曹 歆,忻 誼
(上海三菱電梯有限公司,上海 200245)
據(jù)統(tǒng)計(jì),電梯的門(mén)機(jī)故障占電梯所有故障的70%左右,因此,提高門(mén)機(jī)的穩(wěn)定性和可靠性是提高電梯性能的重要手段之一。根據(jù)不同需求,門(mén)機(jī)有許多規(guī)格,其控制系統(tǒng)的內(nèi)部參數(shù)存在一定的變化范圍。門(mén)機(jī)在運(yùn)行過(guò)程中也受到外界擾動(dòng),如導(dǎo)軌變形、異物阻塞等情況產(chǎn)生的阻力。這些因素都將影響門(mén)機(jī)的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)定性。在設(shè)計(jì)門(mén)機(jī)控制系統(tǒng)時(shí),通過(guò)基于魯棒的設(shè)計(jì)可以提高門(mén)機(jī)運(yùn)行的穩(wěn)定性和可靠性。
永磁同步電機(jī)已經(jīng)十分廣泛的運(yùn)用于電梯的門(mén)機(jī)系統(tǒng)中,其電氣控制系統(tǒng)一般采用id=0 的雙閉環(huán)矢量控制方法,系統(tǒng)框圖如圖1所示。
圖1 永磁同步門(mén)機(jī)電氣控制系統(tǒng)框圖
該控制系統(tǒng)由速度環(huán)控制器、d 軸和q 軸的電流環(huán)控制器、坐標(biāo)變換、脈寬調(diào)制、逆變裝置、永磁同步電機(jī)、速度和位置反饋模塊組成。
根據(jù)一款電梯門(mén)機(jī)控制器的參數(shù),在Matlab 中建立其模型。其中速度環(huán)控制器(ASR)為PI 控制器,參數(shù)設(shè)定為:Integral=7,Proportional=0.52。d 軸和q 軸的電流環(huán)控制器(ACR)也為PI 控制器,兩個(gè)控制器的參數(shù)都設(shè)定為:Integral=5875,Proportional=4.5。
在系統(tǒng)框圖中有2 個(gè)坐標(biāo)變換過(guò)程,分別是(d-q)至(α-β)和(a-b-c)至(d-q)。永磁同步電機(jī)的模型的輸出端可以直接引出id和iq,(d-q)至(α-β)的變化模塊可由一個(gè)簡(jiǎn)單的函數(shù)定義。脈寬調(diào)制選用SVPWM 空間矢量脈寬調(diào)制方法。逆變器模型可將Universal Bridge 模塊和DC Voltage Source 模塊聯(lián)接起來(lái)。永磁同步電機(jī)的模型可以直接調(diào)用,參數(shù)如下:
定子電阻(折算至d-q 坐標(biāo)系)R=31.86Ω,定子電感(折算至d-q 坐標(biāo)系)L=20.1mH,轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)動(dòng)慣量J=3.35×10-4kgm2,極對(duì)數(shù)p=8,轉(zhuǎn)子磁通Φf=0.4083Wb。
根據(jù)系統(tǒng)圖選取轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速ω,轉(zhuǎn)子位置θ,d 軸電流id和q 軸電流iq作為輸出量,同時(shí)選取電磁轉(zhuǎn)矩Te連接示波器,可直觀的了解電機(jī)的運(yùn)行情況。不考慮門(mén)傾斜時(shí)的水平分量,在開(kāi)門(mén)過(guò)程中:
式中:Fm—電機(jī)的驅(qū)動(dòng)力;m—層門(mén)和轎門(mén)的總質(zhì)量;f—估算的摩擦力;Fzc—層門(mén)重錘的強(qiáng)迫關(guān)門(mén)力;r—輸出軸輪槽半徑。按常用規(guī)格,m=220kg,F(xiàn)zc=49N,f=4.9N,r=0.0218m。根據(jù)式(1)作出門(mén)扇負(fù)載的模型。
