趙家寧
(中山市環(huán)境監(jiān)測站,廣東 中山 528400)
放射性廢物安全處理處置是核電可持續(xù)發(fā)展的重大科技問題之一,放射性廢物的安全處置要求其與人類環(huán)境隔離開,避免對人類和生物產(chǎn)生潛在的危害,使放射性廢物中所含有的放射性核素在衰變到無害的水平以前,不給當(dāng)代和后人造成影響。
目前對于一般核廢物的處理常用地表埋藏法處置,為防止放射性廢物的泄漏,其周邊需填充可靠的吸附劑作為回填材料。在對所有這些可能性材料的研究中,磷酸鹽化合物可以用來做工程屏障。大部分研究報告中對于像磷灰石這樣的磷酸鹽化合物在25℃ 下進(jìn)行了離子交換方面的研究。Zr2O(PO4)2(Zirconium oxophosphate)是一種非常難溶性物質(zhì),在25℃下進(jìn)行的吸附實驗可以忽略其溶解的影響。為避免天然礦物中雜質(zhì)和組成的變化所帶來的影響,固體粉末用溶液法進(jìn)行制取。但是,對這種材料的吸附機(jī)制的理解不是容易的事,因為在放射性核素的吸附過程中,表面絡(luò)合離子替代可以同時發(fā)生,其間發(fā)生的主要部分的現(xiàn)象高度取決于許多地球化學(xué)參數(shù),如有機(jī)酸、pH值、水溶液的離子強(qiáng)度、放射性核素的濃度,礦物基底的比表面積及吸附位點的稠密度。出于這個原因,定量了解這些地球化學(xué)參數(shù)對吸附過程的影響是非常必要的。
Zr2O(PO4)吸附和解吸性能的研究:pH、背景電解質(zhì)離子強(qiáng)度、溫度、吸附質(zhì)濃度等對Zr2O(PO4)2與Th(IV)作用的影響。pH值的變化會改變材料表面的官能基團(tuán)分布、表面電位、吸附質(zhì)在溶液中和吸附劑表面的化學(xué)形態(tài)等;溶液中背景電解質(zhì)離子強(qiáng)度會影響吸附質(zhì)在溶液中擴(kuò)散和吸附質(zhì)活度;溫度對材料吸附放熱或吸熱產(chǎn)生不同的影響,根據(jù)相關(guān)熱力學(xué)方程,可計算得出吸附熱力學(xué)參數(shù)。
采用 ZrOCl2·8H2O 和 NH4H2PO4,按 1:1比例稱取兩種原料溶解。將NH4H2PO4溶液緩緩倒入ZrOCl2的溶液中,攪拌混合均勻。加入二倍量12mol/L的濃鹽酸,將此盛乳狀液的燒杯置于電爐上,采用間斷加熱并攪拌。最后得到白色粉末。經(jīng)過灼燒、洗滌、抽濾、烘干過程得到所需的Zr2O(PO4)2。
在確定平衡時間、液固比、pH值的基礎(chǔ)上,在一系列聚乙烯離心試管中加入定量的 Zr2O(PO4)2,KNO3,Th(Ⅳ)溶液,pH值確定的水,使總體積為8mL,搖勻后振蕩,使顆粒保持懸浮狀態(tài),溫度為25±0.1℃。待體系平衡后,離心30分鐘,取上層清液3mL置于25mL容量瓶中,再加2mL氯乙酸緩沖溶液,1mL0.1%偶氮胂(Ⅲ)溶液定容至刻度,分光光度法測定其Th(Ⅳ)含量,pH計測量平衡后的pH值。
3.3.1 Th(Ⅳ)溶液的標(biāo)定
移取20.00mL Th(Ⅳ)溶液兩份共40.00mL于250mL的燒杯中,其中加入20mL的蒸餾水和25mL的濃鹽酸,微沸。用滴管加入20mL飽和草酸,不斷攪拌。白色沉淀出現(xiàn)后加熱陳化30分鐘。對沉淀進(jìn)行抽慮,分別用蒸餾水、無水乙醇進(jìn)行洗滌。以上的步驟完成后,將漏斗中的濾紙片取出后放入已經(jīng)恒重的坩堝中。在800~900℃下灼燒6個小時,冷卻、稱量。平行雙樣。
由以上數(shù)據(jù)可得:cTh(Ⅳ)=2.17×10-3mol/L
3.3.2 Th(Ⅳ)的標(biāo)準(zhǔn)曲線的繪制
在具塞離心試管中加入0.75mL 2.17×10-3mol/L標(biāo)準(zhǔn)釷溶液,1mol/L的 KNO3溶液,6.45mL0.5 mol/L HNO3溶液,搖勻,從上述離心管中分別取表3-4中的VTh(Ⅳ)至25mL容量瓶中,加入2mL氯乙酸緩沖液,1.00mL 0.1%的偶氮砷(Ш),蒸餾水定容,用722S型分光光度計在波長為672nm下測A,結(jié)果如表3.2。釷的吸光度值與釷濃度的關(guān)系如下所示:
A=-0.0153+0.05238 caq[其中 caq(10-6mol/L)]
