趙 力，田海燕，周昕杰

（中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所，江蘇 無錫 214035）

1 引言

EEPROM作為非揮發(fā)的存儲設(shè)備，大量用于航空航天及軍事領(lǐng)域。但由于太空及軍事應(yīng)用環(huán)境的復(fù)雜性，存儲單元常常會受到輻射的影響而使關(guān)鍵數(shù)據(jù)丟失或器件失效。如何滿足太空及軍事領(lǐng)域的需要，提高EEPROM的抗輻射性能，是多年來研究熱點(diǎn)之一[1～2]。文章在現(xiàn)有的工藝基礎(chǔ)之上，研究了如何通過版圖解決EEPROM存儲單元受輻射的影響，改進(jìn)了原有單元的版圖，增強(qiáng)了單元抗輻射的性能，并將其成果應(yīng)用到實(shí)際工作中。

2 輻射效應(yīng)分析

經(jīng)國內(nèi)外研究，EEPROM器件的14MeV中子和31.9MeV質(zhì)子的輻射效應(yīng)不是單粒子效應(yīng)，而是一種總劑量效應(yīng)[3]。所以對于EEPROM單元受輻射影響，主要考慮總劑量效應(yīng)?？倓┝啃?yīng)對EEPROM單元的影響主要表現(xiàn)為：

（1）對浮柵或ONO存儲介質(zhì)層的影響，造成存儲電荷的浮柵或ONO介質(zhì)層漏電，使得所存的數(shù)據(jù)丟失；

（2）在場氧化層側(cè)壁形成正電荷堆積，使一個單元內(nèi)的源/漏端之間漏電，使器件失效；

（3）在場氧化層下形成正電荷堆積，使相鄰單元管之間的隔離失效，形成靜態(tài)漏電流通道，使器件失效。

由于EEPROM工藝的限制，影響（1）只能通過改變器件結(jié)構(gòu)和存儲機(jī)制來克服[4]。而影響（2）和（3），可通過改進(jìn)版圖的方式來修改。

首先分析影響（2）的漏電機(jī)制。采用自對準(zhǔn)工藝制作的晶體管，多晶硅柵淀積在薄氧化層上，源/漏由沒有被多晶硅覆蓋的有源區(qū)注入形成，這種工藝制造出的電路密集度高，但使多晶硅柵在場氧和柵氧過渡區(qū)產(chǎn)生了一個寄生晶體管，這個寄生晶體管對總劑量效應(yīng)十分敏感。因?yàn)閳鲅鹾蜄叛趸瘜釉谳椛錀l件下，會電離電子-空穴對；由于陷阱的俘獲作用，在Si/SiO2系統(tǒng)的SiO2一側(cè)堆積正電荷，形成界面態(tài)，嚴(yán)重影響到晶體管的I-V特性，隨著輻射劑量的增加，邊緣寄生晶體管漏電流也迅速上升，當(dāng)漏電流增加到接近本征晶體管的開態(tài)電流時(shí)，晶體管會永久開啟，導(dǎo)致器件失效。圖1為該機(jī)制漏電示意圖。

接下來分析影響（3）的漏電機(jī)制。場氧化層本來是為相鄰晶體管絕緣隔離的，但由于總劑量效應(yīng)，在場氧中會電離電子-空穴對；由于陷阱的俘獲作用，在Si/SiO2系統(tǒng)的SiO2一側(cè)堆積正電荷，形成界面態(tài)，有可能形成場氧下反型的漏電結(jié)構(gòu)，如圖2所示。場氧漏電溝道能延伸到鄰近晶體管的源/漏區(qū)，這將增大VDD到VSS的靜態(tài)漏電流。

圖2 場氧下漏電

3 EEPROM抗輻射版圖設(shè)計(jì)

EEPROM單元制成工藝包括了FLOTOX和SONOS兩種。

FLOTOX是利用兩層多晶，其中一層多晶作為浮柵，存儲電荷。柵和漏之間有一層隧道氧化層（Tunnel Oxide），浮柵上的電荷通過隧道氧化層實(shí)現(xiàn)“寫入（Write）”和“擦除（Erase）”的功能。

控制柵接高壓、漏極接地時(shí)，電場方向由浮柵指向N+埋層，電子由N+埋層通過隧道氧化層到浮柵；漏端接高壓，而柵接地時(shí)，電場漏極指向浮柵，浮柵上的電子通過隧道氧化層到達(dá)漏區(qū)。浮柵在充電和放電兩種狀態(tài)時(shí)，EEPROM存儲管的閾值電壓是不同的，因此可以代表存入兩種不同的狀態(tài)，浮柵由于帶上不同的電荷狀態(tài)，可以用來表示邏輯“1”和“0”。FLOTOX EEPROM單元剖面圖如圖3所示。

