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        垂直入射空變等離子體光子晶體帶隙特性研究

        2013-03-12 05:23:20楊利霞施衛(wèi)東于萍萍
        電波科學(xué)學(xué)報(bào) 2013年1期

        楊利霞 陳 偉 孔 娃 施衛(wèi)東 于萍萍

        (1.江蘇大學(xué)通信工程系,江蘇 鎮(zhèn)江212013;2.江蘇大學(xué) 流體機(jī)械工程技術(shù)研究中心,江蘇 鎮(zhèn)江212013)

        引 言

        光子晶體是指具有光子帶隙(PBG)特性的人造周期性電介質(zhì)結(jié)構(gòu),有時(shí)也稱(chēng)為PBG光子晶體結(jié)構(gòu).所謂的光子帶隙是指某一頻率范圍的波不能在此周期性結(jié)構(gòu)中傳播,即這種結(jié)構(gòu)本身存在“禁帶”.從材料結(jié)構(gòu)上看,光子晶體是一類(lèi)在光學(xué)尺度上具有周期性介電結(jié)構(gòu)的人工設(shè)計(jì)和制造的晶體.20世紀(jì)80年代 Yablonovitch[1],John[2]等提出了光子晶體的概念.光子晶體的研究近年來(lái)不斷深入并且作為一個(gè)新興研究的方向深受?chē)?guó)內(nèi)外的關(guān)注[3].目前,無(wú)論是民用方面還是軍事方面,無(wú)論是學(xué)術(shù)界還是工業(yè)界,都激起了人們極大的熱情.人們利用光子晶體的這個(gè)特性在發(fā)光二極管、光纖、光集成器件等方面有廣泛的運(yùn)用[4-9].

        等離子體光子晶體(PPC)是由等離子體和介質(zhì)交替排列的一種人工周期性結(jié)構(gòu),它的概念是由Hojo等[10]提出.它涉及等離子體物理學(xué)、電磁學(xué)、電子學(xué)、固體物理學(xué)、材料學(xué)等諸多學(xué)科,屬于交叉學(xué)科范疇.等離子體光子晶體的研究近年來(lái)取得了突飛猛進(jìn)的發(fā)展.短短幾年中,各國(guó)學(xué)者已經(jīng)投入其大量精力進(jìn)行相關(guān)研究,同時(shí)大量的相關(guān)文獻(xiàn)不斷得以涌現(xiàn).等離子體光子晶體的特性主要包括:光子帶隙特性、光子局域特性和光學(xué)特性.其中光子的帶隙特性尤為引起人們的關(guān)注,在光學(xué)上,人們利用等離子體光子晶體的特性可以制造微波濾波器、等離子體天線,文獻(xiàn)[10-14]僅對(duì)在不考慮外磁場(chǎng)和等離子體層為均勻分布的等離子體光子晶體進(jìn)行了研究,然而在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中等離子體頻率也會(huì)隨著空間位置的變化而發(fā)生變化.對(duì)非均勻等離子體頻率情況下的研究,能找到的文獻(xiàn)并不是很多,國(guó)際上,O.Sakai,T.Sakaguchi和 K.Tachibana[15]等對(duì)非均勻等離子光子晶體做了一些相關(guān)研究.目前國(guó)內(nèi)也處于起步階段,有南昌大學(xué)的劉崧和南京航空航天大學(xué)的劉少斌等[16],對(duì)非均勻分布等離子體光子晶體光子的帶隙分析做了相關(guān)研究,其主要是基于由密度線性分布、非磁化、碰撞、中溫的等離子體和電介質(zhì)構(gòu)成的一維等離子體光子晶體的光子帶隙特性.以上就是等離子體光子晶體國(guó)內(nèi)外的一些相關(guān)情況.因此,研究等離子體頻率的空間變化對(duì)等離子體光子晶體禁帶的影響,在工程應(yīng)用方面具有重要的理論意義.

