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        TO系列塑料封裝離層探討

        2012-07-02 05:44:46李明奐王文杰張宏杰
        電子與封裝 2012年8期
        關(guān)鍵詞:界面工藝產(chǎn)品

        李明奐,王文杰,張宏杰

        (天水華天微電子股份有限公司,甘肅 天水 741000)

        1 概述

        隨著電子工業(yè)的快速發(fā)展,對塑料封裝產(chǎn)品的需求也與日俱增,尤其是TO系列塑料封裝電路的市場需求規(guī)?;?,大大促進(jìn)了TO系列產(chǎn)品封裝產(chǎn)業(yè)的發(fā)展進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)的階段。由于其生產(chǎn)成本相對低廉,產(chǎn)品性價比高,已被廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域。隨著應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展,對產(chǎn)品的離層提出了更高的要求(減少或杜絕離層)。根據(jù)市場分析預(yù)測,2012年到2030年之間,TO系列塑料封裝產(chǎn)品的市場需求量約為150億只~180億只。減少或杜絕TO系列塑封產(chǎn)品的離層便成為同行競爭的主要指標(biāo);國內(nèi)TO系列塑封產(chǎn)品與國外同類產(chǎn)品相比,這一指標(biāo)還有一定的差距。因此,進(jìn)一步減少或杜絕TO系列塑料封裝電路的離層已刻不容緩。

        影響TO系列塑料封裝電路離層的因素很多,如金屬絲性能及焊接質(zhì)量、引線框架材料性能和表面處理、塑封料的性能、封裝現(xiàn)場的溫度和濕度,各類材料之間的匹配性等。一旦離層形成,在后續(xù)產(chǎn)品的應(yīng)用中,水汽便會隨機(jī)浸入塑封體內(nèi)部腐蝕電路,影響其正常工作。

        通過選擇合適的封裝材料和封裝工藝,初步解決了TO系列的離層問題,提高了TO系列塑料封裝電路的成品率和封裝過程的穩(wěn)定性。

        2 TO系列塑封離層產(chǎn)生原因分析

        由于塑封過程中使用的多種材料(引線框架、軟焊料、導(dǎo)電膠、焊接金屬線、芯片粒、塑封料等)熱膨脹系數(shù)不完全匹配,在熱、電以及機(jī)械應(yīng)力共同作用下,塑封體與引線框架界面、塑封體與芯片界面、鍵合引線與芯片界面、引線框架與第二焊點(diǎn)界面都可能產(chǎn)生離層。

        塑封料屬于親水性材料且分子間隙較大,環(huán)境中的水汽易吸附至塑封料表面,并通過塑封料或者引腳與塑封體的假面擴(kuò)散至內(nèi)部界面缺陷處。在高溫工藝(如樹脂固化和回流、波峰焊)中,水汽會膨脹幾十甚至數(shù)百倍,產(chǎn)生很高的蒸汽壓,當(dāng)氣壓大于界面處結(jié)合力時,離層即會產(chǎn)生。對于長寬尺寸小、厚度大的封裝體僅產(chǎn)生潛在失效可能的離層,對于長寬尺寸較大、厚度小的封裝體,可能會產(chǎn)生爆米花現(xiàn)象,導(dǎo)致產(chǎn)品失效。通常情況下,離層出現(xiàn)在芯片上部與封裝體的接觸面。第二焊點(diǎn)可能會在注射過程中因引線框架被樹脂沖擊產(chǎn)生位移而導(dǎo)致焊點(diǎn)被拉脫,也可能是鍵合點(diǎn)強(qiáng)度不夠;軟焊料等屬于純度高的金屬材料,在高溫條件下很容易被氧化而導(dǎo)致物理性能降低而產(chǎn)生離層。

        塑封模具設(shè)計是否合理也是離層產(chǎn)生的原因之一。在生產(chǎn)中,塑封模具型腔斜度、頂針位置、頂出距離等不合理,都可能導(dǎo)致產(chǎn)品離層。下面我們探討塑封料的一些機(jī)理。

        塑封料是一種熱固化材料,塑封過程是一種類似使用膠粘劑的粘接技術(shù)。要使塑封體與框架、芯片粘接牢固,必須使粘接力大于上述各種因素產(chǎn)生的合應(yīng)力。這便需要搞清楚其粘接機(jī)理,即粘接力的產(chǎn)生以及影響粘接力大小的因素,如何才能使粘接力最大,然后有針對性地選擇相應(yīng)的原材料,摸索最佳抗離層塑封工藝,達(dá)到消除離層的目的。

        圖1 離層產(chǎn)生原因

        塑封料與引線框架、芯片之間的粘接過程是一個復(fù)雜的物理化學(xué)過程,它是在加熱或加壓條件下完成的。其粘接強(qiáng)度與塑封料(熔融態(tài)時)的性能以及工藝過程等有關(guān)。圖2顯示的是各微粒之間的相互作用力關(guān)系,即分子間作用力與微粒間的間距關(guān)系。說明要使兩種或兩種以上的物質(zhì)間產(chǎn)生良好的粘接力,首先要使其表面相互接近到A(約0.3nm~0.5nm)位置左右,以達(dá)到產(chǎn)生引力場距離范圍,即原子間距水平。要求被粘接物質(zhì)表面保持潔凈,這也是封裝產(chǎn)業(yè)上芯、壓焊、塑封要求空間潔凈的原因。

