顧 群
(無錫科技職業(yè)學(xué)院,無錫 214028)
隨著計算機技術(shù)、通信技術(shù)和微電子技術(shù)的快速發(fā)展,人們對高性能的低壓大電流開關(guān)電源的需求越來越大。硬開關(guān)PWM隨著高頻大功率變換技術(shù)的日趨成熟,逐步被軟開關(guān)技術(shù)所代替。零電壓開關(guān)或零電流開關(guān)的軟開關(guān)技術(shù)的優(yōu)勢在于,充分應(yīng)用諧振的原理, 使開關(guān)器件中的電流或電壓按正弦或準正弦規(guī)律變化。當電流自然過零時, 使器件關(guān)斷;或當電壓為零時, 使器件導(dǎo)通。與硬開關(guān)相比,軟開關(guān)的功率器件在零電壓、零電流條件下工作,功率器件開關(guān)損耗的下降(理論上可減少為零)有著十分理想的效果,因此在各個領(lǐng)域應(yīng)用非常廣泛[1]。
通過開關(guān)管零電壓開關(guān)(ZVS)或零電流開關(guān)(ZCS)的實現(xiàn),變換器的開關(guān)頻率與變換效率得到提高,器件的開關(guān)損耗顯著降低。PWM DC-DC全橋軟開關(guān)變換方式主要有兩種:一種就是零電壓開關(guān)方式(ZVS),這種方式中超前橋臂和滯后橋臂都采用ZVS一種模式,需要增加諧振電感,會導(dǎo)致二次側(cè)占空比減少;另一種就是零電壓零電流開關(guān)(ZVZCS)方式,這種方式中超前橋臂處于ZVS模式,而滯后橋臂處于ZCS模式,不需要諧振電感,也不存在單種ZVS方式中的一次側(cè)環(huán)流問題[2]。本文以PWM移相軟開關(guān)電源控制芯片UC3875為核心,在對一種零電壓零電流軟開關(guān)全橋變換器的電路拓撲結(jié)構(gòu)分析的基礎(chǔ)上,設(shè)計并驗證了一套高頻DC-DC開關(guān)電源。
MOSFET、高速IGBT是全橋移相式軟開關(guān)中最為常用的功率變換器件。在ZVZCS方式中,超前臂采用ZVS有利于實現(xiàn)零電壓開關(guān),一般為了實現(xiàn)ZVS需要,會將電容并聯(lián)在功率管兩端,MOSFET因其本身具有較大的寄生結(jié)電容,成為超前臂功率管的合適選擇。滯后臂采用ZCS方式,是由于滯后臂諧振過程中無反射電感,串聯(lián)諧振的電感量較小。因ZCS方式開關(guān)管兩端是不適合并聯(lián)電容的,同時考慮到ZCS關(guān)斷有益于降低IGBT關(guān)斷損耗,故滯后臂的功率管選用了IGBT[3]。
圖1 改進的ZVZCS全橋PWM變換器電路
本文提出的全橋變換器拓撲結(jié)構(gòu)中,超前臂功率管使用了低導(dǎo)通電阻MOSFET,因其內(nèi)部已經(jīng)集成了反向二極管,故可省去外部的并聯(lián)二極管。滯后臂功率管使用了單管IGBT管子,其內(nèi)部的快恢復(fù)二極管可以簡化外部的電路設(shè)計。具體電路結(jié)構(gòu)如圖1所示。
ZVZCS和ZVS,這兩種全橋 PWM DC-DC變換器之間的一個主要區(qū)別是——增加了一個阻斷電容Cb。當VF1和IGBT4導(dǎo)通時, Cb被負載電流充電。當VF1(或VF2)關(guān)斷時,其內(nèi)部反向二極管導(dǎo)通后,一次側(cè)電流Ip因Cb兩端的電壓而減小到零,從而實現(xiàn)IGBT3和IGBT4的零電流開關(guān)。在達到零狀態(tài)時,Ip降低至零值后,無法在反方向持續(xù)增長,本文設(shè)計采用加入阻斷二極管的方法在零狀態(tài)時阻斷了Ip的反方向流動,如圖1中的VD1和 VD2。
一般變壓器的二次側(cè)都采用傳統(tǒng)的全波整流電路,存在著變壓器次級繞組利用率不高的問題。另外,中心抽頭的存在給變壓器的設(shè)計和制造帶來較大難度,而且外部引線的安裝和焊接也很難處理。本文提出的倍流整流電路CDR (Current-Double Rectifier)則很好的解決了這個問題(如圖1所示)。
圖2 ZVZCS全橋PWM變換波形圖
該倍流整流電路采用了共陽二極管接法,在變壓器的次級繞組上將產(chǎn)生高頻正負方波電壓,若次級繞組的上端電壓為正,則次級電流在流過L1、C和R、D2后重新流回次級繞組;若次級繞組的下端電壓為正,則次級電流在流過L2、C和R、D1后重新流回次級繞組。這樣就將高頻交流方波電壓整流為直流輸出電壓。倍流整流結(jié)構(gòu)減少了二次側(cè)電路的元器件和體積,減小了輸出電壓紋波,提高動態(tài)響應(yīng)性能,降低了整流導(dǎo)通損耗和變壓器的銅損[4]。
