梁 強(qiáng), 陳希春, 任 昊, 王 飛, 郭漢杰
(1.北京科技大學(xué),北京100083;2.鋼鐵研究總院,北京 100081)
電渣重熔(ESR)在提高金屬純凈度、控制重熔錠凝固組織方面得到共識(shí)。由于現(xiàn)代煉鋼工藝的進(jìn)步,硫及其夾雜物的控制已經(jīng)不是電渣生產(chǎn)中的主要矛盾。如何控制凝固,獲得合理組織成為電渣工作者最為關(guān)心的問(wèn)題[1]。而用于描述凝固質(zhì)量的一次枝晶間距d1與二次枝晶間距d2以及局部凝固時(shí)間與Rayleigh數(shù)等參數(shù)很難由測(cè)量獲得,雖然利用計(jì)算機(jī)進(jìn)行電渣重熔過(guò)程數(shù)值模擬的研究較多[2-6],但是對(duì)電渣重熔凝固參數(shù)進(jìn)行數(shù)值模擬的研究未見報(bào)道,本文利用MeltFlow軟件從理論上確定電渣重熔過(guò)程中各目標(biāo)參數(shù)與電流的關(guān)系,實(shí)現(xiàn)電渣重熔過(guò)程有效控制,從而保證最終產(chǎn)品的質(zhì)量。
本計(jì)算模型對(duì)軸對(duì)稱、穩(wěn)態(tài)條件下ESR工藝的物理過(guò)程進(jìn)行了綜合分析。其計(jì)算范圍從渣頂表面開始,包括重熔錠,以渣頂表面為參照系,且電極-渣與渣-金屬界面假定為平面。其計(jì)算范圍見圖1。
采用焓-孔隙度方法建立相變行為的模型,通過(guò)求解能量守恒方程獲得渣與鋼錠中的溫度場(chǎng),在該方法中,總焓被分成顯焓h與潛熱ΔH。相應(yīng)的控制方程描述如下。能量守恒:
式中ρ—密度,kg/m3;—熔化速度,kg/s;Cp—熱容,J/(Kg.K);T—溫度,K;t—時(shí)間,s;keff—有效熱導(dǎo)率,W·(m-1·K-1);SJ—焦耳熱,J;f—液體分?jǐn)?shù);L—液體分布長(zhǎng)度,m;Tsolidus—固相線溫度,K;Tliquidus—液相線溫度,K。
對(duì)于高溫合金,易于在枝晶間區(qū)域發(fā)生顯微偏析并形成黑斑。因此,在計(jì)算模型中,利用凝固重熔錠的溫度場(chǎng)預(yù)測(cè)金相組織,并且用Rayleigh數(shù)作為黑斑判據(jù)預(yù)測(cè)黑斑形成的可能性[7]。
局部凝固時(shí)間(tLST)——該時(shí)間被定義為基體金屬?gòu)囊壕€溫度冷卻到固線溫度所需的時(shí)間。
一次、二次枝晶臂間距由下述公式計(jì)算,該公式使用了冷卻速率。
圖1 ESR工藝穩(wěn)態(tài)行為分析范圍(以渣頂表面為參照系)Fig.1 Computational domain for the analysis of the steady-state behavior of the ESR process(Frame of reference attached to the top surface of the slag)
滲透性計(jì)算表達(dá)式如下:
平行一次枝晶的滲透性:
垂直一次枝晶的滲透性:
重力方向的有效滲透性:
枝晶間對(duì)流的長(zhǎng)度:
Rayleigh數(shù):
式中Tsolidus—固相線溫度,K;Tliquidus—液相線溫度,K;tLST—局部凝固時(shí)間,s;t(Tsolidus)—金屬冷卻到固相線溫度的時(shí)間,s;t(Tliquidus)—金屬冷卻到液相線溫度的時(shí)間,s;C1,C2,x—由合金成分決定的常數(shù);G—熱梯度,K/m;R—冷卻速率,K/s;p1,p2,q1,q2—系數(shù);BΠ,B⊥—流動(dòng)方程決定的常數(shù);α—凝固界面與垂直于枝晶生長(zhǎng)方向的夾角,°;r1,r2,r3—系數(shù);Fs,freckle—黑斑起始固體分?jǐn)?shù);Δρ—密度差,kg/m3;g——重力加速度,m/s2;∏—滲透性;v—?jiǎng)恿W(xué)粘度,Pa·s;fL—糊狀區(qū)平均液體分?jǐn)?shù);R——生長(zhǎng)速率,m/s;φ—重力加速度與垂直于枝晶生長(zhǎng)方向的夾角,(°)。