        另外,塑封料表面處于熔融狀態(tài)時的表面張力影響其潤濕框架能力,以及塑封過程中溫度的控制對框架表面能的影響,都是影響粘接的主要因素。

        圖2 微粒之間的相互作用力關(guān)系

        如圖2所示,當(dāng)兩個粒子之間的間距到達(dá)A位置的距離時,他們之間的吸引力是最大的;而當(dāng)其間距比這個間距還大時,其引力隨距離變化直至零;而當(dāng)間距繼續(xù)減少時,引力也會減少甚至變?yōu)槌饬ΑK晕覀円蟮淖罴颜辰恿托枰獌蓚€分子間距在A附近。

        3 材料的選用

        (1)塑封料的選用

        選擇結(jié)合力強(qiáng)、脫模性能好的塑封料: 用KL/SI/EME/KH等系列的塑封料,對比進(jìn)行抗離層驗證試驗,確定具有結(jié)合力強(qiáng)、抗離層能力好、易脫模屬性的塑封料;

        (2)引線框架的選擇

        確保既不出現(xiàn)離層現(xiàn)象,又不能出現(xiàn)溢料露銅等現(xiàn)象。即選擇表面處理良好、結(jié)構(gòu)設(shè)計完善的引線框架。

        (3)導(dǎo)電膠的選擇

        考慮導(dǎo)電膠與框架界面以及與芯片界面的離層,選取表面張力小、浸潤性良好的導(dǎo)電膠。

        (4)焊線的選擇

        焊線必須選擇與框架以及與芯片結(jié)合力強(qiáng)、熱膨脹系數(shù)匹配良好的材質(zhì)。

        4 工藝措施

        (1)先采用特殊氣體對引線框架進(jìn)行保護(hù),預(yù)防軟焊料、框架表面氧化。

        (2)焊線采用冷壓焊線方式,并且將載體或第二焊點(diǎn)與墊塊之間的間隙調(diào)整至適合狀態(tài),預(yù)防焊線出現(xiàn)的隱性離層。

        5 實驗驗證

        以TO-220AB產(chǎn)品為驗證對象,擇優(yōu)選取工藝范圍,在該工藝范圍內(nèi)做驗證以達(dá)到最佳的實驗效果。

        首先選擇普通材料進(jìn)行調(diào)試,通過工藝參數(shù)調(diào)整,結(jié)果如圖3所示。

        圖3 封裝產(chǎn)品的SAT圖片

        從圖3可以看出,兩張圖片紅色區(qū)域為有離層存在的區(qū)域,載體區(qū)域離層最大達(dá)到92%,最小的也有15%;管腳部位的離層幾乎接近100%。

        后續(xù)選取表面處理以及結(jié)構(gòu)優(yōu)化后的引線框架、性能良好的導(dǎo)電膠以及焊線,選擇多種中高端塑封料,進(jìn)行試封裝并在工藝參數(shù)上進(jìn)行微調(diào)。

        首先空封產(chǎn)品進(jìn)行初步驗證,然后使用墨點(diǎn)先進(jìn)行全程跟蹤驗證,最后使用正式產(chǎn)品封裝,并作離層試驗(之前做先導(dǎo)試驗)。實驗結(jié)果如圖4所示。

        圖4 優(yōu)化工藝后掃描照片

        經(jīng)過驗證,可以發(fā)現(xiàn)塑封料性能、引線框架的結(jié)構(gòu)與材質(zhì)、各種原材料之間的匹配性以及生產(chǎn)工藝是影響TO系列塑料封裝產(chǎn)品離層產(chǎn)生的主要因素。隨著現(xiàn)代科技以及封裝技術(shù)的發(fā)展,封裝設(shè)備的更新、封裝工藝的日趨成熟、原材料的不斷完善,TO系列塑料封裝產(chǎn)品的離層問題會在封裝行業(yè)有所改善。

        6 結(jié)束語

        本文論述了TO系列塑料封裝產(chǎn)品離層產(chǎn)生的原因,提出了預(yù)防TO系列產(chǎn)品離層產(chǎn)生的方法。結(jié)合封裝生產(chǎn)線得出結(jié)論:塑封料性能、引線框架的結(jié)構(gòu)與材質(zhì)、各種原材料之間匹配性以及生產(chǎn)工藝、生產(chǎn)過程中的氫氮保護(hù)等,是解決離層的關(guān)鍵。

        [1] 鄒小花,王永忠,周鳴新. 塑封集成電路離層對可靠性的影響及解決方法[J].電子與封裝,2009,9(5):15-17.

        [2] 吳建忠,陸志芳. 塑封集成電路離層研究[J].電子與封裝,2009,9(3):36-40.

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