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        共口徑三波段雙極化合成孔徑雷達天線陣的設(shè)計

        2012-07-30 06:49:10鐘順時孔令兵金謀平
        電波科學學報 2012年4期
        關(guān)鍵詞:設(shè)計

        孫 竹 鐘順時 孔令兵 高 初 汪 偉 金謀平

        (1.上海大學通信與信息工程學院,上海200072;

        2.中國電子科技集團公司第三十八研究所,安徽 合肥230031)

        引 言

        現(xiàn)代合成孔徑雷達(SAR)系統(tǒng)往往要求多波段多極化工作模式,例如2002年實現(xiàn)全球3D成像的SIR-C/X-SAR三波段雷達[1]。多波段雙極化共用口徑天線技術(shù),可以在保證各波段增益的前提下,實現(xiàn)天線體積和載荷的最小化[2-3],因此成為該領(lǐng)域的前沿之一。目前已報道了雙波段雙極化(DBDP)共用口徑微帶天線陣的許多設(shè)計方案,按陣面結(jié)構(gòu)可大致分為以下兩類[4]:打孔貼片/貼片[2-10]和交織陣面結(jié)構(gòu)[11-17]。就作者所知,按已公開發(fā)表的文獻,迄今仍未見報道三波段雙極化(TBDP)共用口徑SAR平面天線陣。

        提出一種新的通用的設(shè)計方法,將DBDP天線陣擴展成三波段雙極化共用口徑天線陣。著眼于未來SAR系統(tǒng)的要求,該天線陣同時工作于L(1.25 GHz)、S(3.5GHz)和 X(10GHz)波段,每個波段均為雙極化,且具有二維掃描能力。天線陣的設(shè)計及測試結(jié)果介紹如下。

        1 天線設(shè)計

        1.1 總體陣面設(shè)計

        從SAR系統(tǒng)的角度來看,一般要求各波段在橫向(與方位向正交)的波束寬度大致相當[6],以產(chǎn)生相同寬度的掃描帶,即各波段在口徑橫向的寬度應與其波長成正比。如引言中提及的SIR-C/X-SAR雷達三波段天線,它由三副L、C和X單波段天線組成,各波段都有獨立口徑,其橫向尺寸分別為2.95 m、0.75m、0.4m[1],口徑寬度比為7.375∶1.875∶1,與波長比8∶2∶1大致相同。因此,對于本天線,按相應波長比例設(shè)計的獨立口徑TBDP天線陣面如圖1(a)所示,自上至下依次為S、L和X三個波段子陣。L波段口徑寬度2.88m,S波段1.08m,X波段0.36m,口徑比為8∶3∶1.

        本文提出的新方案如圖1(b)所示,上下兩側(cè)分別為L/S和L/X DBDP子陣,中間用L波段雙極化(DP)子陣補足所需增益的口徑寬度。L波段寬度0.72×2+1.08+0.36=2.88m,S波段1.08m,X波段0.36m,口徑比為8∶3∶1,與波長比相似。與獨立口徑方案相比,口徑橫向尺寸由1.08+2.88+0.36=4.32m 減至2.88m,口徑寬度縮短了三分之一。這一方案相當于將圖1(a)方案中上下兩側(cè)的S與X單波段子陣,分別疊加到L單波段子陣上。這樣就使共口徑TBDP天線陣的設(shè)計分解成為兩個共口徑DBDP天線陣和一個單波段DP天線陣的設(shè)計。從而可大量借鑒已有的共口徑DBDP天線陣的設(shè)計和加工經(jīng)驗,大大地簡化了TBDP陣的設(shè)計并降低了研制風險。

        圖1 TBDP天線陣方案示意圖

        1.2 L、L/S和L/X子陣設(shè)計

        L/S和L/X兩個DBDP共口徑子陣采用了圖2所示的交織陣面結(jié)構(gòu),因其具有設(shè)計靈活、適用于奇數(shù)頻率比等優(yōu)點[13-14]。其中S和X波段單元采用方形晶格狀排列,并運用相鄰單元成對倒相饋電的技術(shù),以抑制主瓣內(nèi)交叉極化電平和改善陣列極化隔離度[18]。掃描能力定為±25°,并且為了便于與L波段單元交織等考慮,S和X波段單元間距分別取0.65λS和0.62λX.

