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        探析PI薄膜的性能及生產(chǎn)應(yīng)用

        2012-07-12 07:05:52武漢職業(yè)技術(shù)學(xué)院電信學(xué)院張雅娟
        電子世界 2012年8期

        武漢職業(yè)技術(shù)學(xué)院電信學(xué)院 張雅娟

        隨著微電子行業(yè)的迅速發(fā)展,聚酰亞胺(P I)薄膜作為含有酰亞胺基團(tuán)的芳雜環(huán)高分子化合物,具有良好的電學(xué)性能和耐熱性,被廣泛用于柔性集成印刷電路板多層制板的層間絕緣、半導(dǎo)體表面鈍化等方面,是較好的薄膜類(lèi)絕緣材料。尤其是建立在普通P I薄膜基礎(chǔ)上的感光聚酰亞胺薄膜,同時(shí)具備了耐熱性和感光性,使得曾經(jīng)復(fù)雜的薄膜表面微圖刻蝕工藝變得簡(jiǎn)單易操作,半導(dǎo)體器件的晶化率也大大提高。

        1.性能分析

        PI 薄膜是透明的黃色膜,都具有優(yōu)異的耐高、低溫性、耐輻射性、電氣絕緣性等特點(diǎn),可以在 2 60 ℃ - 2 80℃ 的高溫范圍內(nèi)長(zhǎng)時(shí)間使用,也可以在 4 00 ℃高溫下短時(shí)間使用,是做好的耐高溫電氣類(lèi)絕緣產(chǎn)品。P I薄膜的這些特點(diǎn)主要是因?yàn)榫埘啺繁旧硎撬芯酆衔镏芯邆渥罡邿岱€(wěn)定性的品種之一。

        聚酰亞胺是由均苯四甲酸二酐(PMDA)、二氨基二苯醚(ODA)在室溫下加入反應(yīng)藥品(最佳配比 1:020.1015.1 - ),在氮?dú)獗Wo(hù)下(如圖1),反應(yīng)開(kāi)始后控制在20°C左右,開(kāi)環(huán)縮聚,將PAA脫水即可形成P I。

        (1)力學(xué)性能。聚酰亞胺有很好的機(jī)械性能,未增強(qiáng)的基板材料抗張強(qiáng)度均 1 00 M Pa 以上。用均苯型制備的 PI薄膜抗張強(qiáng)度是 1 70 M Pa,而用聯(lián)苯型聚酰亞胺制成的可達(dá)到 4 00 M Pa。聚酰亞胺纖維的彈性模量可達(dá)到 5 00 M Pa,僅次于碳纖維。

        (2)耐化學(xué)藥品性。由于 PI材料大多不溶于有機(jī)溶劑,被增強(qiáng)過(guò)的 PI塑料遇到烯酸,較其他材料更耐腐蝕,在120 ℃ 的高溫水煮依然具備良好的穩(wěn)定性。

        (3)耐輻射性。聚酰亞胺薄膜在被109數(shù)量級(jí)的劑量輻射后,其強(qiáng)度依然可以保持在85%以上,有的甚至可以保持在90%以上。

        (4)電性能。P I材料中的大分子含有大量的極性基,這些極性基與相鄰基形成共軛體系,故而限制了其極性,使得P I在很寬的溫度范圍內(nèi)偶極損耗小,具備優(yōu)良的電性能。其介電常數(shù)不高于3.5,特殊處理后,可以低于2.5,介電強(qiáng)度保持在100-300Kv/mm,因此這種低介電常數(shù)的P I材料的研究倍受矚目。

        (5)熱性能。由于 PI材料的分解溫度都高于 5 00 ℃,分子鏈中含大量芳香環(huán),故具有優(yōu)良的耐熱性。尤其是由聯(lián)苯二酐和對(duì)苯二胺合成的 PI,分解溫度可以達(dá)到 6 00 ℃,短時(shí)間高溫下各項(xiàng)物理性質(zhì)維持不變。正是因?yàn)?PI良好的熱性能,它被制成聚酰亞胺樹(shù)脂,包括熱固性樹(shù)脂和熱塑性樹(shù)脂。熱可塑性 PI還可以注射并擠出成型的優(yōu)異的有熱可塑熔融流動(dòng)性的 PI樹(shù)脂。 PI樹(shù)脂優(yōu)點(diǎn)很多,例如強(qiáng)度高、吸水率低、耐輻射和水解、絕緣性好、耐熱氧化、熱穩(wěn)定性好等,故在宇航、原子能工業(yè)、核潛艇等軍事領(lǐng)域以及微電子的精密加工行業(yè)廣泛應(yīng)用。

        上述性能在較寬的頻率范圍內(nèi)都具有良好的穩(wěn)定性。此外, PI材料還有耐低溫、膨脹系數(shù)低、阻燃以及良好的生物相容性等特性。聚酰亞胺優(yōu)異的綜合性能和合成化學(xué)上的多樣性,可廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域。

        圖1 聚酰胺酸環(huán)化(PAA)

        2.應(yīng)用

        工業(yè)生產(chǎn)中的 PI薄膜主要包括均苯型聚酰亞胺薄膜和聯(lián)苯型聚酰亞胺薄膜兩大類(lèi)。 PI薄膜素來(lái)有“黃金薄膜”之稱(chēng),上述 PI優(yōu)異的性能使其廣泛用于空間技術(shù)、柔性印刷線路板、PTC電熱膜、計(jì)算機(jī)、變壓器、汽車(chē)電子、交通運(yùn)輸?shù)确矫妗?/p>