圖2 轉(zhuǎn)速、電磁力矩、Id、Iq曲線圖
在電梯門(mén)機(jī)的運(yùn)行過(guò)程中,有許多影響控制系統(tǒng)正常運(yùn)行的擾動(dòng)量。大體有:聯(lián)動(dòng)裝置間隙過(guò)大產(chǎn)生的振動(dòng);門(mén)導(dǎo)靴在地坎或門(mén)滑輪在導(dǎo)軌上受到的摩擦力或阻力;同步帶或鋼絲繩張緊力下降導(dǎo)致松弛下垂;門(mén)扇變形,在運(yùn)行過(guò)程中與轎廂前壁發(fā)生摩擦;各個(gè)層站層門(mén)的材質(zhì)或高度可能各不相同,導(dǎo)致門(mén)扇質(zhì)量有所不同。
由于導(dǎo)軌變形、門(mén)扇變形、地坎阻塞等因素導(dǎo)致摩擦力和阻力突然增加,這些不確定負(fù)荷是加載在電機(jī)控制系統(tǒng)輸出端的外部干擾。電機(jī)模型是在許多假設(shè)條件下建立的,與實(shí)際值有一定的誤差;不同規(guī)格的門(mén)扇重量使得整個(gè)系統(tǒng)的內(nèi)部慣量有所變化;同步帶、鋼絲繩的張力松弛導(dǎo)致傳動(dòng)效率降低,這些因素使控制系統(tǒng)內(nèi)部在實(shí)際運(yùn)行時(shí)存在參數(shù)攝動(dòng)。根據(jù)上述情況,可將控制器的設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)化為混合靈敏度問(wèn)題,運(yùn)用H∞控制的標(biāo)準(zhǔn)問(wèn)題的方法加以求解。
表面式永磁同步電機(jī)在id=0 控制方法時(shí)的(d-q)坐標(biāo)系下的電壓、磁轉(zhuǎn)矩和運(yùn)動(dòng)方程如下:
式中,ud、uq—定子電壓d、q 軸分量;iq—定子電流q 軸分量;Lq分別為q 軸電感分量;Φf—永磁體的等效磁通,ωm 為轉(zhuǎn)子電角速度,R 為定子繞組的電阻,p為極對(duì)數(shù)。
設(shè):KT—轉(zhuǎn)矩系數(shù):KT=1.5pΦf;Kω—電勢(shì)系數(shù):Kω=pΦf;Ki—電流反饋系數(shù),取Ki=R;KACR為電流環(huán)控制器的增益,KACR=4.5。得出其動(dòng)態(tài)結(jié)構(gòu)框圖如圖3所示。
其傳遞函數(shù)G(s)為:
按照永磁同步電機(jī)的參數(shù)值,代入式(2):
(1)設(shè)G 為標(biāo)稱(chēng)對(duì)象,根據(jù)G 的傳遞函數(shù),設(shè)置參數(shù)num 和den,并用tf 函數(shù)生成其模型:G=tf(num,den)。
(2)用tf2ss 函數(shù)將傳遞函數(shù)轉(zhuǎn)換為狀態(tài)空間模型:[a,b,c,d]=tf2ss(num,den)。
(3)用mksys 函數(shù)將狀態(tài)空間模型轉(zhuǎn)換為單獨(dú)的S模型變量:S=mksys(a,b,c,d)。
(4) 賦值加權(quán)函數(shù)W1、W2、W3。
(5)用augtf 函數(shù)生成廣義對(duì)象P=augtf(S,W1,W2,W3)。
(6)設(shè)F(s)為H∞控制器,用函數(shù)hinf () 設(shè)計(jì)H∞控制器。調(diào)用格式為:[ss_f,ss_cl]=hinf(P)。其中,P 為廣義對(duì)象。返回變量中,ss_f 為H∞控制器F(s)的樹(shù)變量形式,ss_cl 為F(s)作用下的閉環(huán)系統(tǒng)狀態(tài)方程的樹(shù)變量形式。
