陳明　胡安　唐勇　汪波

摘要：建立了電熱耦合和損耗熱場(chǎng)耦合計(jì)算模型，采用該模型，獲得了相同外部條件下的絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）芯片結(jié)溫波動(dòng)特性及溫度分布特征，完成了使用紅外熱成像實(shí)時(shí)探測(cè)短時(shí)脈沖工作方式下IGBT芯片表面溫度波動(dòng)及分布特性的預(yù)測(cè)，探測(cè)結(jié)果表明，在一定散熱奈件和占空比不大的情況時(shí)，短時(shí)脈沖間歇等非周期瞬態(tài)工作方式下芯片表面溫度快速上升之后，進(jìn)入一個(gè)緩慢的上升周期，實(shí)驗(yàn)也表明，在特殊工作場(chǎng)合時(shí)可突破器件手冊(cè)推薦使用的最大電流值，利用建立的熱分析模型，還可以實(shí)現(xiàn)對(duì)不同工作方式下器件結(jié)殼溫差和結(jié)溫波動(dòng)幅度的預(yù)測(cè)。

關(guān)鍵詞：絕緣柵雙極型晶體管；短時(shí)脈沖；結(jié)溫特性；溫度分布；電熱耦合