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        脈沖N離子束轟擊對TiAIN膜層耐磨性的影響

        2012-04-29 00:00:00呂樹國劉常升張罡
        科技創(chuàng)新導(dǎo)報 2012年5期

        摘要:本文采用俄羅斯UYN 0.5D2I脈沖離子束輔助電弧離子鍍沉積設(shè)備,在高速鋼W18Cr4V基材上沉積TiAlN腱層。研究了膜層沉積過程中,脈沖N離子束轟擊對TiAIN膜層耐磨性的影響。研究結(jié)果表明:N離子束轟擊能量為okeV時,磨損初期TiAIN膜層的摩擦系數(shù)為0.3:磨損時間為70min時,膜層的摩擦系數(shù)突然增加,膜層全部脫落,部分基材已經(jīng)被磨損,摩擦系數(shù)為0.6。轟擊能量為7.5keV時,磨損初期TiAlN膜層的摩擦系數(shù)為0.13;磨損時間為150rain時,膜層表面沒有出現(xiàn)脫落現(xiàn)象,有部分很淺的磨裹,膜層的摩擦系數(shù)為O.25。

        關(guān)鍵詞:電弧離子鍍TiAIN膜層 離子束 耐磨性

        中圖分類號:TG174.444 文獻(xiàn)標(biāo)識碼:A 文章編號:1674-098X(2012)02(b)-0006-02

        1前言

        耐磨性是衡量膜層刀具性能的重要指標(biāo),良好的耐磨性對于提高膜層刀具的使用壽命具有重要意義。目前,最常見的膜層材料是TiAIN。沉積TiAIN膜層工藝有反應(yīng)磁控濺射、射頻磁控濺射、電弧離子鍍、電子束離子鍍、離子束輔助沉積。電弧離子鍍技術(shù)沉積的TiAlN膜層與其它沉積技術(shù)相比具有高的硬度、高耐磨性、良好的結(jié)合力等特點(diǎn)。雖然電弧離子鍍技術(shù)具有顯著的優(yōu)點(diǎn),但也存在著“大顆粒污染的嚴(yán)重問題。該缺點(diǎn)在一定程度上降低了TiAlN膜層的使用性能。尤其是膜層的耐磨損性能。

        為了抑制或消除膜層中的“大顆?!?,增加膜層的耐磨性,提高膜層的使用性能,本文將脈沖離子束技術(shù)引入電弧離子鍍沉積技術(shù)中,通過脈沖離子束的轟擊作用,提高膜層的耐磨性。

        本文采用俄羅斯UVN 0.5D2I脈沖離子束輔助電弧離子鍍沉積設(shè)備,在高速鋼W18Cr4V基材上沉積TtAlN膜層。研究了膜層沉積過程中,脈沖N離子束轟擊對TiAlN膜層耐磨性的影響。為消除或抑制“大顆?!?,提高TiA1N膜層耐磨性提供理論基礎(chǔ)和技術(shù)保證。

        2實(shí)驗(yàn)方法

        2.1基材及預(yù)處理

        靶材采用TiAl(原子比Ti:AI=1)熱壓粉末燒結(jié)復(fù)合靶。基材選用W18Cr4V高速鋼,線切割尺寸15mm×10mm×3mm的方塊?;慕?jīng)金相砂紙研磨并進(jìn)行機(jī)械拋光、化學(xué)試劑(丙酮、酒精)清洗、超聲波清洗、烘干后放入真空室。

        2.2膜層的制備

        工藝過程:抽真空至極限真空度10-3pa,通人氣體N,,真空室的工作壓力為0.3PaN離子束輔助膜層沉積,降溫出爐。

        工藝參數(shù):N離子束轟擊能量為0keV~15keV~負(fù)偏壓為-20V。電弧電流為60A;N,壓強(qiáng)為0.3Pa}沉積時間為30min。

        2.3膜層分析

        日立S-3400N型掃描電鏡觀察基材表面形貌jMMW-1A型萬能摩擦磨損實(shí)驗(yàn)機(jī)測試膜層的耐磨性。載荷為196N,轉(zhuǎn)速為120r/min,膜層做成標(biāo)準(zhǔn)試樣$40ram×10mm環(huán)形,與配副件45鋼組成止推摩擦副,采用千摩擦方式。