電極、渣與重熔錠的物性參數(shù)、幾何參數(shù)及操作參數(shù)如表1所示。
采用表1所示的參數(shù)對(duì)直徑100mmGH4169母電極進(jìn)行電渣重熔,運(yùn)用硫印的方法得出各電流下熔池深度;并對(duì)電流為3.2kA下得出的重熔錠進(jìn)行取樣分析,取樣位置為重熔錠中心、1/2R及邊緣部位,試樣經(jīng)打磨、剖光和腐蝕后在金相顯微鏡OLYMPUS GX71上觀察枝晶,然后利用枝晶法計(jì)算二次枝晶間距,取一組樹枝晶,測(cè)量其總長(zhǎng)度,總長(zhǎng)度除以含有的樹枝晶個(gè)數(shù),再考慮光學(xué)顯微鏡的放大倍數(shù)因素。對(duì)于每個(gè)試樣拍兩組照片,對(duì)于同一試樣取10次測(cè)量結(jié)果取其平均值。
表1 電極、渣與重熔錠的物性、幾何參數(shù)及操作參數(shù)Table 1 Physical properties,geometrical and operating conditions of electrode,slag and remelting ingot
由于局部凝固時(shí)間(Δt)標(biāo)志合金在固液兩相區(qū)的停留時(shí)間,即合金完成凝固所消耗的時(shí)間,它是評(píng)定合金顯微結(jié)構(gòu)的重要判據(jù),它決定了合金的一次晶軸間距d1、二次晶軸間距d2。因此常用一次枝晶間距d1及二次枝晶間距d2的大小來(lái)描述凝固質(zhì)量。枝晶間距對(duì)鑄件性能的影響是由于枝晶間偏析,減小枝晶間距可以減輕樹枝晶間偏析[8]。因此,在電渣重熔錠中,常采用盡可能減小枝晶間距的方法來(lái)減少顯微偏析。圖2~5所示為不同電流大小時(shí)枝晶間距、局部凝固時(shí)間、Rayleigh(Ra/Ra*)數(shù)在重熔錠中的分布。
從圖2~5中可以看出,從重熔錠外表面到中心,局部凝固時(shí)間逐漸增加,一次、二次枝晶間距逐步增大,而冷卻速率相應(yīng)降低,Rayleigh數(shù)最大值發(fā)生在0.3R處。因此可以表明,局部凝固時(shí)間、枝晶間距、冷卻速率與Rayleigh數(shù)之間對(duì)應(yīng)關(guān)系明顯,即隨著冷卻速率增大,局部凝固時(shí)間、枝晶間距、Rayleigh數(shù)相應(yīng)減少。
為表明局部凝固時(shí)間、枝晶間距與Rayleigh數(shù)隨電流變化趨勢(shì),以局部凝固時(shí)間、二次枝晶間距、Rayleigh數(shù)最大值為依據(jù),結(jié)果如圖6所示。
圖6所示為不同電流下的局部凝固時(shí)間、二次枝晶間距、Rayleigh數(shù)的變化。從圖中可以看出這三個(gè)凝固參數(shù)的變化趨勢(shì)是一致的,且都在電流為4kA處形成拐點(diǎn),在4kA之前都隨電流的增大而減小,4kA之后變化不明顯。這是因?yàn)樵谄渌麠l件不變的情況下,在4kA之前,電極熔化速率小于冷卻速率,因此局部凝固時(shí)間、二次枝晶間距及Rayleigh數(shù)呈減小趨勢(shì),當(dāng)電流大于4kA后,熔化速率與凝固速率形成平衡,因此局部凝固時(shí)間、二次枝晶間距與Rayleigh數(shù)變化不明顯。由此可以表明,局部凝固時(shí)間、二次枝晶間距、Rayleigh數(shù)在判定凝固組織好壞、是否能夠產(chǎn)生黑斑偏析方面是等同的;在其它條件相同的情況下,當(dāng)電流增大到一定程度后,凝固組織的優(yōu)劣與電流變化無(wú)關(guān)。
