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        基于全橋移相控制器UC3879的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)

        2012-07-17 07:37:26梁軍龍
        山西電子技術(shù) 2012年1期
        關(guān)鍵詞:磁芯匝數(shù)全橋

        梁軍龍

        (國(guó)營(yíng)大眾機(jī)械廠第一研究所,山西太原030024)

        電源按控制方式一般可分為線性電源和開(kāi)關(guān)電源兩類。其中:線性電源的輸出紋波較小、電磁兼容性較好,但效率較低、發(fā)熱較大、電源體積較大;開(kāi)關(guān)電源以其效率高、發(fā)熱量較小、體積小、重量輕,逐漸取代了線性電源。

        全橋移相的開(kāi)關(guān)電源控制方式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔,控制方式簡(jiǎn)單。在這種控制方式下:開(kāi)關(guān)頻率恒定,有利于濾波器的優(yōu)化設(shè)計(jì);可實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)管的零電壓開(kāi)關(guān),減小了開(kāi)關(guān)損耗,提高了電源的工作效率;由于元器件的電壓和電流應(yīng)力較小,降低了元器件的性能要求,使電源成本降低。因此,在中、大功率的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)過(guò)程中多采用全橋移相的控制方式。

        筆者在此基礎(chǔ)上利用全橋移相技術(shù),進(jìn)行了300 W開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)。

        1 設(shè)計(jì)要求

        擬設(shè)計(jì)的開(kāi)關(guān)電源的技術(shù)指標(biāo)如下:

        (1)輸入電壓范圍:DC 18 V~36 V;

        (2)輸出電壓:DC 24 V;

        (3)輸出電壓微調(diào):標(biāo)稱輸出電壓的±10%;

        (4)額定輸出電流:12 A;

        (5)負(fù)載調(diào)整度:±1%;

        (6)輸出電壓紋波峰峰值:200 mVp-p;

        (7)過(guò)流保護(hù):15 A;

        (8)工作溫度:-20℃ ~+85℃;

        (9)環(huán)境濕度:相對(duì)濕度90%(35℃)。

        2 開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)

        由于開(kāi)關(guān)電源輸出的功率較大,所以采用全橋移相的控制方式。電源主控芯片選用TI公司的全橋移相型PWM控制器UC3879,UC3879可對(duì)兩個(gè)半橋開(kāi)關(guān)電路的相位進(jìn)行移相控制,實(shí)現(xiàn)功率級(jí)的恒頻PWM控制;UC3879的4個(gè)輸出端分別驅(qū)動(dòng)A/B、C/D 2個(gè)半橋,每個(gè)半橋都能進(jìn)行單獨(dú)的導(dǎo)通延時(shí)(死區(qū))調(diào)節(jié),在該死區(qū)時(shí)間內(nèi)確保下一個(gè)導(dǎo)通管的輸出電容放電完畢,為即將導(dǎo)通的開(kāi)關(guān)管提供零電壓開(kāi)通條件;UC3879可工作在電壓模式和電流模式下,并具有1個(gè)獨(dú)立的過(guò)電流關(guān)斷電路以實(shí)現(xiàn)故障的快速保護(hù)[1]。其電氣特性如下:

        (1)可實(shí)現(xiàn)0~100%的占空比控制;

        (2)開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)2 MHz;

        (3)兩個(gè)半橋輸出的導(dǎo)通延時(shí)可單獨(dú)編程;

        (4)支持欠壓鎖定功能;

        (5)軟啟動(dòng)控制功能;

        (6)鎖定后的過(guò)流比較器在整個(gè)控制周期內(nèi)均可重新啟動(dòng);

        (7)適用于電壓拓?fù)浜碗娏魍負(fù)?