        例如在柔性基底ITO薄膜的制備中,就頻繁使用到 PI。柔性基底ITO薄膜是以有機(jī)材料為襯底制成的透明導(dǎo)電薄膜。此有機(jī)材料必須有90%以上的透光率,有一定的耐溫性(至少耐溫點(diǎn)達(dá)到 12 0 ℃),放氣率低、張力強(qiáng)度好,最重要的是要和薄膜有很好的結(jié)合力。一般常用的材料有聚乙烯對(duì)苯二甲酯(PET)、聚酰亞胺( PI)。這兩類(lèi)材料都可以耐溫達(dá)到200 ℃ 以上,高溫時(shí)性質(zhì)比較穩(wěn)定。除了透明度也很好外,還具有耐損傷、耐刻蝕、耐堿性、材料表面形狀好且無(wú)針孔等特性。尤其值得一提的是,其與襯底附著能力很好,可完成大面積均勻鍍膜,而且成本不高。其中,PET襯底的軟化點(diǎn)為 2 35 ℃,放氣速度低,因此除廣泛用于電線電纜的包繞材料,制作錄音磁帶、錄像磁帶、計(jì)算機(jī)帶、電影膠片、X光片等傳統(tǒng)領(lǐng)域外,后被普遍用來(lái)作為磁控濺射制備汽車(chē)貼膜、透明導(dǎo)電薄膜的基膜使用。特別是在柔性基底薄膜上直接制備多層膜時(shí),PET襯底薄膜雖然具備很大的價(jià)格優(yōu)勢(shì),但 PI襯底薄膜綜合性能更好。 PI襯底薄膜具備耐高溫、低溫、耐輻射和優(yōu)良的光學(xué)性能和電學(xué)性能。其薄膜表面非常光滑,沒(méi)有氣泡、針孔和導(dǎo)電雜質(zhì);耐溫點(diǎn)可達(dá)到250 ℃ 且可長(zhǎng)期使用。在 PI襯底上用射頻磁控濺射法制備柔性ITO薄膜時(shí),射頻功率、氧氣濃度和襯底溫度等參數(shù)雖會(huì)對(duì)薄膜性能產(chǎn)生一些影響,但以 PI為有機(jī)材料作柔性基底薄膜比以硬質(zhì)材料為基底的薄膜應(yīng)用更廣泛,例如高性能汽車(chē)貼膜、觸摸屏、等離子電視等方面。

        目前,電子市場(chǎng)上PI薄膜產(chǎn)品種類(lèi)繁多,例如CF聚酰亞胺膠帶、JPB可成型聚酰亞胺薄膜、HT型聚酰亞胺薄膜等等。

        (1)CF聚酰亞胺膠帶(如圖2)是在CN型聚酰亞胺薄膜表面進(jìn)行單面F46而成的膠帶,F(xiàn)CF為雙面涂氟。膠帶在常溫下不具有粘結(jié)性,需要在 3 00 ℃進(jìn)行熱結(jié)合粘結(jié),除了具有CN型薄膜耐高溫、高強(qiáng)度等特性之外,還具有超強(qiáng)的防潮濕、防腐蝕性能和熱封性。主要應(yīng)用在塑料管型材、電熱電路、熱封包裹、電磁線繞包絕緣、其他電氣絕緣等方面。

        (2)JPB可成型聚酰亞胺薄膜性能與JP可成型聚酰亞胺薄膜類(lèi)似,顏色為黑色,厚度規(guī)格有25mμ、38mμ、50mμ、75mμ。 主要應(yīng)用在揚(yáng)聲器振動(dòng)膜、止推墊圈、機(jī)械墊片等。如圖3。

        (3)HT型聚酰亞胺薄膜是導(dǎo)電的黑色聚酰亞胺薄膜,其表面電阻被精確控制且為材料上是整體均一性的薄膜,該膜不能被劃傷,折壞或磨穿。HT型聚酰亞胺薄膜可作為面狀發(fā)熱膜,具有耐輻射、耐老化、質(zhì)輕柔軟耐折、使用壽命長(zhǎng),表面電阻可控范圍60-2Ωk2,可廣泛用于 Co

        260 以下的發(fā)熱、保溫、烘干等防護(hù)元件,同時(shí)還具有省電特性,比一般電阻絲省電30%。主要應(yīng)用在加熱器、自動(dòng)加熱裝置、健康保護(hù)、農(nóng)業(yè)設(shè)施、太空和電器元件保溫和防靜電等方面。如圖4。

        圖2 CF聚酰亞胺膠帶

        圖3 JPB可成型聚酰亞胺薄膜

        圖4 HT型聚酰亞胺薄膜

        3.結(jié)論

        PI 材料的高溫性、優(yōu)良的介電常數(shù)和抗輻射性等使它廣泛用在功能薄膜的制備工藝中,尤其是以 PI為有機(jī)材料做襯底的柔性基底薄膜。電子級(jí) PI膜隨著軟性銅箔基材的發(fā)展而衍生出來(lái),是 PI膜最大應(yīng)用領(lǐng)域,而電工級(jí)P I膜已經(jīng)能和國(guó)外一樣大規(guī)模生產(chǎn)。由于對(duì)電子級(jí)P I膜的薄膜膨脹系數(shù)和表面各向均勻性的要求很高,其關(guān)鍵技術(shù)依舊被韓國(guó)等幾個(gè)國(guó)家掌握,故其成本依舊會(huì)在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)居高不下。今后P I膜的研究方向必然是從P I的性能和聚合方法上尋求降低其成本的途徑。

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