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        WDM-TDM混合PON應(yīng)用RSOA中的激射問(wèn)題研究

        2012-04-27 10:30:22武漢華工正源光子技術(shù)有限公司丁國(guó)慶周忠華
        電子世界 2012年2期
        關(guān)鍵詞:驅(qū)動(dòng)電流反射光接入網(wǎng)

        武漢華工正源光子技術(shù)有限公司 丁國(guó)慶 周忠華

        1.引言

        眾所周知,光通信骨干網(wǎng)不斷向更大容量、更高速率、更多波長(zhǎng)方向發(fā)展,國(guó)內(nèi)外長(zhǎng)途光通信速率已達(dá)40/100Gb/s,總通信容量已超過(guò)11Tb/s[1];而光接入網(wǎng)也不斷向高速、大容量方向發(fā)展。國(guó)內(nèi)構(gòu)建實(shí)用化光接入網(wǎng)的條件已逐步成熟:2.5Gb/s、10Gb/s的EPOM、GPON行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)業(yè)已制訂;實(shí)用化的光電子器件和IC已基本齊備并基本滿足要求(如FP-LD、ASE、SLD、SOA已開始試用或小規(guī)模試用);各種不同光接入網(wǎng)先后試驗(yàn)或試運(yùn)行,且各具特色。在構(gòu)建大容量光接入網(wǎng)方案中,WDM-TDM混合型PON具有明顯的優(yōu)勢(shì)。

        WDM-PON為每個(gè)用戶分配一對(duì)專有的波長(zhǎng),可在任何允許時(shí)間內(nèi)向OLT發(fā)送數(shù)據(jù),可進(jìn)行不同速率、不同業(yè)務(wù)種類的服務(wù),而不影響其它用戶。當(dāng)需要為不同用戶升級(jí)時(shí),可分別進(jìn)行,而不會(huì)產(chǎn)生相互干擾;而且增加新用戶,只需要添加新波長(zhǎng),對(duì)其它用戶帶寬絲毫沒(méi)有影響。WDM-PON的這種帶寬和用戶數(shù)量的易升級(jí)性,使之非常方便地支持商業(yè)用戶和家庭用戶,而且由于能提供點(diǎn)到點(diǎn)的連接,使得服務(wù)具有靈活選擇性。

        WDO-PON的關(guān)鍵問(wèn)題,是尋找技術(shù)指標(biāo)滿足要求、工程價(jià)格能承擔(dān)得起的關(guān)鍵光電子器件和微電子器件,其中包括WDM-PON用光放大器:EDFA、半導(dǎo)體光放大器(SOA)——注入鎖模的F-P LD、行波型SOA和RSOA[2]。

        與EDFA相比,RSOA具有光譜范圍寬(-3dB譜寬可達(dá)60nm 以上)、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、便于集成、體積小、使用方便、價(jià)格較便宜等優(yōu)點(diǎn);與行波型光放大器(TW-SOA)相比,具有小信號(hào)增益大、飽和光功率和輸出光功率高、噪聲指數(shù)較低等特點(diǎn)。但在使用過(guò)程中,發(fā)現(xiàn)在較大驅(qū)動(dòng)電流下,RSOA光譜中存在激射峰,這會(huì)降低光信噪比,從而增加誤碼的可能性,這是要著力解決的關(guān)鍵問(wèn)題。

        2.RSOA芯片結(jié)構(gòu)和技術(shù)指標(biāo)

        RSOA芯片結(jié)構(gòu)由襯底、緩沖層、光波導(dǎo)層、應(yīng)變量子阱有源層和表面接觸層等組成,出射光的光波導(dǎo)軸向與端鏡面成角度30°左右;其示意圖如圖1所示,上面為P+電極,下面為N+電極,前面為出光面,鍍?cè)鐾改?;背面為反光面,鍍?nèi)茨ぁ?/p>