        (8)在欠壓鎖定期間輸出自動(dòng)變成低電平;

        (9)啟動(dòng)電流僅150 μA;

        (10)誤差放大器帶寬為10 MHz。

        在開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)過(guò)程中,變壓器設(shè)計(jì)是整個(gè)開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)的核心,對(duì)開(kāi)關(guān)電源性能有決定性的影響?,F(xiàn)將這部分設(shè)計(jì)分述如下:

        2.1 變壓器設(shè)計(jì)

        變壓器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵是磁芯的選取、原邊/副邊匝數(shù)的計(jì)算。在此,為避免開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)噪聲對(duì)負(fù)載的干擾,選取開(kāi)關(guān)頻率為36 kHz,在此開(kāi)關(guān)頻率的基礎(chǔ)上進(jìn)行變壓器的設(shè)計(jì)[2]。

        2.1.1 磁芯選擇

        36 kHz開(kāi)關(guān)頻率條件下:

        式中:Ap—磁芯面積乘積;

        Ae—磁芯有效截面積;

        AQ—窗口截面積;

        PT—開(kāi)關(guān)電源輸出功率;

        η—開(kāi)關(guān)電源效率,在此為0.8;

        fs—變壓器的開(kāi)關(guān)頻率;

        Bm—磁通密度;

        Km—窗口占空系數(shù),與導(dǎo)線粗細(xì)、繞制工藝及漏感和分布電容的要求等有關(guān);

        KC—電流密度系數(shù),與鐵心形式、溫升要求等有關(guān)。

        為保證磁芯具有一定裕度,選取TDK EI50磁芯,該磁芯Ap=4.14(Ae=230 mm2,Aw=180 mm2),能夠滿足要求。

        2.1.2 原邊/副邊匝數(shù)計(jì)算

        為減小導(dǎo)線的趨膚效應(yīng),選取導(dǎo)體標(biāo)稱直徑d=0.630 mm的導(dǎo)線,原邊12根并繞,副邊8根并繞。

        原邊匝數(shù):

        式中:VDT—MOSFET漏源壓降;

        D—原邊繞組占空比;

        Bmax—最大磁通密度;

        Vdc(min)—直流母線電壓最小值;

        T—開(kāi)關(guān)周期,T=1/fs。

        嘗試取原邊匝數(shù)Np=4時(shí),副邊匝數(shù)為:

        式中:Vom—輸出電壓。

        適當(dāng)放大計(jì)算所得匝數(shù),考慮取原邊匝數(shù)6匝,副邊匝數(shù)Ns=7匝。

        初級(jí)電流有效值:

        式中:Pout—輸出功率。

        次級(jí)電流有效值:

        取電流密度4.5 A/mm2。

        原邊每匝導(dǎo)線截面積:

        副邊每匝導(dǎo)線截面積:

        考慮到導(dǎo)線的集膚效應(yīng)(集膚深度約0.38 mm),選取標(biāo)稱直徑0.630 mm的導(dǎo)線。其外徑為0.68 mm(1級(jí))。

        原邊并繞根數(shù):

        取13根。

        副邊并繞根數(shù):

        取8根。

        下面計(jì)算繞組總面積:

        原邊繞組面積=Np×原邊并繞根數(shù)×0.6302=30.95 mm2.

        副邊繞組面積=Ns×副邊并繞根數(shù)×0.6302=22.2 mm2.

        總面積=原邊繞組面積+副邊繞組面積*2=84.12 mm2.

        3 全橋移相變換器工作原理

        全橋移相變換器是輸出功率最高的一類,其拓?fù)湓韴D如圖2:

        圖2 全橋移相拓?fù)湓韴D

        全橋移相變換器通過(guò)改變功率開(kāi)關(guān)控制策略,使其中一個(gè)功率管先關(guān)斷,一次繞組的另一端仍與地相連,這使得漏感、諧振電感和MOSFET的輸出電容構(gòu)成諧振網(wǎng)絡(luò)。這樣,一次繞組的開(kāi)路端電壓振蕩到下管的母線端電位,然后下管MOSFET以ZVS(零電壓開(kāi)關(guān))方式開(kāi)通。接著與一次繞組滯后端相連的MOSFET可以關(guān)斷,且滯后端振蕩到上管母線端電位,最后上管MOSFET開(kāi)通[3]。MOSFET的開(kāi)通、關(guān)斷波形見(jiàn)圖3。

