子與氣體分子的碰撞幾率、反應(yīng)活性基團(tuán)的產(chǎn)生率以及電子溫度和離子轟擊效應(yīng)等。如圖3所示，在較低氣壓下，硅片少子壽命較低；繼續(xù)升高氣壓，硅片的少子壽命上升；氣壓再升高，則硅片的少子壽命又會(huì)下降。這是因?yàn)椋簹鈮狠^低時(shí)，電子和氣體碰撞幾率低，反應(yīng)活性基團(tuán)少，薄膜生長(zhǎng)效果不理想，而且電子溫度高，可能單個(gè)離子轟擊效應(yīng)會(huì)加大，進(jìn)一步降低界面質(zhì)量；氣壓升高時(shí)，電子和氣體碰撞幾率增加，反應(yīng)活性基團(tuán)增加，薄膜生長(zhǎng)效果更好，電子溫度也會(huì)降低，有可能降低了離子轟擊效應(yīng)，鈍化效果會(huì)更好；進(jìn)一步增加氣壓，電子或離子的平均自由程比較短，電子能量下降，產(chǎn)生反應(yīng)前驅(qū)體和活性粒子的能力變低，等離子體密度可能會(huì)增加到最大值后然后下降，使反應(yīng)氣體活性變?nèi)酰@可能會(huì)發(fā)生一些不利情況，如反應(yīng)活性基團(tuán)過(guò)多，不能及時(shí)在生長(zhǎng)表面擴(kuò)散，影響成膜質(zhì)量，或發(fā)生大量電子或離子與原子團(tuán)之間的碰撞，這種大量的碰撞導(dǎo)致它們之間聚合，形成(SiH2)n聚合物，從而降低了非晶硅薄膜的質(zhì)量。文獻(xiàn)[7]中指出了非晶硅薄膜中硅氫結(jié)合時(shí)的形態(tài)變化，低壓時(shí)易形成Si-H，而高壓時(shí)易形成(Si-H2)和(SiH2)n聚合物?？梢哉J(rèn)為，在適當(dāng)條件下前者對(duì)非晶硅薄膜有序度破壞更低導(dǎo)致隙態(tài)密度會(huì)更低，后者對(duì)非晶硅薄膜有序度破壞更高導(dǎo)致隙態(tài)密度更高。

圖3 當(dāng)H2/SiH4=25sccm:5sccm時(shí)，不同氣壓下少子壽命的變化

綜合以上工藝規(guī)律，通過(guò)優(yōu)化參數(shù)，最終在SiH4∶H2=3sccm∶15sccm，襯底溫度200℃，沉積氣壓22Pa，基板功率密度0.05W/cm2的條件下，在太陽(yáng)能級(jí)n型Cz硅片(40mm×40mm)上雙面沉積非晶硅薄膜，鈍化后的硅片測(cè)試得到的平均少子壽命值在800μs以上，局部1500μs以上，如圖4所示。

硅片表面復(fù)合速率S可表示為：

實(shí)驗(yàn)所用的樣品硅片體少子壽命τbulk＞1ms，經(jīng)減薄后厚度W約150μm，根據(jù)式(1)可推算出鈍化后硅片平均表面復(fù)合速率S。假設(shè)硅片τbulk趨于無(wú)窮大時(shí)表面復(fù)合速率最高，仍得到S＜9.38cm/s的優(yōu)良鈍化效果；若硅片τbulk為2ms，則S＜5.63cm/s。

圖4 硅片少子壽命掃描圖

四 結(jié)語(yǔ)

經(jīng)過(guò)PECVD工藝優(yōu)化后，太陽(yáng)能級(jí)n型Cz硅片鈍化后的平均少子壽命值在800μs以上，局部在1500μs以上，經(jīng)推算得到了鈍化后硅片平均表面復(fù)合速率S＜9.4cm/s的優(yōu)良鈍化效果。

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