        L/S和L/X子陣的L波段單元結(jié)構(gòu)都相同,采用“T”字形排布的印刷振子,交織于S或X波段子陣空隙中。由于這種“T”型排布會使L波段水平和垂直極化陣列的單元數(shù)不一致,為此增加一根額外的垂直振子,以保證水平/垂直極化陣列的幾何中心(相位中心)相重合[2],見圖2.水平和垂直極化單元數(shù)不同會導致方向圖波束寬度有差異,但當口徑很長時,這一差異可以忽略。而實際的SAR天線正是如此,例如SIR-C/X-SAR天線的方位向口徑長度達12m[1].

        圖2 TBDP陣面結(jié)構(gòu)圖

        1.3 S及X波段單元設(shè)計

        考慮到交叉極化、帶寬和加工容差等要求,S波段單元(L/S子陣)和X波段單元(L/X子陣)都采用雙層方形貼片結(jié)構(gòu)。二者結(jié)構(gòu)相似,圖2的插圖中給出了S波段單元的透視圖和X波段單元的頂視圖。饋電方式選擇上,盡管口徑耦合、混合激勵和平衡饋電等方案能提供更良好的隔離度[19-23],但因它們結(jié)構(gòu)復雜,陣列中加工可靠性、一致性較低。因此,本設(shè)計中仍采用雙探針饋電[24]。

        為改善雙探針饋電的極化隔離度,在有源貼片上蝕刻了非對稱隔離槽(S、X波段采用了不同形狀的隔離槽)。結(jié)果表明,隔離槽能明顯地改善帶內(nèi)隔離度。作為一種“微擾”,隔離槽對主極化影響很小,但是它的引入擾亂了貼片下的場分布,使單元交叉極化性能有所惡化。不過陣列總體的交叉極化性能由于采用了“成對倒相饋電”技術(shù)而獲得改善,因而,隔離槽的引入并不會影響陣列交叉極化指標。關(guān)于該S、X波段雙層貼片設(shè)計的詳細介紹,可參見文獻[25]。

        1.4 L波段單元設(shè)計

        L/S和L/X子陣及L單波段子陣的L波段單元都采用微帶振子,其結(jié)構(gòu)幾乎完全相同,以確保其輻射特性和端口S參數(shù)的一致性,且便于L波段的陣面拼接。唯一的區(qū)別是L/S子陣中的振子臂長較L/X和L雙極化子陣中的縮短了約20%.這是為了避免奇數(shù)頻率比(fS:fL≈3∶1)時,子陣分割與印刷振子臂沖突(見圖2的L/S子陣)。因而在L/S子陣微帶振子的饋網(wǎng)中引入了電容性,實現(xiàn)了小型化設(shè)計。

        L波段微帶振子結(jié)構(gòu)如圖3所示。印刷振子置于頂層板下側(cè),距地板高度λL/4,此時地板相當于反射板;微帶饋網(wǎng)(與高頻波段的有源貼片共面)產(chǎn)生180°反相,并通過平行雙導線垂直連接到印刷振子進行饋電。在SMP接頭饋點處采用開路枝節(jié)線來實現(xiàn)阻抗匹配。

        圖3 L波段微帶振子

        2 實測結(jié)果

        為驗證設(shè)計的有效性,加工并測試了一副L/S/X-TBDP共用口徑天線樣陣,其照片如圖4所示。圖4(b)中自上而下分別是L/X、L和L/S子陣。天線采用Rogers RO6002介質(zhì)板和Rohacell 51HF泡沫作為支撐材料。天線陣的S參數(shù)由Agilent N5230A矢量網(wǎng)絡分析儀測得,方向圖在12m×6m×6m的室內(nèi)遠場暗室內(nèi)測得。所有的插損,如同軸、接頭和功分器的插損等,均經(jīng)實測在數(shù)據(jù)后處理時予以補償。