        由于MOSSFET管在關(guān)斷瞬間,一次繞組的兩端都有一個(gè)單端流過(guò)的負(fù)載電流,所以每個(gè)MOSFET都實(shí)現(xiàn)了ZVS開(kāi)通、關(guān)斷,錯(cuò)開(kāi)了功率器件大電流和高電壓同時(shí)出現(xiàn)的硬開(kāi)關(guān)狀態(tài),抑制了MOSFET開(kāi)通、關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的電壓尖峰,減少了開(kāi)關(guān)損耗與干擾。

        圖3 MOSFET的開(kāi)通、關(guān)斷波形圖

        4 諧振電感設(shè)計(jì)原則

        ZVS的實(shí)質(zhì)就是:利用諧振過(guò)程對(duì)并聯(lián)電容充放電,讓某一橋臂電壓Ua或Ub快速升至電源電壓或降至零值,使同一橋臂即將開(kāi)通管的并聯(lián)二極管導(dǎo)通,把該管兩端電壓迅速鉗在零位。而在主變壓器源端串接自我諧振電感Lr,可促使變換器滯后臂實(shí)現(xiàn)ZVS[4]。

        由于只有Lr參與諧振,如果諧振開(kāi)始時(shí)Lr電流iLr較小,Lr儲(chǔ)能不夠,電容C的諧振電壓Uc的峰值就有可能達(dá)不到Uin,開(kāi)關(guān)管的并聯(lián)二極管就不能導(dǎo)通,其對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān)管就不能實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)通。為了使電容的諧振電壓峰值能夠達(dá)到Uin,電感的儲(chǔ)能必須足夠,在諧振開(kāi)始時(shí)電感Lr的電流iLr(0)必須滿足:

        這一不等式是設(shè)計(jì)諧振電感Lr的依據(jù)。

        Lr取值較大可有效抑制原邊電流急劇變化引起的寄生振蕩,減小上沖或下沖的尖峰毛刺,降低開(kāi)關(guān)損耗;但Lr過(guò)大又會(huì)延長(zhǎng)占空比丟失時(shí)間,降低整機(jī)效率。Lr取值小些可縮短原邊電流在死區(qū)時(shí)間諧振過(guò)零的反向過(guò)程,在輸入電壓最低、輸出電流最大時(shí)仍能控制移相穩(wěn)壓,提升電源效率;但Lr過(guò)小,雖使占空比丟失減小,但原邊電流上沖或下沖的尖峰毛刺會(huì)顯著增大,增大開(kāi)關(guān)損耗,降低電源的可靠性。因此,在實(shí)際的設(shè)計(jì)過(guò)程中,在允許的范圍內(nèi)要多做比較,不斷優(yōu)化,以試驗(yàn)數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。

        5 結(jié)論

        經(jīng)設(shè)計(jì)、調(diào)試后,開(kāi)關(guān)電源在環(huán)境實(shí)驗(yàn)及常溫連續(xù)工作過(guò)程中輸出電壓穩(wěn)定,動(dòng)態(tài)響應(yīng)較快,供電品質(zhì)較高,滿足設(shè)計(jì)指標(biāo)要求。

        [1]Texas Instruments.Phase Shift Resonant Controller for UC3879[Z].Texas Instruments,Inc.2007.

        [2]Marty Brown.開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)指南[M].徐德鴻,沈旭,楊成林,等,譯.北京:機(jī)械工業(yè)出版社,2004.

        [3]張占松.蔡宣三.開(kāi)關(guān)電源的原理與設(shè)計(jì)[M].北京:電子工業(yè)出版社,1998.

        [4]劉勝利.高頻開(kāi)關(guān)電源實(shí)用新技術(shù)[M].北京:機(jī)械工業(yè)出版社,2005.

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