        3實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析

        3.1N離子束轟擊對TiAIN膜層表面形貌的-影響

        圖1的工藝參數(shù)為:負(fù)偏壓為20V,電弧電流為60A,N2壓強(qiáng)為0.3Pa,沉積時間為30min~N離子轟擊能量分別為0keV和7.5keV,磨損時間為70min和150min時膜層的表面形貌。

        從圖1(a)中看出,當(dāng)N離子束轟擊能量為0keV時,磨損時間70rain時,膜層壘部脫落,部分基材已經(jīng)被磨損,從圖1(b)中看出,當(dāng)N離子束轟擊能量為7.5keV,磨損時間150min時,膜層表面沒有出現(xiàn)脫落現(xiàn)象,有部分很淺的磨痕。

        電弧離子鍍沉積的原理基于冷場致弧光放電理論,其原理決定了在沉積過程中膜層表面不可避免的出現(xiàn)“大顆粒”。從陰極弧斑噴發(fā)出的TiAl液滴在飛行的過程中冷卻,自由地沉積在膜層表面。這些“大顆?!背练e能量低,在膜層表面遷移率差,加之對后續(xù)沉積的阻擋,形成陰影效應(yīng),使膜層變得疏松,導(dǎo)致膜層和基材結(jié)合力降低。因此在摩擦過程中,膜層過早的脫落,甚至部分基材已被磨損。

        N離子轟擊能量為7.5keV時、N離子不但轟擊掉了膜層表面的“大顆?!?,消除了膜層中的硬度軟點(diǎn),而且N離子沉積的能量和動量引起的級聯(lián)碰撞,增強(qiáng)了原子的遷移率和激活能力,膜層結(jié)構(gòu)連續(xù),空洞減少,膜層更加致密。同時N離子的轟擊作用產(chǎn)生的表面壓應(yīng)力以及在界面處產(chǎn)生的原子共混現(xiàn)象,提高了膜層和基材的結(jié)合力,所有這些因素都提高了膜層耐磨性。本工藝參數(shù)條件下,膜層耐磨性至少提高2倍以上。

        3.2N離子束轟擊對TiAIN膜層摩擦系數(shù)的-影響

        圖2的工藝參數(shù)為:負(fù)偏壓為20V,電弧電流為60A,N,壓強(qiáng)為0.3Pa;沉積時間為30min,N離子轟擊能量分別為0keY和7.5keV,膜層的摩擦系數(shù)和磨損時間關(guān)系圖。

        從囪2(a)可以看出,磨損初期TiAlN膜層的摩擦系數(shù)為0.3,隨著時間的進(jìn)行,曲線比較平緩,當(dāng)摩擦?xí)r間為70min時,膜層的摩擦系數(shù)突然增加,而且曲線波動很大。從圖2(b)中看出,磨損初期TiAIN膜層的摩擦系數(shù)為0.13;隨著時間的進(jìn)行,曲線比較平緩.波動很小,直至摩擦到150min時,曲線仍沒有出現(xiàn)大的波動,只是摩擦系數(shù)略有增加,約為0.25。

        當(dāng)N離子束轟擊能量為0keV時,由于膜層的硬度低,膜層和基材之間結(jié)合力較差,致使膜層過早脫落。當(dāng)摩擦?xí)r間為70min時,膜層已經(jīng)全部脫落,直接露出基材,因此在此時摩擦曲線出現(xiàn)很大的波動。在隨后的摩擦過程中,基材和摩擦副45號鋼進(jìn)行摩擦,摩擦曲線所顯示的是基材的摩擦系數(shù)。

        N離子轟擊能量為7.5keY時,膜層的硬度、膜層和基材之間的結(jié)合力得到了很大的提高,增強(qiáng)了膜層的耐磨性,所以在摩擦過程中,膜層出現(xiàn)輕微的磨損,膜層的摩擦系數(shù)變化比較小。

        4結(jié)論

        (1)脈沖N離子束轟擊,消除了膜層中的“大顆?!保岣吡四拥哪湍バ?。

        (2)脈沖N離子束轟擊,提高了膜層的硬度和結(jié)合力,進(jìn)而提高了膜層的耐磨性,膜層耐磨性至少提高2倍以上。

        (3)脈沖N離子束轟擊,降低了膜層的摩擦系數(shù),使膜層的摩擦系數(shù)由0.3降低到0.13。

        參考文獻(xiàn)

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