在求解前,Matlab 首先驗(yàn)證H∞控制器存在的所有前提條件是否滿(mǎn)足:①控制器Riccati 方程的解X 為正定矩陣;②觀測(cè)器Riccati 方程的解Y 為正定矩陣;③兩個(gè)Riccati 方程的積矩陣的所有的特征值均小于γ2,即λmax(XY)<γ2。若不滿(mǎn)足前提條件,則需要重新調(diào)整加權(quán)函數(shù)W1、W3,如此循環(huán),直至所有條件滿(mǎn)足,則將設(shè)計(jì)出一個(gè)H∞控制器。
(7)當(dāng)滿(mǎn)足上一步后,用hinfopt () 函數(shù)來(lái)求得最優(yōu)H∞控制器。該函數(shù)使用了二分算法來(lái)實(shí)現(xiàn)迭代過(guò)程,調(diào)用格式為:[g,ss_f,ss_cl]=hinfopt(P)。其中,g 為最優(yōu)的γ 值,其它變量同hinf () 函數(shù)。
(8)用branch 函數(shù)提取求得的H∞控制器樹(shù)變量中的組成變量:[af,bf,cf,df]=branch(ss_f)。
(9) 用ss 函數(shù)將H∞控制器轉(zhuǎn)換成狀態(tài)空間:F=ss(af,bf,cf,df)。
(10) 用tf 函數(shù)將H∞控制器轉(zhuǎn)換成傳遞函數(shù)形式:F_t=tf(F)?;蛴脄pk 函數(shù)轉(zhuǎn)換成零極點(diǎn)形式:F_z=zpk(F)。
在H∞優(yōu)化設(shè)計(jì)中,加權(quán)函數(shù)的選擇是十分重要的一步,直接反映了系統(tǒng)的各種性能指標(biāo)要求。按照選擇加權(quán)函數(shù)的原則,同時(shí)滿(mǎn)足H∞控制器存在的所有條件,經(jīng)多次調(diào)整后選?。?/p>
將計(jì)算出的H∞控制器F(s)的分子上增加一個(gè)極小的微分環(huán)節(jié)(0.000001s+1),在不影響特性的基礎(chǔ)上,使F(s)的分子與分母同階,即:F'(s)=(0.000001s+1)F(s),用F'(s)模塊代替模型中的速度環(huán)PI 控制器,然后進(jìn)行仿真。
圖4 H∞控制時(shí),轉(zhuǎn)速、電磁力矩、Id、Iq曲線圖
仿真試驗(yàn)的條件與PI 控制器時(shí)相同,結(jié)果如圖4所示。對(duì)照速度環(huán)為PI 控制器時(shí)的仿真結(jié)果,可以得出:H∞控制時(shí),啟動(dòng)時(shí)的轉(zhuǎn)速ωm響應(yīng)比PI 控制時(shí)快,但有微小的超調(diào)。負(fù)載突增時(shí),H∞控制的轉(zhuǎn)速ωm沒(méi)有下降跡象,說(shuō)明系統(tǒng)具有很強(qiáng)的抗擾性。
將系統(tǒng)的參數(shù):轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)動(dòng)慣量J、定子電阻R、定子電感L 和磁通Φ 各增減15%左右,模擬系統(tǒng)參數(shù)的攝動(dòng)。經(jīng)過(guò)仿真實(shí)驗(yàn),三種情況下的門(mén)機(jī)系統(tǒng)輸出的轉(zhuǎn)速ωm基本上重合在一起,沒(méi)有明顯偏離和變化,表明該H∞控制器對(duì)參數(shù)攝動(dòng)也有很強(qiáng)的魯棒性。
將H∞控制器代替門(mén)機(jī)控制系統(tǒng)速度環(huán)的PI 控制器,對(duì)負(fù)載擾動(dòng)和參數(shù)攝動(dòng)兩方面情況下的系統(tǒng)進(jìn)行了仿真實(shí)驗(yàn)。仿真結(jié)果表明:在H∞控制器作用下,負(fù)載突增和在參數(shù)攝動(dòng)時(shí),轉(zhuǎn)速基本沒(méi)有明顯變化,該控制系統(tǒng)具有較強(qiáng)的抗擾性。
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