劉永勤
(渭南師范學院物理與電氣工程學院,陜西渭南714000)
隨著數(shù)字系統(tǒng)對高頻率、低電壓的需求,信號完整性和電磁干擾問題已成為系統(tǒng)設(shè)計時最為關(guān)注的問題,特別是寬頻率范圍的同步開關(guān)噪聲對系統(tǒng)的可靠工作帶來很多問題.電源分配網(wǎng)絡的作用有三個:保持芯片焊盤前后電壓的恒定,使地彈最小化,使EMI問題最小化.電源分配網(wǎng)絡互連通常是最大的導電結(jié)構(gòu),攜帶最大的電流,而且也會攜帶高頻噪聲,所以它們可能會產(chǎn)生最多輻射并無法通過電磁兼容的測試認證[1].如果能正確設(shè)計電源分配網(wǎng)絡互連,則可以減少很多潛在的電磁干擾問題,并有利于電磁干擾測試認證成功[2].在高速高密度的互連系統(tǒng)中,同步開關(guān)噪聲非常嚴重,如果不能有效的管理,會嚴重影響整個系統(tǒng)的正常工作.
抑制同步開關(guān)噪聲最有效的方法就是從根本上抑制它的產(chǎn)生,由于集成系統(tǒng)是利用晶體管來獲得功能的,因此,幾乎不可能阻止同步開關(guān)噪聲的產(chǎn)生,但可以在它的傳播過程中采取各種措施將其抑制掉[3-4].本文主要研究應用電磁帶隙結(jié)構(gòu)(PDN)來抑制同步開關(guān)噪聲(SSN)的方法.
圖1 S型橋接EBG結(jié)構(gòu)
如圖1所示,S橋接EBG電源平面由3×3個單元塊組成,是在FR-4基板上實現(xiàn)的90mm×90mm×0.4mm的結(jié)構(gòu).其中兩個單元塊的結(jié)構(gòu)如圖2所示,相鄰的兩個鄰接元通過S橋型互連,但地平面沒有改變.單元塊的結(jié)構(gòu)參數(shù)(w=0.2mm,s=0.2mm,c=5mm,a1=11.8mm,a2=12.2mm,g=1mm).其中 w 和 s值保持相同,其他參數(shù)都是基于低寄生電容的最大電感設(shè)計.測量平面的三個端口分別位于(45mm,45mm),(15mm,75mm)和(15mm,45mm),在PCB板的左上角位置.這些端口包括過孔和焊盤,用來連接電源和地平面上的測量探針.
圖2 相鄰兩個S型橋接EBG單元
以下將提出的S型橋接EBG電源平面與傳統(tǒng)的平行板平面以及L型EBG平面[5]進行比較.圖3得到了利用有限元法測得的端口1和端口2之間的S參數(shù),除了在頻率5GHz以上時FR-4基板介電常數(shù)變得分散,其他情況下是一致的,該S橋型EBG電源平面呈現(xiàn)了很寬的帶寬,插入損耗在-30 dB時的頻率范圍從220MHz到7GHz.SSN傳播的方向被證實在S21和S31之間幾乎是全方位的.
相對于傳統(tǒng)的L型EBG結(jié)構(gòu),S型橋接EBG結(jié)構(gòu)可以抑制更低頻率(220MHz)的SSN.該結(jié)構(gòu)對低頻率的抑制性能與電源平面等效電感有關(guān).由于同步開關(guān)噪聲大部分在低于1GHz以下,因此,抑制SSN噪聲的低頻部分比高頻部分更有意義.
低于200MHz時,S型橋接EBG結(jié)構(gòu)的插入損耗比平行板結(jié)構(gòu)的插入損耗低,該插入損耗來自S橋接EBG結(jié)構(gòu)的電感和塊電容之間的共振效應.所有的EBG電源平面固有的諧振可以通過采用額外的去耦電容器減小,同時減少了去耦電容的數(shù)目.在200MHz以上的EBG諧振大多是由L型橋接EBG結(jié)構(gòu)引起的,但是,這很難通過去耦電容器有限的自諧振頻率來消除.
EBG電源平面上的各種狹縫和穿孔也影響信號線的返回電流路徑,隨之而來的是這些EBG電源平面不可避免的信號完整性問題.在電源平面上局部應用EBG結(jié)構(gòu)可用于板級設(shè)計,針電容橋接電流返回路徑可以用來改善信號完整性而無需重新設(shè)計電路板.
圖3 平行板、L型橋接EBG及S型橋接EBG電源平面的S參數(shù)對比
在相同電容的情況下,EBG電源平面具有較高的電感,S型橋接EBG結(jié)構(gòu)將單元塊串聯(lián),因此有很高的等效串聯(lián)電感,這樣可提高抑制SSN的帶寬.本文提出的S型橋接EBG結(jié)構(gòu)可在220MHz到7GHz頻率范圍內(nèi)將SSN噪聲抑制在-30dB以下.而且,它對SSN的低頻抑制能力也明顯提高,通過此結(jié)構(gòu)可減少本地去耦電容器的數(shù)目.此外還發(fā)現(xiàn),大多數(shù)EBG電源平面可能出現(xiàn)的信號完整性問題,可通過補充電容來改進.
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