        針對(duì)等離子體光子晶體頻率的空間變化進(jìn)行了研究,采用改進(jìn)的磁化等離子體時(shí)域有限差分(FDTD)方法討論了等離子體頻率隨空間呈脈沖函數(shù)形式變化的等離子體光子晶體帶隙特性.通過(guò)計(jì)算電磁波的反射系數(shù)和透射系數(shù)獲得其禁帶結(jié)構(gòu).在一維情況下計(jì)算了垂直入射的情形,通過(guò)改變等離子體頻率的大小來(lái)驗(yàn)證空變等離子體光子晶體的帶隙特性.

        1 空變等離子體光子晶體的FDTD迭代式

        在各向異性色散介質(zhì)碰撞磁化等離子體中,Maxwell方程組和相關(guān)的本構(gòu)方程為

        式中:ε0為真空中的介電常數(shù);μ0為真空中導(dǎo)磁率;ωp(z)是關(guān)于空間變化的函數(shù);ωb=eB0/me為電子旋轉(zhuǎn)頻率,B0為外部靜態(tài)磁場(chǎng),e和me各自表示電子電量和電子質(zhì)量.

        對(duì)于一維情況下的橫電磁波(TEM波),并設(shè)外磁場(chǎng)的方向?yàn)椋珃方向即ωb=ωb,在笛卡爾坐標(biāo)下的各矢量表示為

        在上述坐標(biāo)下,則有(1)和(2)兩式可寫(xiě)為如下形式

        將式(3)改寫(xiě)為矩陣可得

        式中:

        對(duì)公式(8)利用如下拉普拉斯變換對(duì)進(jìn)行拉普拉斯變化得[17]

        整理可得

        式中:

        再對(duì)式(13)逆拉普拉斯變換可得

        式中

        先對(duì)式(15)在時(shí)間上進(jìn)行離散可得

        這里在n時(shí)刻對(duì)J(t)進(jìn)行離散后,由式(4)和式(5)知磁場(chǎng)的迭代方程為

        由式(6)和式(7)知電場(chǎng)的迭代方程為

        2 ωp(z)的空變函數(shù)關(guān)系式及其圖形

        ωp(z)在空間位置的取值隨著函數(shù)z的變化而不同,這里ωp(z)為高斯脈沖形式的周期函數(shù)[18]為

        式中:k是高斯脈沖函數(shù)的寬度,k越大等離子體頻率變化越緩,k越小等離子體頻率變化越迅速;Λ為等離子體介質(zhì)和普通介質(zhì)的總寬度;n為介質(zhì)板層數(shù).ωp(z)的空變函數(shù)關(guān)系式圖形如圖1所示.

        圖1 等離子體頻率ωp(z)

        3 算例驗(yàn)證

        利用改進(jìn)的空變等離子體光子晶體的FDTD算法并選用均勻等離子體頻率所得反射系數(shù)與非空變(均勻)等離子體光子晶體的反射系數(shù)進(jìn)行算例驗(yàn)證,模型為7層介質(zhì)、6層等離子體構(gòu)成的等離子體光子晶體.等離子體頻率設(shè)為ωp=2π×109rad/s,實(shí)際物理結(jié)構(gòu)如圖3所示,圖中a為普通介質(zhì)寬度,b為等離子體介質(zhì)寬度.計(jì)算時(shí),a=b=2.4mm,F(xiàn)DTD的空間步長(zhǎng)為60μm,時(shí)間步長(zhǎng)為0.02ps.兩端采用Mur吸收邊界,入射波為微分高斯脈沖.計(jì)算結(jié)果如圖2所示.

        從圖2可以看出數(shù)值解和理論解的結(jié)果完美一致,驗(yàn)證了空變等離子體算法的準(zhǔn)確性.

