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        TE電路保護部推出面向各種高數(shù)據(jù)速率應用的、業(yè)界最低電容的硅靜電放電保護器件

        2012-03-31 06:44:52
        電子設計工程 2012年5期

        TE電路保護部推出面向各種高數(shù)據(jù)速率應用的、業(yè)界最低電容的硅靜電放電保護器件

        TE Connectivity旗下的一個業(yè)務部門TE電路保護部發(fā)布一個系列8款全新的單/多通道硅靜電放電(SESD)保護器件,可提供市場上最低的電容(雙向:典型值為0.10 pF,單向:典型值為0.20 pF)、最高的ESD保護(20 kV空氣放電和接觸放電)和最小尺寸封裝(多通道:最小的直通外形尺寸、厚度為0.31 mm)。

        這些SESD器件的超低電容帶來了業(yè)界最低的插入功耗,這在超高速應用中對保持信號完整性至關重要。該器件可幫助免受由靜電放電、浪涌和電纜放電所引起的損壞。多通道器件也具有一個特殊設計的直通封裝,可允許印刷電路板(PCB)布線的匹配阻抗,這對于保持高速信號的完整性是必不可少的。具有超低電容、小體積和高靜電放電額定防護等級的SESD器件,非常適合于智能手機、高清電視等類似消費電子產品、汽車和其他市場上使用當前和未來最高速率接口的各種產品,這些接口諸如 USB3.0/2.0、HDMI、eSATA、DisplayPort和 Thunderbolt。

        這些單/多通道SESD器件具有行業(yè)領先的20 kV的接觸放電和空氣放電額定值,超過了行業(yè)標準IEC61000-4-2定義的8 kV。如果在高電壓ESD的沖擊情況下,這種高電壓額定值可將ESD器件出現(xiàn)短路導致端口永久性失效,或者因靜電放電導致ESD器件開路、暴露下游芯片組從而帶來損壞的風險降到最低。這個功能能夠減少客戶的投訴和保修費用。

        隨著消費類電子產品的體積不斷縮小,TE電路保護部的SESD器件在持續(xù)的小型化趨勢中帶來了體積上的優(yōu)勢。已可供貨的單通道器件采用0201規(guī)格XDFN小占位面積 (0.6 mm×0.3 mm×0.31 mm)封裝和0402規(guī)格XDFN (1.0 mm×0.6 mm×0.38 mm)封裝。多通道SESD陣列(2、4、6通道可選)的封裝高度低至0.31 mm—與競爭性器件相比降低程度多達50%。SESD器件較低的總體高度使其能夠安裝在PCB板的邊緣,或安裝在電路板和連接器之間,從而提升了設計的靈活性。

        此外,一個微型化的四通道SESD陣列能夠使用在一個面積比四個0201器件更小的電路板區(qū)域中,從而帶來電路板面積、組裝成本和器件成本上的降低。作為市場上最小的4和6通道直通陣列,這些器件在與采用了微型連接器的應用一起使用時仍然易于布線,這些新型連接器包括如HDMI的D型、mini DisplayPort、Thunderbolt和USB 3.0 Micro-B等。

        咨詢編號:2012051009

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