3.3.3 振蕩時間對Zr2O(PO4)2吸附Th(Ⅳ)的影響
振蕩時間對Zr2O(PO4)2吸附Th(Ⅳ)的影響示于圖1。結(jié)果表明:在C(Th4+)0=4.07×10-5mol/L,溫度T=(25 ±01)℃ ,m/V=5.0g/L,C(K+)=0.1mol/L,pH=2.9±0.1 時,t>20h 以后,吸附百分?jǐn)?shù)穩(wěn)定在48%,為確保吸附達(dá)到平衡,本文選擇60h作為后續(xù)實驗的平衡時間。經(jīng)過計算,振蕩時間對吸附的影響規(guī)律能夠很好的符合假二級動力學(xué)方程的線性趨勢。
3.3.4 固液比對Zr2O(PO4)2吸附 Th(Ⅳ)的影響
固液比(m/V)對 Zr2O(PO4)2吸附Th(Ⅳ)的影響示于圖2。結(jié)果表明:在 C(Th4+)0=4.07×10-5mol/L,振蕩時間t=60h,溫度T=(25±1)℃,pH=2.9 ±0.1,C (K+)=0.1mol/L。 當(dāng)m/V<7.5g/L時,吸附百分?jǐn)?shù)隨著固液比的增大而增大,幾乎呈線性關(guān)系;當(dāng)m/V<7.5g/L時,吸附常數(shù)Kd的對數(shù)值也隨著固液比的增大而增大,但是趨勢較緩。吸附百分?jǐn)?shù)越大,測量誤差越大;固液比越小,吸附百分?jǐn)?shù)越小,測量誤差越小??紤]到吸附劑的用量,本文中選取5.0g/L作為后續(xù)實驗的固液比。
3.3.5 pH對Zr2O(PO4)2吸附Th(Ⅳ)的影響
pH值對Zr2O(PO4)2吸附Th(Ⅳ)的影響示于圖3。結(jié)果表明:在C(Th4+)0=4.07×10-5mol/L,振蕩時間t=60h,溫度 T=(25±1)℃ ,C(K+)=0.1mol/L。隨著pH值的升高,Th(Ⅳ)在Zr2O(PO4)2上的吸附百分?jǐn)?shù)增大。整體來看,吸附曲線隨著Zr2O(PO4)2的質(zhì)量的增高,吸附曲線左移。
3.3.6 離子強(qiáng)度對Zr2O(PO4)2吸附Th(Ⅳ)的影響
離子強(qiáng)度對Zr2O(PO4)2吸附Th(Ⅳ)的影響示于圖4。結(jié)果表明:在C(Th4+)0=4.07×10-5mol/L,振蕩時間 t=60h,固液比 m/V=5.0g/L,溫度 T=(25±1)℃ pH=2.9±0.1下,Th(Ⅳ)在 Zr2O(PO4)2上的吸附百分?jǐn)?shù)基本趨于不變;而且溶液pH的變化趨勢也基本不變。由此可以得出,離子強(qiáng)度對Th(Ⅳ)在Zr2O(PO4)2上的吸附?jīng)]有影響。說明即使在Zr2O(PO4)2表面為正電荷的條件下,Th(Ⅳ)與Zr2O(PO4)2仍形成強(qiáng)內(nèi)圈配合物。由此確定以后的電解質(zhì)背景為C(K+)=0.1mol/L。
3.3.7 陰離子對 Zr2O(PO4)2吸附Th(Ⅳ)的影響
3.3.8 吸附解析熱力學(xué)分析
由Th4+在Zr2O(PO4)2上的吸附熱力學(xué)參數(shù)分析,可知結(jié)果如表3-3,圖7所示。隨著溫度的升高,線性擬合曲線的斜率B呈規(guī)律性減小,截距l(xiāng)nK0逐漸升高,ΔG0逐漸減小,ΔS0逐漸升高,ΔH0逐漸升高。
由吸附解析K0確定圖可得到狀態(tài)方程lnKd---ceq
1.Th(Ⅳ)在Zr2O(PO4)2上的吸附與體系的pH值有關(guān)系,吸附突躍范圍在pH2.5~5之間。電介質(zhì)的離子強(qiáng)度對吸附的影響較小。不同的陰離子作電介質(zhì)對吸附結(jié)果有不同程度的影響。固液比越大,其吸附百分?jǐn)?shù)越高。
2.Th(Ⅳ)在Zr2O(PO4)2上的吸附反應(yīng)為吸熱反應(yīng),并且可以自發(fā)進(jìn)行。在c0(Th4+)相同的情況下,隨著溫度的升高,相應(yīng)條件下,Zr2O(PO4)2對Th4+的吸附量也隨之增加。
3.Th(Ⅳ)在Zr2O(PO4)2上的吸附反應(yīng)的可逆性隨著環(huán)境溫度的升高,可逆性隨之變差。由此可見,溫度升高時,Zr2O(PO4)2吸附的Th(Ⅳ)不容易再以離子的形式釋放出來。
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