圖2所示為ZVZCS變換器工作過程中的波形輸出,每半個工作周期由6個不同的工作狀態(tài)組成。超前橋臂VF1、VF2和滯后橋臂IGBT3、IGBT4,作為各橋臂的開關(guān),以大約50%占空比交錯通斷。
工作過程分析如下:
1)t0~t1階段。
開關(guān)VF1、IGBT4同時導(dǎo)通,Uab=Uin,電能經(jīng)變壓器Tr傳遞,Cb被電流Ip充電,阻斷電容Cb兩端的電壓Ucb(公式如下),將由負的最大值線性上升。
式中: I0為輸出負載電流;N為變壓器的二次側(cè)線圈與一次側(cè)線圈的匝比;Ucbp為電容Cb的峰值電壓值。
2)t1~t2階段。
開關(guān)VF1關(guān)斷,IGBT4仍處于導(dǎo)通狀態(tài),并聯(lián)電容器C1被電路電流充電達到Uin。另一方面,電容C2被放電,直到其兩端電壓為零時,VF2內(nèi)部二極管導(dǎo)通,同時VF2導(dǎo)通,此為零電壓導(dǎo)通。
3)t2~t3階段。
電壓Uab被箝位至零,一次側(cè)電流Ip隨之線性下降至零,其原因在于阻斷電容器Cb兩端的電壓全部加在變壓器的漏感Lr上。
4)t3~t4階段。
阻斷二極管VD2使得電流Ip降至零后無法變負,而持續(xù)為零。a、b點對地電壓分別為0和-Ucbp,因此Uab=Ucbp。在此階段無電流流過IGBT4,即這個階段少數(shù)載流子經(jīng)復(fù)合移去,而這種將IGBT4關(guān)斷的方式我們就稱之為零電流關(guān)斷。
5)t4~t5階段。
此階段是一個死區(qū)時間,IGBT3在IGBT4關(guān)斷后,經(jīng)短暫延時后導(dǎo)通。但一次側(cè)電流Ip因存在漏感Lr,不能突變,IGBT3為零電流開通,最后一次側(cè)電路斷開。
6)t5~t6階段。
一次測電流Ip隨著IGBT3和VF2的導(dǎo)通,在反方向增大至最大值。另一方面,阻斷電容器Cb因被Ip反向充電,Ucb從而線性減少。Cb上的電壓Ucb,將為下一周期中IGBT3零電流關(guān)斷和IGBT4零電流開通作準備。
在t6時刻關(guān)斷VF3,開始下半個工作周期,其工作情況類似于前面的描述。
控制器UC3875是一種專用于移相PWM軟開關(guān)電源的高性能芯片,它有工作電源、基準電源、10MHz誤差放大器、振蕩器、軟啟動、鋸齒波發(fā)生器、PWM比較器和觸發(fā)器、過流保護、輸出級、死區(qū)時間設(shè)置和和頻率設(shè)置等部分組成[5]。它的四個獨立的圖騰柱式,可以提供2A的驅(qū)動峰值電流,可以直接驅(qū)動4只功率管,并且都能單獨進行死區(qū)時間時間的調(diào)整,即導(dǎo)通延時的調(diào)節(jié)。圖3為利用UC3875實現(xiàn)移相PWM控制的實際電路。
控制器UC3875內(nèi)部集成的誤差放大器,是實現(xiàn)移相PWM控制的關(guān)鍵部件??刂破餍酒?腳(E/A+)誤差放大器的同相輸入端在和1腳(Vref),基準電壓相連,經(jīng)線性光耦隔離后反饋至3腳(E/A-)誤差放大器的反相輸入的電壓值相比較,所得差值在放大后送至移相脈寬控制器,控制14腳OUTA、13腳 OUTB與 9腳 OUTC、8腳 OUTD之間的信號相位,這四個驅(qū)動信號經(jīng)擴流后由驅(qū)動變壓器去驅(qū)動MOSFET管,從而使波形占空比得到調(diào)整,將電源穩(wěn)定在預(yù)定值上。
圖3 UC3875移相PWM控制典型電路圖
圖4即為當電源額定輸入380V三相交流電(經(jīng)過整流后成為改變換器的輸入),不同輸出電流時的整機變換效率。采用ZVS PWM DC-DC變換器方案時,滿載輸出100A變換效率為91.8%,在使用本方案后,滿載變換效率為93.9%。
圖4 不同電流的轉(zhuǎn)換效率
本文通過分析移相ZVZCS PWM變換電路工作原理,提出具體改進方法,以UC3875為控制芯片,設(shè)計了改進后的DC-DC高頻軟開關(guān)電源,顯著提高了開關(guān)效率和安全性,并進一步降低了損耗。
[1] 劉勝利, 現(xiàn)代高頻開關(guān)電源實用技術(shù)[M]. 北京: 電子工業(yè)出版社, 2001.
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