亚洲免费av电影一区二区三区,日韩爱爱视频,51精品视频一区二区三区,91视频爱爱,日韩欧美在线播放视频,中文字幕少妇AV,亚洲电影中文字幕,久久久久亚洲av成人网址,久久综合视频网站,国产在线不卡免费播放

        ?

        高阻襯底CMOS 外延工藝研究

        2013-07-20 09:40:38旸,唐冬,孔
        微處理機 2013年2期
        關鍵詞:外延襯底電位

        劉 旸,唐 冬,孔 明

        (中國電子科技集團公司第四十七研究所,沈陽 110032)

        1 引言

        采用N 型襯底,準雙阱工藝的CMOS 電路在工作時N 型襯底接高電位,P 阱接低電位。而研究中的CMOS 電路需要在部分P 阱接高電位,屬于多電位電路。為了滿足這一要求,需采用外延片做隔離的方式,形成隔離島滿足部分P 阱接高電位的需求,避免其對整個電路造成影響。

        2 工藝結(jié)構(gòu)

        外延MOS 結(jié)構(gòu)在MOS 工藝中是一種常用的結(jié)構(gòu),采用的外延結(jié)構(gòu)為同型的低阻襯底、高阻外延。這種結(jié)構(gòu)可以降低α 粒子輻照引起的軟失效率,提高電路速度,解決CMOS 電路的閂鎖問題,提高少子壽命。在VDMOS、BiCMOS 工藝中都已得到廣泛應用。而本次研究中討論的CMOS 外延工藝只是為了滿足CMOSIC 中多電位電路的電位需求,因此選用了在P 型高阻襯底上做N 型高阻外延的外延結(jié)構(gòu)。

        由于本研究中的電路屬于CMOS 工藝,不需要在外延下做埋層,且埋層會在外延生長過程中帶來層錯等缺陷,還易與外延產(chǎn)生過渡區(qū),不僅會影響襯底的電阻,還會將過渡區(qū)形成的高低結(jié)引入電場。因此本電路中沒有埋層工藝,工藝結(jié)構(gòu)如圖1 所示。

        圖1 外延結(jié)構(gòu)

        3 工藝試驗

        為了與常規(guī)CMOS 工藝兼容,選用了電阻率為(3-6)Ω·cm的外延層。由于外延層厚度必須大于P 阱結(jié)深與固定的P 阱與外延層擊穿電壓下的勢壘區(qū)寬度之和,即:

        已知P 阱結(jié)深xj<4μm,需計算。通過帶埋層的外延層穿通電壓公式:

        3.1 具體實驗內(nèi)容

        具體實驗方法是在外延片上進行隔離及P 阱的光刻、注入。通過改變注入劑量和推結(jié)時間調(diào)整合適的工藝條件。實驗步驟如圖2 所示。

        圖2 實驗步驟

        3.2 實驗過程

        (1)首先選取外延厚度為6μm-7μm的外延片,在表面進行劑量為1.5E13的硼注入。推結(jié)時間為4 小時時就已經(jīng)隔離透,注入?yún)^(qū)與襯底已呈電阻特性,隔離島間擊穿電壓為40V。將試驗片進行磨結(jié)、染色,隔離區(qū)結(jié)深為3.6μm。在外延厚度為6μm-7μm的情況下,這個結(jié)果是不可能產(chǎn)生的。因此,對外延片進行了測試。

        通過廠家給定的電阻率用四探針測試,外延層厚度為6μm-7μm的外延片,實測外延層厚度為3.46μm,符合實驗結(jié)果。但這個外延厚度遠達不到工藝要求。通過分析,應該是N、P 型高阻之間存在過寬的空間電荷區(qū),造成有效外延層厚度偏薄。為此,將外延層厚度增加為8μm-9μm,重新進行實驗。

        (2)將外延厚度為8.98μm的外延片,在表面進行劑量為1.5E13的硼注入。推結(jié)時間為4 小時。推結(jié)后測試,注入?yún)^(qū)與襯底呈電阻特性,隔離島間擊穿電壓為40V。該片已隔透。

        由于外延層厚度雖然增加,但在同樣的實驗條件下,其隔離特性卻未發(fā)生變化,這種情況并不合理。因此更換了外延供應商,并將外延層厚度要求改為有效外延層厚度為7μm-8μm的外延片。實際外延片的外延層厚度為10.45μm。