        RSOA的工作原理,涉及到有源層原子中外層激發(fā)態(tài)電子與入射光子的相互作用,即在外界注入電流和入射光的作用下,RSOA有源層原子中處于激發(fā)態(tài)的電子,受外來(lái)信號(hào)光誘導(dǎo)作用,發(fā)射相同的光而放大。值得注意的是,這種光放大,與LD中的來(lái)回反射從而產(chǎn)生光增益的機(jī)理有所不同。在結(jié)構(gòu)上,RSOA的兩個(gè)端面,一個(gè)出光面光反射率接近于零,而另一個(gè)端面反射率接近于100%,不形成諧振腔。當(dāng)然,由于工藝水平限制,出光面一般存在大小不等的剩余反射;而外端面也可能有反射光進(jìn)入RSOA有源層中,從而產(chǎn)生光波紋或激射。

        圖1 R SOA的芯片結(jié)構(gòu)示意圖FIG.1 RSOA chip structure schematic

        表1 RSOA芯片的主要技術(shù)參數(shù)(25℃)Table 1 RSOA general technical index (25°C)

        圖2 RSOA在TDM-/WDM 混合光PON ONU側(cè)用作放大示例Fig.2 As a example of RSOA’ architecture in ONU side at downward direction used for light pre-amplifying in TDM -/WDM mixed PON

        圖3 RSOA在TDM-WDM混合PON用作調(diào)制光源示例Fig.3 As a example of RSOA used for the Modulation illuminant in TDM - / WDM mixed PON

        RSOA芯片的主要技術(shù)參數(shù),如表1所示。

        RSOA可以設(shè)計(jì)成偏振相關(guān)或偏振無(wú)關(guān)兩種類型。通常與偏振相關(guān)的RSOA溫度特性好、小信號(hào)增益高。

        與EDFA相比,RSOA存在偏振相干性、耦合效率低、容易激射等需要改進(jìn)的地方。

        3.RSOA在WDM-TDM混合PON中的應(yīng)用

        RSOA的應(yīng)用,主要有兩種方式,即作反射式調(diào)制光源,或作光放大。它在TDM-/WDM 混合PON中的應(yīng)用示例,如圖2、3所示。

        4.RSOA使用中的激射問(wèn)題

        從技術(shù)性能上講,希望RSOA有高飽和光功率和大的光信號(hào)增益,又不要產(chǎn)生光激射。要使RSOA飽和光功率和小信號(hào)光增益大,其腔長(zhǎng)就比較長(zhǎng),驅(qū)動(dòng)電流就比較大,這樣有源區(qū)才就能獲得較大的單程光增益。通常,RSOA的腔長(zhǎng)大約是LD腔長(zhǎng)的1.5-3倍,而驅(qū)動(dòng)電流大約是LD的2-5倍。但在這種條件下,則易出現(xiàn)自激射和回光激射。

        隨著驅(qū)動(dòng)電流增加,RSOA有源層中的自發(fā)輻射光子誘發(fā)的受激輻射會(huì)逐漸增加;當(dāng)驅(qū)動(dòng)電流超過(guò)某一確定值之后,自發(fā)輻射光子獲得的單程增益如大于腔內(nèi)損耗,RSOA就會(huì)出現(xiàn)自激射現(xiàn)象。實(shí)驗(yàn)表明,當(dāng)驅(qū)動(dòng)電流小于120mA、而3dB帶寬為55nm、峰值波長(zhǎng)為1.532μm、小信號(hào)增益為10dB時(shí),無(wú)自激射現(xiàn)象產(chǎn)生;而當(dāng)驅(qū)動(dòng)電流為142 mA時(shí),在無(wú)任何輸入射光的情況下,則會(huì)出現(xiàn)自激射;但當(dāng)外界有光信號(hào)輸入時(shí),則自激射臨界閾值電流將增大到162 mA。這時(shí)加入光信號(hào)時(shí),除了放大的信號(hào)光之外,還疊加有自激射光。測(cè)量到的RSOA在不同驅(qū)動(dòng)電流下的光譜如圖4所示。

        圖4 RSOA在不同驅(qū)動(dòng)電流下、無(wú)光信號(hào)輸入時(shí)自激射光譜圖Fig.4 The RSOA’ laser spectra in different drive current and under no light input signal

        圖5 無(wú)激射的RSOA光譜Fig.5 no blaster's RSOA spectrum

        圖4表明,在較大驅(qū)動(dòng)電流下,雖無(wú)信號(hào)光輸入,但有自激峰產(chǎn)生。在120、180mA下都存在光自激射現(xiàn)象。在180mA下,自發(fā)輻射譜最高幅度約-40dBm;光信號(hào)增益為18dB左右(光放大信號(hào)幅度由-35 dBm到-17dBm),-3dB下譜寬約18nm;而光激射最大幅度為17dB(從-17dBm到0dBm)。