在設(shè)計(jì)FLOTOX EEPROM單元版圖時(shí)，采取管內(nèi)隔離和管間隔離的方法，解決存儲管漏電問題。但其版圖設(shè)計(jì)難度在于，在兼顧抗輻射性能的同時(shí)，還要考慮到單元內(nèi)電壓耦合比問題。電壓耦合比直接決定其性能和可靠性。存儲管等效電路如圖4所示，圖中Cpp為兩層多晶之間的電容，是兩個柵平板電容與側(cè)壁電容的總和，Cd為浮柵和漏區(qū)之間的電容，D為隧道效應(yīng)二極管，Ct為隧穿柵氧化層電容，Cs為浮柵和源區(qū)間的電容，Cb為浮柵和襯底的電容。

當(dāng)擦除時(shí)，控制柵加高壓VCG，漏區(qū)、源區(qū)、襯底都接地。有如下關(guān)系[5]：

Vtue為隧道氧化層中的電壓。

其中令Ke為擦耦合系數(shù)：

當(dāng)寫入時(shí)，控制柵接地，漏接VD，而源端懸浮。有如下關(guān)系：

其中令Kw為寫耦合系數(shù)：

圖4 FLOTOX存儲管等效結(jié)構(gòu)

綜上所述，在設(shè)計(jì)FLOTOX 版圖時(shí)，在滿足抗輻射要求的同時(shí)，應(yīng)注意選取器件浮柵和控制柵的面積，滿足器件電壓耦合比的要求，使器件性能得到優(yōu)化。

SONOS結(jié)構(gòu)的EEPROM如圖5所示。利用F-N 隧穿效應(yīng)或者熱電子發(fā)射機(jī)制，將電荷存在絕緣的ONO介質(zhì)層。通過存儲和抽取電子，改變器件的閾值電壓[6]。在設(shè)計(jì)時(shí)，由于只使用到單層的多晶，不需要考慮電壓耦合比，只需要考慮器件抗輻射性能即可。

圖5 SONOS單元剖面圖

圖6為幾種EEPROM抗輻射版圖。采用了管內(nèi)隔離和管間隔離的方法，使得管內(nèi)源/漏端和相鄰兩管源/漏端之間沒有場氧介入，或是將場氧隔開，不讓場區(qū)下形成漏電通道。表1給出了單元版圖的相關(guān)參數(shù)。

圖6 EEPROM抗輻射版圖

表1 抗輻射單元版圖參數(shù)

4 小結(jié)

通過對EEPROM存儲單元漏電機(jī)理的分析，基于FLOTOX和SONOS工藝，在版圖中通過管內(nèi)加固和相鄰管之間隔離加固的方法，設(shè)計(jì)了多種抗輻射版圖。同時(shí)也指出了在設(shè)計(jì)FLOTOX EEPROM單元版圖的同時(shí)，必須兼顧到器件操作電壓耦合比。為目前芯片的設(shè)計(jì)提供了有力的技術(shù)支持，同時(shí)也為以后抗輻射版圖設(shè)計(jì)提供了有用的參考。

［1］E.S. Snyder, P.J. McWhorter, et al. Radiation Response of Floating Gate EEPROM Memory Cell [J]. Nuclear Science,1989,36（6）：2 131-2 139.

［2］D.Willams, D. Adams, et al. Radiation Hardened 64k/256k EEPROM Technology [A]. Int’l Nonvolatile Memory Technology Conference.

［3］賀朝會，耿斌，等.浮柵ROM與SRAM的輻射效應(yīng)比較分析[J].電子學(xué)報(bào)，2003，31（8）：1 260-1 263.

［4］M .H. White, D. Adams, et al. Characterization of Scaled SONOS EEPROM Memory Device for Space and Military System [A]. In: 5th Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium[C]. IEEE Electr Devices Soc, 2004: 51-59.

［5］于宗光，許居衍，魏同立.雙層多晶硅Flotox EEPROM單元的優(yōu)化設(shè)計(jì)[J].應(yīng)用科學(xué)學(xué)報(bào)，1997，15（1）: 82-88.

［6］Wang Y, M.H. White. An Analytical Retention Model for SONOS Nonvolatile Memory Devices in the Excess Electron State [J]. Solid State Electr, 2005, 49:97-107.