        圖4 TBDP天線樣陣實物照片

        2.1 L波段

        圖5 實測的L波段|S11|和|S12|參數(shù)

        L波段實測端口|S11|(回波損耗)和|S12|(隔離度)參數(shù)如圖5所示。為構(gòu)圖清晰,L/S、L和L/X每個子陣只示出一條曲線。盡管三個子陣L單元的邊界條件不盡相同,但表現(xiàn)出了幾乎相同的端口特性。實測|S11|≤10dB帶寬為167MHz(1.163~1.330GHz,13.4% ),帶內(nèi)陣列隔離度(取為-10lg|S12|)優(yōu)于37dB.雖然L波段的陣面由三個不同子陣構(gòu)成,但實測方向圖與理論值吻合良好,證明陣面拼接對方向圖影響很小,如圖6所示。主瓣內(nèi)交叉極化電平低于-30dB,水平和垂直極化端口的實測增益分別為13.2dB和14.6dB,折合效率為62%和61.2%.該效率相對較低,是由于L波段使用了較長的平行雙線和微帶倒相饋網(wǎng)所引入的傳輸損耗所致。L波段單元數(shù)量太少,所以未進行掃描測試。

        圖6 L波段方向圖

        2.2 S波段

        為避免曲線過多,圖7僅給出S波段某單元兩個極化的S參數(shù)。取S波段所有單元各端口|S11|≤10dB的重疊頻域作為陣列帶寬,則S波段實測帶寬為14.8% (3.25~3.768GHz),略偏向高頻,且?guī)?nèi)波紋系數(shù)稍高于仿真值。帶內(nèi)陣列隔離度優(yōu)于45dB,這里陣列隔離度是指各水平極化端口和垂直極化端口經(jīng)功分器連接后,形成總水平端口和總垂直端口間的隔離度 (需補償功分器和饋線損耗)。實測方向圖與理論結(jié)果吻合良好,如圖8所示。實測主瓣內(nèi)交叉極化電平低于-30dB,前后比達37.8dB;8×2元陣口徑的實測增益為18.6dB,對應天線效率為92.4%.由于另一維單元太少,只在8陣元方向進行了掃描測試,如圖9所示。測試采用定制的配相電纜代替移相器;實測掃描能力為±27°.

        2.3 X波段

        同樣,圖10僅給出了X波段某單元的S參數(shù)曲線,實測帶寬為16.8%(9.098~10.781GHz),帶內(nèi)陣列隔離度優(yōu)于43dB.實測方向圖與理論值吻合良好,如圖11所示。主瓣內(nèi)交叉極化電平低于-35dB,這得益于電大尺寸的地板;邊射時實測前后比達到42.3dB.16×2元陣的實測垂直和水平極化增益為22.19dB和21.79dB,效率分別為92.7%和84.5%.圖12為實測掃描方向圖,兩個極化在二主面上掃描范圍均優(yōu)于±25°.

        圖10 實測X波段S參數(shù)

        3 結(jié) 論

        本文提出了把共口徑DBDP天線陣擴展成共口徑TBDP天線陣的方法,并介紹了一副共用口徑L/S/X TBDP天線陣的設(shè)計,驗證了方法的有效性。實測結(jié)果顯示了良好的電性能:三個波段帶寬相近,為13.7% ~16.7%;所有波段的帶內(nèi)隔離度均優(yōu)于37dB;方向圖與理論結(jié)果吻合良好,主瓣內(nèi)交叉極化電平均低于-30dB,實測S和X波段相位掃描能力優(yōu)于±25°.并表明,子陣拼接的影響很小。與三波段獨立口徑天線陣相比,樣陣口徑縮小了三分之一。若將中間L波段子陣置換成其他共口徑DBDP子陣(如:L/C子陣),可以擴展成四波段或更多波段的共用口徑天線陣。

        致謝感謝中國電子科技集團公司第三十八研究所的項目經(jīng)理魏駟、工藝師吳文煜和結(jié)構(gòu)師王志剛等在天線加工中給予很多建議和幫助。

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