        5.防止RSOA光激射的幾種方法

        RSOA使用中存在的光激射現(xiàn)象,主要來(lái)自兩方面:RSOA出光端面的剩余反射引起的自激射和外面(如光纖端面)反射光引起的激射。

        對(duì)出光端面的剩余反射,可通過(guò)RSOA芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和端面鍍膜解決。通常采用如下兩種方法:

        a)斜條腔法

        使RSOA出光波導(dǎo)軸向與出光端面成一角度,如在5.5°-33°范圍,使端面反射光不能進(jìn)入有源層并形成反復(fù)放大。

        b)鍍制良好的增透膜

        在出光端面鍍以單層或多層λ/ 4良好增透膜。通過(guò)良好增透膜的消光作用,使膜中的反射光接近于零,從而沒(méi)有反射光入射到有源層中。

        根據(jù)物理光學(xué)中的多層膜系等效折射率計(jì)算方法,良好增透膜膜系的等效折射率,應(yīng)滿足相位匹配條件,并計(jì)算出各層介質(zhì)厚度。

        增透膜中,最簡(jiǎn)單的是制作單層增透膜。可供選擇的單層介質(zhì)有:Si3N4、Al2O3、ZrO2、SiO x,其中ZrO2、SiO x相對(duì)折射率分別為1.85和1.996,容易滿足相位匹配條件,是較為理想的單層抗反射膜材料。

        除上述之外,還必須防止光纖端面的反射光導(dǎo)致的光激射。為此,在RSOA出光端面和耦合光纖之間,可設(shè)置一個(gè)防反射元件,如單軸石英晶體旋光片、光隔離器。對(duì)10Gb/s高速直接調(diào)制的LD,常在LD和光纖之間放置一個(gè)光隔離器,用以防止反射光對(duì)LD的影響,但這只對(duì)單向傳輸光有用。RSOA是雙向傳輸器件,不能采用光隔離器,但可采用石英晶體旋光片。

        石英晶體旋光片是一種單晶薄片,這種單晶薄片在單偏振光入射時(shí),有旋光作用,其偏轉(zhuǎn)角度與傳播方向的晶體薄片厚度有關(guān)。如果從RSOA發(fā)出的單偏振光進(jìn)入晶體旋光片后使其偏轉(zhuǎn)45°角,當(dāng)從光纖端面反射光再進(jìn)入晶體薄片、再偏轉(zhuǎn)45°角時(shí),則回程光和入射光偏振面成90°。根據(jù)光學(xué)原理,這種回程光和初始入射光是不會(huì)相互作用的,從而避免了反射光引起的激射問(wèn)題,其測(cè)試結(jié)果如圖5所示。

        6.結(jié)論

        RSOA在光接入網(wǎng)WDM-TDM混合PON中可用作調(diào)制式光源或光放大器,具有廣泛的使用前景;但使用中可能產(chǎn)生激射現(xiàn)象。其激射幅度與RSOA芯片結(jié)構(gòu)、長(zhǎng)度、出光端面剩余反射率、外端面反射和驅(qū)動(dòng)電流大小等有關(guān)。要消除RSOA光譜中的激射峰,除了消除RSOA出光端面剩余反射率引起的自激射外,還要消除光纖反射光引起的激射峰。這可在RSOA和耦合光纖之間設(shè)置單軸石英晶體旋光片,從而可避免反射光引起的激射。

        [1]P.Bousselet,H.Bissessur,J.Lestrade,et al.High Capacity(64 x 43 Gb/s)Unrepeatered Transmission over 440 km,OSA/OFC/NFOEC 2011,2011,3,6-10,美國(guó)加州洛杉磯.

        [2]U.H.Hong,K.Y.Cho,Y.Takushima,and Y.C.Chung,Maximum Reach of Long-Reach RSOA-Based WDM PON Employing Remote EDFA,OSA/OFC/NFOEC 2011,2011,3,6-10,美國(guó)加州洛杉磯.

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