        圖2 一維垂直入射驗(yàn)證算例

        4 空變等離子體光子晶體的帶隙特性分析

        4.1 空變等離子光子晶體的模型及參數(shù)

        空變等離子體光子晶體(PPC)的物理模型同驗(yàn)證算例,如圖3所示.電磁波垂直入射到該一維等離子體光子晶體結(jié)構(gòu).中間層狀空變等離子體的等離子體頻率變化規(guī)律如式(22)所示.計(jì)算中,入射波波形為微分高斯脈沖即E(t)=-4.67 ·,其中t0=22×10-12s,τ=5.4×10-12s,F(xiàn)DTD的計(jì)算參數(shù)空間步長(zhǎng)Δz=60×10-6m,時(shí)間步長(zhǎng)Δr=1.0×10-14s.

        圖3 等離子光子晶體圖

        4.2 非磁化等離子體情形

        對(duì)于空變非磁化(ωb=0)等離子體,計(jì)算中ωp=2π×109rad/s,碰撞頻率v=0,分別計(jì)算了脈沖寬度k=0.6mm、1.2mm、2.4mm與均勻等離子體頻率的反射系數(shù)與透射系數(shù),計(jì)算結(jié)果如圖4,圖5所示.

        圖4、圖5給出的是空變情況與非空變情況下PPC的反射系數(shù)和透射系數(shù)頻譜圖,從圖中可以清楚的看到:無(wú)論是反射系數(shù)還是透射系數(shù),空變等離子體頻率的反射系數(shù)和均勻介質(zhì)反射系數(shù)有非常大的差別,等離子體光子晶體的禁帶隨著高斯脈沖函數(shù)寬度k的變化而有規(guī)律的變化,隨著k的逐漸變小光子晶體的禁帶中心頻率也逐漸向低頻方向移動(dòng),但光子晶體的周期性并沒(méi)有改變.這說(shuō)明通過(guò)改變?chǔ)豴(z)的高斯脈沖形式的函數(shù)寬度對(duì)PPC結(jié)構(gòu)的禁帶形成是可控的.

        圖4 非磁化情況下空變PPC與非空變PPC反射系數(shù)圖

        圖5 非磁化情況下空變PPC與非空變PPC透射系數(shù)圖

        4.3 磁化等離子體情形

        對(duì)于磁化(ωb=10GHz)等離子體情形,計(jì)算中,ωp=2π×10GHz,碰撞頻率v=10GHz,分別計(jì)算了脈沖寬度k=0.6mm、1.2mm、2.4mm 與均勻等離子體頻率的反射系數(shù)與透射系數(shù)頻譜對(duì)比圖,如圖6、圖7所示.

        由圖6、圖7可以看到出:在磁化情況下,無(wú)論是反射系數(shù)還是透射系數(shù),其等離子體光子晶體的禁帶仍然隨著高斯脈沖函數(shù)寬度(k)的變化而有規(guī)律的變化,隨著k的逐漸變小光子晶體的禁帶逐漸變大,但光子晶體的周期性并沒(méi)有改變.這說(shuō)明通過(guò)改變?chǔ)豴(z)的高斯脈沖形式的函數(shù)寬度對(duì)PPC結(jié)構(gòu)的禁帶形成是可控的.

        5 結(jié) 論

        采用改進(jìn)的磁化等離子體電磁波傳播的FDTD算法研究了一維空變等離子體光子晶體的禁帶特性.以微分高斯脈沖為激勵(lì)源,引入了Mur吸收邊界.用算法公式所得的電磁波反射系數(shù)來(lái)討論隨空間變化的等離子體頻率對(duì)其禁帶特性的影響.結(jié)果表明,對(duì)于光子晶體禁帶的形成和產(chǎn)生,通過(guò)對(duì)等離子體空間頻率的變化,能對(duì)禁帶的周期性和寬度進(jìn)行控制.等離子體頻率隨空間成高斯脈沖形式的函數(shù)變化,當(dāng)脈沖寬度減小,其禁帶的寬度也越小,脈沖寬度越大,禁帶的寬度也越大.因此,要實(shí)現(xiàn)對(duì)等離子體光子晶體禁帶的控制,可以通過(guò)改變等離子體頻率的大小來(lái)獲得.

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