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        蝕刻型銅基引線框架材料應(yīng)用研究

        2013-04-29 17:16:33任忠平賀東升尹國欽
        科技創(chuàng)新與應(yīng)用 2013年8期

        任忠平 賀東升 尹國欽

        摘 要:文章介紹了引線框架的加工手段、分類及用于蝕刻型引線框架材料的要求,同時(shí)綜述了國內(nèi)用于蝕刻型引線框架的現(xiàn)狀。

        關(guān)鍵詞:蝕刻;引線框架材料;引線框架

        1 引言

        引線框架是集成電路產(chǎn)品的重要組成部分,它的主要功能是為芯片提供機(jī)械支撐,并作為導(dǎo)電介質(zhì)連接集成電路外部電路,傳送電信號(hào),以及與封裝材料一起向外散發(fā)芯片工作時(shí)產(chǎn)生的熱量。

        隨著大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展,集成電路正朝著高集成化、多功能化,線路的高密度化,封裝的多樣化和高性能化發(fā)展,其對(duì)引線框架材料要求也將越來越高。

        2 引線框架加工手段

        引線框架的制作,一般有兩種方法:沖壓法和蝕刻法。沖壓法一般采用高精度帶材經(jīng)自動(dòng)化程度很高的高速?zèng)_床沖制而成,具有成本低、效率高等特點(diǎn)。而對(duì)于小批量、多品種、多引線、小間距的引線框架則多采用蝕刻成型加工,該加工手段具有制作周期短、投資省、精細(xì)度高、一致性好的特點(diǎn)。兩種加工手段具有較強(qiáng)的互補(bǔ)性。

        隨著電子封裝向短、小、輕、薄方向發(fā)展,引線框架也將向多引線、小間距方向發(fā)展,因此蝕刻成型加工手段也得到更為廣泛的應(yīng)用。

        3 蝕刻型引線框架對(duì)材料的要求

        3.1 蝕刻型引線框架的分類

        根據(jù)材料化學(xué)成份,引線框架一般可分為5類:

        ⑴可伐合金(Fe-Ni-Co):廣泛應(yīng)用于玻璃、陶瓷封裝線;⑵鐵鎳42合金:廣泛應(yīng)用于玻璃、陶瓷封裝線;⑶銅基合金:廣泛應(yīng)用于塑封和陶瓷表面浸漬封裝線,成本低。目前用量約占80%;⑷復(fù)合材料:為提高材料綜合性能,節(jié)省稀貴金屬??陀^上存在有單一合金所無法達(dá)到的綜合性能;⑸稀貴金屬:主要應(yīng)用在集成電路晶體元器件的連接引線。如純金Φ=0.03mm細(xì)絲。

        3.2 引線框架材料的要求

        集成電路的許多可靠性都是由封裝性能決定的,引線框架為芯片提供電通路、散熱通路、機(jī)械支撐等功能,IC封裝要示其必須具備高強(qiáng)度、高導(dǎo)電、導(dǎo)熱性好,以及良好的可焊性,耐蝕性、塑封性、抗氧化性等一系列綜合性能,因此對(duì)其所用的材料也十分苛刻,所用材料的各項(xiàng)性能指標(biāo)的優(yōu)劣,最終都將直接影響集成電路的質(zhì)量及成品率。其材料應(yīng)滿足下列特性要求。

        3.2.1 應(yīng)具有良好的導(dǎo)熱性,能夠?qū)雽?dǎo)體芯片在工作時(shí)發(fā)生的熱量及時(shí)地散發(fā)出去。良好的導(dǎo)電性能降低電容、電感引起的不利效應(yīng)。材料的導(dǎo)電性高,框架上產(chǎn)箋抗陰就小,也利一散熱。

        3.2.2 材料要具有較低的熱膨脹系數(shù),良好的匹配性、釬焊性、耐蝕性、熱耐性和耐氧化性。

        3.2.3 材料要有足夠的強(qiáng)度,剛度和在型性。一般抗拉強(qiáng)度要大于450Mpa,延伸率大于4%。

        3.2.4 平整度好,殘余應(yīng)力不。

        3.2.5 易沖裁加工,且不起毛刺。

        3.3 蝕刻成型引線框架材料的特殊要求

        蝕刻法加工屬無應(yīng)力加工手段,是通過一種感光抗蝕劑將工件部分保護(hù)起來,再用一種強(qiáng)氧化劑將其它部分刻蝕掉,最后得到需要的元件。在蝕刻法加工中,包括絲網(wǎng)印刷、雙面曝光顯影、蝕刻等諸多工序,因此對(duì)框架材料也有其特殊要求:

        3.3.1 厚度、寬度和長度公差

        蝕刻成型材料對(duì)材料厚度、寬度公差要求較高,由于厚度和寬度的不勻,可直接影響蝕刻后產(chǎn)品精度,一般而言,材料厚度和寬度應(yīng)滿足表1:

        3.3.2 卷曲

        在3ft長的樣品上,所測卷曲不得超過1.500in。

        3.3.3 邊緣毛刺

        材料邊緣不希望有毛刺,如有其高度不得超過金屬厚度的10%。

        3.3.4 橫向彎曲(橫彎、凹彎)

        橫向彎曲與縱切有關(guān)。由于化學(xué)處理的材料通常寬約16~20in,所以其最大橫向彎曲應(yīng)滿足下表:

        表2 最大橫向彎曲

        3.3.5 表面光潔度

        材料應(yīng)無大量的表面缺陷。例如:凹坑、刻痕、壓痕、擦傷、刮痕、起皺或夾雜物。

        3.3.6 銹蝕

        材料表面上不應(yīng)有可見銹斑。

        4 國內(nèi)蝕刻型框架材料的發(fā)展概況

        我國引線框架帶材研究始于國家“八五”末期,主要生產(chǎn)企業(yè)有寧波興業(yè)集團(tuán)、洛陽銅加工廠等,于此同時(shí),清華大學(xué)、寧波東盛集成電路元件有限公司、北京機(jī)床研究所也開始了蝕刻方法的研究。經(jīng)過幾年的努力,蝕刻加工引線框架技術(shù)和用于蝕刻成型的引線框架材料研究都取得了較大的進(jìn)展。例如寧波興業(yè)集團(tuán)生產(chǎn)的194銅,各項(xiàng)指標(biāo)均已達(dá)到蝕刻要求,正逐步取代進(jìn)口材料。

        5 結(jié)束語

        隨著我國半導(dǎo)體行業(yè)快速穩(wěn)定發(fā)展及國外大量制造業(yè)轉(zhuǎn)移到中國,給中國帶來極大的市場機(jī)遇,相信在不久的將來,我國的引線框架產(chǎn)業(yè)也將會(huì)有一個(gè)更大的提高。

        參考文獻(xiàn)

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        [3]謝水生,李彥利,朱琳.電子工業(yè)用引線框架銅合金及組織的研究[J].稀有金屬.2003(06).

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