重熔過(guò)程中,金屬熔池的存在是各種冶金反應(yīng)進(jìn)行的必要條件。金屬熔池的狀況與重熔系統(tǒng)的溫度場(chǎng)、流場(chǎng)、電場(chǎng)、磁場(chǎng)等有關(guān),且受冶煉工藝和結(jié)晶器水冷制度的影響。而且,鑄錠質(zhì)量與金屬熔池密切相關(guān),其深度和形狀直接影響熔鑄件的結(jié)晶,成為判定爐況、冶金質(zhì)量、經(jīng)濟(jì)指標(biāo)的重要目標(biāo)參數(shù)[9]。
圖7 電流為3200A(a),3600kA(b),4000kA(c),4800kA(d)時(shí)溫度場(chǎng)分布Fig.7 Field variations of temperature for 3200kA(a),3600kA(b),4000kA(c)and 4800kA(d)
圖7所示為設(shè)定電流下的溫度場(chǎng)分布狀態(tài)。可以看出,熔池深度隨電流的增大而加深,熔池深度從3.2kA時(shí)的81mm增加到4.8kA時(shí)的130mm。電渣重熔金屬熔池深度是一切重熔因素的綜合反映,因此應(yīng)用熔池深度的模擬結(jié)果與硫印試驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行比較,以證明模擬的合理性。
圖8 不同電流時(shí)模擬及硫印熔池深度Fig.8 measurement and simulation results of molten pool for different current
圖8所示為電流大小不同時(shí)模擬熔池深度與硫印熔池深度對(duì)比圖。從圖中可以看出,在其他條件不變的情況下,隨電流增加,熔池深度變深。硫印試驗(yàn)的熔池深度從80mm增加到131mm,模擬結(jié)果與硫印試驗(yàn)結(jié)果吻合良好。
圖9所示為設(shè)定電流下不同部位枝晶形貌。采用枝晶法測(cè)定其二次枝晶間距,見表2。
表2 二次枝晶間距測(cè)量結(jié)果Table 2 Measurement results of secondary dendrite arm spacing
圖10所示為設(shè)定電流下模擬及測(cè)量的二次枝晶間距分布狀態(tài)??梢钥闯?,二次枝晶間距沿重熔錠中心至邊緣逐漸減小,且模擬結(jié)果與測(cè)量結(jié)果吻合良好。
圖9 電流為3.2kA時(shí)枝晶形貌Fig.9 Appearance of interdendritic for 3.2kA (a)center;(b)edge;(c)1/2R
圖10 電流為3.2kA時(shí)二次枝晶間距的模擬及測(cè)量結(jié)果Fig.10 measurement and simulation results of secondary dendrite arm spacing for 3.2kA
通過(guò)MeltFlow軟件對(duì)GH4169合金進(jìn)行ESR工藝穩(wěn)態(tài)行為在不同電流大小條件下的模擬研究,得出如下結(jié)論:
(1)局部凝固時(shí)間、枝晶間距、Rayleigh數(shù)隨冷卻速率增大沿重熔錠中心到邊緣逐漸減小,且當(dāng)電流增大到一定程度后,凝固過(guò)程參數(shù)與電流變化無(wú)關(guān);
(2)在本實(shí)驗(yàn)條件下,電流小于4kA時(shí),局部凝固時(shí)間、二次枝晶間距、Rayleigh數(shù)隨電流增大而減小;電流大于4kA時(shí),局部凝固時(shí)間、二次枝晶間距、Rayleigh基本不變化;
(3)硫印試驗(yàn)及枝晶法表明,預(yù)測(cè)的熔池形狀及二次枝晶間距與實(shí)測(cè)值吻合良好,可用于設(shè)計(jì)和優(yōu)化現(xiàn)有工藝并改進(jìn)鋼錠質(zhì)量。
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