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        薄膜電容替代電解電容在DC-Link電容中的運(yùn)用分析

        2013-07-12 07:34:22廈門法拉電子股份有限公司羅榮海
        電子世界 2013年13期
        關(guān)鍵詞:電解電容金屬化電容器

        廈門法拉電子股份有限公司 羅榮海

        隨著各國出臺新能源相關(guān)政策以及新能源產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,該領(lǐng)域的相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也帶來了新機(jī)遇,電容器作為必不可少的上游相關(guān)產(chǎn)品行業(yè)也獲得了新的發(fā)展機(jī)遇。在新能源及新能源汽車運(yùn)用中,電容器在能源控制、電源管理、電源逆變以及直流交流變換等系統(tǒng)中是決定變流器壽命的關(guān)鍵元器件。變流技術(shù)在上述系統(tǒng)中普遍得到運(yùn)用,然而在逆變器中直流電作為輸入電源,需通過直流母線與逆變器連接,該方式叫作DC-Link或直流支撐。因逆變器在從DC-Link得到有效值和峰值很高的脈沖電流的同時(shí),會在DC-Link上產(chǎn)生很高的脈沖電壓使得逆變器難以承受。所以需要選擇DC-Link電容器來連接,一方面以吸收逆變器從DC-Link端的高脈沖電流,防止在DC-Link的阻抗上產(chǎn)生高脈沖電壓,使逆變器端的電壓波動處在可接受范圍內(nèi);另一方面也防止逆變器受到DC-Link端的電壓過沖和瞬時(shí)過電壓的影響。

        為新能源(含風(fēng)力發(fā)電和光伏發(fā)電)以及新能源汽車電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中DC-Link電容器的運(yùn)用示意圖圖1、2。

        圖1為風(fēng)力發(fā)電變流器電路拓?fù)鋱D,其中C1為DC-Link(一般整合到模塊上),C2為IGBT吸收,C3為LC濾波(網(wǎng)側(cè)),C4轉(zhuǎn)子側(cè)DV/DT濾波。圖2為光伏發(fā)電變流器電路拓?fù)鋱D,其中C1為DC濾波,C2為EMI濾波,C4為DC-Link,C6為LC濾波(網(wǎng)側(cè)),C3為DC濾波,C5為IPM/IGBT吸收。圖3為新能源汽車系統(tǒng)中主電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng),其中C3為DCLink,C4為IGBT吸收電容。

        在上述提到的新能源領(lǐng)域運(yùn)用中,DCLink電容作為一個(gè)關(guān)鍵器件,不管是在風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)、光伏發(fā)電系統(tǒng)還是在新能源汽車系統(tǒng)中都要求高可靠性及長壽命,其選型顯得尤為重要。下面介紹薄膜電容與電解電容的特性對比及在DC-Link電容運(yùn)用中兩者的分析對比:

        1.特性對比

        1.1 薄膜電容

        表1 電解電容與薄膜電容特性參數(shù)對比

        表2 C3A技術(shù)參數(shù)

        表3 C3B技術(shù)參數(shù)

        首先介紹薄膜金屬化的原理,薄膜金屬化技術(shù)的原理:在薄膜介質(zhì)表面蒸鍍上足夠薄的金屬層,在介質(zhì)存在缺陷的情況下,該鍍層能夠蒸發(fā)并因此隔離該缺陷點(diǎn)起到保護(hù)作用,這種現(xiàn)象被稱作自愈。圖4為金屬化鍍膜的原理圖[1],蒸鍍前薄膜介質(zhì)先進(jìn)行前期處理(電暈或其他方式)以便金屬分子能夠附著在上面。金屬通過在真空狀態(tài)下高溫溶化蒸發(fā)(鋁的蒸發(fā)溫度1400oC~1600oC,鋅的蒸發(fā)溫度400oC~600oC),當(dāng)金屬蒸氣遇被冷卻的薄膜后凝結(jié)在薄膜表面(薄膜冷卻溫度-25oC~-35oC),從而形成金屬鍍層。金屬化技術(shù)的發(fā)展提高了單位厚度的薄膜介質(zhì)的介電強(qiáng)度,干式技術(shù)脈沖或放電運(yùn)用電容設(shè)計(jì)可以達(dá)到500V/μm,直流濾波運(yùn)用電容設(shè)計(jì)可以達(dá)到250V/μm。DC-Link電容屬于后者,根據(jù)IEC61071對于電力電子運(yùn)用電容的要求可以承受較為苛刻的電壓沖擊,可以達(dá)到2倍的額定電壓[2]。因此使用者只需考慮其設(shè)計(jì)所需的額定工作電壓就可以了。金屬化薄膜電容器具有較低的ESR,使其能承受較大的紋波電流;較低的ESL滿足逆變器的低電感設(shè)計(jì)要求,減少了開關(guān)頻率下的震蕩效應(yīng)。

        薄膜介質(zhì)的質(zhì)量、金屬化鍍層質(zhì)量、電容器設(shè)計(jì)及制造過程工藝決定了金屬化電容器自愈特性的好壞。Faratronic生產(chǎn)的DC-Link電容用的薄膜介質(zhì)主要為OPP薄膜。