        (3)外延厚度為10μm 以上的外延片,硼注入劑量為1.5E13,阱推時間4 小時時未隔離透,注入?yún)^(qū)與襯底間擊穿電壓為100V 以上。補推9 小時后,仍未隔透,注入?yún)^(qū)與襯底間擊穿電壓為25V 以上。將該片進行磨結(jié)、染色,其注入?yún)^(qū)推進深度為6.9μm。

        (4)外延厚度為10μm 以上的外延片,將硼注入劑量更改為5E13,進行12 小時阱推,注入?yún)^(qū)與襯底呈電阻特性,該片隔離透。將該片進行磨結(jié)、染色,其注入?yún)^(qū)推進深度為7.8μm。

        通過這(3)、(4)兩次實驗的結(jié)果可以推測,外延厚度為10μm 以上的外延片的有效外延厚度滿足7μm-8μm的預期,其實驗結(jié)果證明此種厚度的外延片可以滿足常規(guī)CMOS 工藝要求,且其隔離工藝可以與CMOS 工藝兼容。

        具體注入劑量及阱推時間如下:

        表1 外延實驗內(nèi)容

        (5)為了確定隔離區(qū)橫向擴展寬度,進一步確定設計規(guī)則,將(4)步實驗進行模擬以確定隔離區(qū)橫向擴展寬度。

        根據(jù)圖3 結(jié)果,最終確定10.45μm 外延層厚度的試驗片在隔離透的情況下,橫向擴展為6.2μm。

        4 結(jié)束語

        通過對高阻襯底、高阻外延CMOS 工藝的研究發(fā)現(xiàn),同型的高阻外延層與襯底間雖不存在雜質(zhì)上反形成的過渡區(qū),但卻存在過大的空間電荷區(qū)。通過這次實驗,確定了CMOS 外延工藝中有效外延層厚度的選擇方法,為今后開展多電位、準雙阱CMOS電路的研究打下基礎。

        圖3 隔離注入工藝模擬結(jié)果

        本工作得到了陳桂梅教授及主持測試、模擬工作的各位同仁的關心和支持,在此謹致謝意。

        [1]孫膺九.MOS 硅外延技術[J].電子科學技術,1982(1):50-52.

        [2]李養(yǎng)賢,鞠玉林.P <100 >Si 襯底晶向偏離度對外延埋層圖形畸變的影響[J].半導體學報,,17(4):241-244.

        猜你喜歡
        外延襯底電位
        電位滴定法在食品安全檢測中的應用
        硅襯底LED隧道燈具技術在昌銅高速隧道中的應用
        電鍍廢水處理中的氧化還原電位控制
        關于工資內(nèi)涵和外延界定的再認識
        大尺寸低阻ZnO單晶襯底
        入坑
        意林(2016年13期)2016-08-18 22:38:36
        淺談等電位聯(lián)結(jié)
        愛情的內(nèi)涵和外延(短篇小說)
        唐山文學(2016年11期)2016-03-20 15:25:49
        大尺寸低阻ZnO 單晶襯底
        大尺寸低阻ZnO 單晶襯底
        国产精品嫩草影院AV| 亚洲欧美成人久久综合中文网| 一区二区三区视频偷拍| 亚洲av免费不卡在线观看| 日本精品女优一区二区三区| 狠狠色婷婷久久综合频道日韩| 亚洲午夜精品久久久久久人妖 | 全部孕妇毛片| 亚洲国产成人精品91久久久| 日韩一区二区中文字幕| 亚洲中文字幕午夜精品| 亚洲av无码精品色午夜在线观看| 久久精品国产99精品国偷| 男女午夜视频一区二区三区| 无遮挡很爽很污很黄的女同| 日韩一卡2卡3卡4卡新区亚洲| 国品精品一区二区在线观看| 色婷婷狠狠97成为人免费| 亚洲成在人线天堂网站 | 免费观看的av毛片的网站| 欧美巨大xxxx做受l| 无遮挡网站| 丁香婷婷激情俺也去俺来也| 久草青青91在线播放| 青青草视频免费观看| 性做久久久久久久| 精品国产a毛片久久久av| 一本丁香综合久久久久不卡网站| 国产露脸精品产三级国产av| 亚洲va中文字幕欧美不卡| 亚洲av人片在线观看| 国产丝袜美女| 亚洲黄色电影| 亚洲av乱码专区国产乱码| 少妇高潮太爽了免费网站| 老熟女的中文字幕欲望| 久久精品人人做人人爽| 香蕉亚洲欧洲在线一区| 日本一区二区免费在线看| 久久无码人妻一区二区三区午夜| 国产精品久久久久av福利动漫|