        1.2 電解電容

        圖1 風(fēng)力發(fā)電變流器電路拓?fù)鋱D

        圖2 光伏發(fā)電變流器電路拓?fù)鋱D

        圖3 新能源汽車主電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)電路拓?fù)鋱D

        圖4 金屬化鍍膜的原理圖

        電解電容使用的介質(zhì)為鋁經(jīng)過腐蝕形成的氧化鋁,介電常數(shù)為8~8.5,工作的介電強(qiáng)度約為0.07V/A(1μm=10000A),按照計(jì)算對于900Vdc的電解電容需要的厚度為12000A。然而要達(dá)到這樣的厚度是不可能的,因?yàn)闉榱双@得好的儲能特性所用鋁箔要進(jìn)行腐蝕形成氧化鋁膜,表面會形成許多凹凸不平的曲面,鋁層厚度會降低電解電容的容量系數(shù)(比容)。另一方面,低電壓的電解液電阻率為150Ωcm,高電壓(500V)的電解液的電阻率則達(dá)到5kΩcm。電解液較高的電阻率限制了電解電容所能承受的有效值電流,一般為20mA/μF[3]。

        基于上述原因電解電容的設(shè)計(jì)最高電壓典型值為450V(有個(gè)別廠家設(shè)計(jì)600V)。因此,為了獲得更高的電壓必須用電容器串聯(lián)實(shí)現(xiàn),然而因各個(gè)電解電容的絕緣電阻存在差異,為了平衡各串聯(lián)電容的電壓,各電容必須連接一個(gè)電阻。此外,電解電容為有極性器件,當(dāng)施加反向電壓超過1.5倍Un時(shí),會發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)。當(dāng)施加的反向電壓時(shí)間足夠長,電容將發(fā)生爆炸,或冒頂電解液將外溢。為了避免該現(xiàn)象發(fā)生,使用的時(shí)候要在每個(gè)電容旁并上一個(gè)二極管。除此之外,電解電容的耐電壓沖擊特性,一般為1.15倍Un,好的可以達(dá)到1.2倍Un。這樣設(shè)計(jì)師在使用時(shí)就不但要考慮穩(wěn)態(tài)工作電壓大小,而且還要考慮其沖擊電壓大小。

        綜上所述,可以得出薄膜電容與電解電容如下特性對比表,見表1。

        2.運(yùn)用分析

        DC-Link電容作為濾波器要求大電流和大容量設(shè)計(jì)。如圖3提到的新能源汽車主電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)就是一個(gè)例子。在該運(yùn)用中電容起到退耦作用,電路特點(diǎn)工作電流大。薄膜DC-Link電容具有較大優(yōu)勢,能承受較大的工作電流(Irms)。以50~60kW新能源汽車參數(shù)為例,參數(shù)如下:工作電壓330Vdc,紋波電壓10Vrms,紋波電流150Arms@10KHz。

        那么最小電容量計(jì)算為:

        另外,相對于電解電容DC-Link薄膜電容器通過設(shè)計(jì)可以達(dá)到很低的ESR(通常低于10mΩ,更低的<1mΩ)和自感LS(通常低于100nH,有的可以低于10或20nH)。這樣在運(yùn)用時(shí)DC-Link薄膜電容器可直接安裝到IGBT模塊,可以把母線整合到DC-Link薄膜電容器中,因此采用薄膜電容器則不再需要專門的IGBT吸收電容,為設(shè)計(jì)者節(jié)約了一筆不小的費(fèi)用。表2和表3為Faratronic C3A和C3B部分產(chǎn)品的技術(shù)參數(shù)[4]。

        3.結(jié)論

        作為直流支撐濾波用電容,DC-Link電容早期考慮到成本及尺寸因素大部分選擇電解電容。然而電解電容受到耐壓、電流承受能力(相對薄膜電容ESR高很多)等因素的影響,為了獲得大容量和滿足高壓使用要求,則必須要用多個(gè)電解電容進(jìn)行串、并聯(lián)。另外考慮到電解液材料的揮發(fā),所以要定期進(jìn)行更換,新能源運(yùn)用一般要求產(chǎn)品壽命要達(dá)15年,那么在這段時(shí)間內(nèi)必須更換兩到三次,因而在整機(jī)售后服務(wù)方面存在不小的費(fèi)用和不方便性。隨著金屬化鍍膜技術(shù)及薄膜電容器技術(shù)的發(fā)展,采用安全膜蒸鍍技術(shù)已經(jīng)可以用超薄OPP膜(最薄2.7μm,甚至2.4μm)生產(chǎn)出電壓450V到1200V甚至更高電壓的大容量直流濾波電容。另一方面通過DC-Link電容與母排整合,使得逆變器模塊設(shè)計(jì)更加緊湊,大大降低了電路的雜散電感使電路更加優(yōu)化。以此同時(shí),薄膜電容制作成本在不斷下降,相比電解電容更凸顯其經(jīng)濟(jì)性,在要求工作電壓高、承受高紋波電流(Irms)、有過電壓要求、有電壓反向現(xiàn)象、處理高沖擊電流(dV/dt)以及長壽命要求的電路設(shè)計(jì)中,選擇DC-Link薄膜電容替代電解電容將成為設(shè)計(jì)者今后設(shè)計(jì)選擇的一種趨勢。

        注釋:

        ①指的是DC-Link用電解電容.

        ②指的是DC-Link用薄膜電容,一般以O(shè)PP膜為介質(zhì).

        ③C3A ESR測試頻率為10kHz.

        ④?最大峰值電流(C×dV/dt).

        ⑤Imax最大允許電流有效值.

        ⑥C3B ESR測試頻率為1kH.

        [1]Applied Films GmbH & Co.KG.《MULTIMET 650 Operating Instructions》,2001,66.

        [2]IEC61071 INTERNATIONALSTANDARD For Capacitors for power electronics,2007.

        [3]Gilles Terzulli,Billy W.Peace.FILM TECHNOLOGY TO REPLACE ELECTROLYTIC TECHNOLOGY,2005.

        [4]廈門法拉電子股份有限公司.《薄膜電容器》for Power Electronics,AC Motors &Lamps,2013:26-40.

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