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        溶劑熱法制備Cd(OH)2和CdO納米盤研究性實(shí)驗(yàn)

        2012-01-26 05:45:34劉偉霞孫言飛
        物理實(shí)驗(yàn) 2012年1期
        關(guān)鍵詞:熱法水熱法水熱

        李 錦,張 川,劉偉霞,孫言飛

        (新疆大學(xué) 物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,新疆 烏魯木齊830046)

        1 引 言

        納米材料按維數(shù)可劃分為3大類:零維、一維和二維.二維納米材料包括納米片、納米薄膜、二維超晶格等,是研究量子限域效應(yīng)的理想體系,是構(gòu)建納米器件的理想平臺(tái).納米片由于具有高的各向異性,被認(rèn)為是新一類的納米材料.由于其獨(dú)特的物理形態(tài)和物化性質(zhì),以及潛在的巨大應(yīng)用前景,成為當(dāng)前學(xué)術(shù)界研究的熱門領(lǐng)域[1-4].在眾多制備納米材料的方法中,溶劑熱法以其高效、低成本而一直倍受關(guān)注,已經(jīng)被證明是非常有效的方法[5-8].可以應(yīng)用于金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等諸多材料的制備.溶劑熱法是在水熱法的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的,以有機(jī)溶劑代替了水熱法中的水,大大拓寬了應(yīng)用范圍.近20年來(lái)溶劑熱合成法得到了長(zhǎng)足的發(fā)展,并在納米材料制備中顯示出越來(lái)越重要的作用.

        Cd(OH)2作為一種陰極添加物能夠有效地增強(qiáng)鎳鎘電池的放電容量并能減少電極本身的自放電,延長(zhǎng)電池的使用壽命并保持較高的穩(wěn)定性;同時(shí),Cd(OH)2還是一種重要的前驅(qū)體,是制備其他含鎘物質(zhì)(如CdS,CdSe,Cd O等)的重要過(guò)渡產(chǎn)物[9-10].CdO 可通過(guò) Cd(OH)2高溫煅燒分解得到,屬于直接禁帶半導(dǎo)體,禁帶寬度為2.26 eV,是一種極具應(yīng)用潛力的光電材料[11].Cd O作為鎳鎘系列堿_性可充電電池的負(fù)極活性物質(zhì),其性能的優(yōu)劣直接影響電池的質(zhì)量,是制約鎳鎘電池綜合性能指標(biāo)的關(guān)鍵材料.近年來(lái),Cd O廣泛用于場(chǎng)發(fā)射柵板顯示器,被認(rèn)為是最有前途的導(dǎo)電氧化物.作為一種良好的催化劑,Cd O能催化多種有機(jī)物的熱分解[12].

        Cd(OH)2和CdO納米材料的制備方法主要為水相法.如劉俊渤等報(bào)道了以NaNO3作為礦化劑,水熱法制備了六方形Cd(OH)2納米盤[13];Shi等人通過(guò)控制溶液p H值水熱合成Cd(OH)2六方形納米盤[14];Zhang等人以檸檬酸作為調(diào)節(jié)劑,水熱法合成 Cd(OH)2納米片、納米晶須[15];張?zhí)m月等人采用陽(yáng)極氧化鋁(AAO)模板法制備了Cd(OH)2和Cd O納米棒[10].可以看出,在已有的研究報(bào)道中,多是水熱合成配以礦化劑、調(diào)節(jié)劑或模板法得到Cd(OH)2納米結(jié)構(gòu).本文利用簡(jiǎn)單的溶劑熱法合成了Cd(OH)2和Cd O正六方形納米盤,實(shí)驗(yàn)工藝簡(jiǎn)單,所得產(chǎn)物形貌規(guī)則,分散性好,產(chǎn)量大.

        2 實(shí) 驗(yàn)

        2.1 實(shí)驗(yàn)原理

        溶劑熱法制備半導(dǎo)體化合物納米結(jié)構(gòu),一般在簡(jiǎn)易水熱反應(yīng)釜中進(jìn)行.釜體和釜蓋用不銹鋼制造,反應(yīng)釜體積較?。ǎ?00 m L),也可以直接在釜體和釜蓋設(shè)計(jì)絲扣,直接相連,以達(dá)到比較好的密封性能.內(nèi)襯材料是聚四氟乙烯.采用外加熱方式,以烘箱或馬弗爐為加熱源.由于內(nèi)襯材料為聚四氟乙烯,使用溫度應(yīng)該低于聚四氟乙烯的軟化溫度(250℃).釜內(nèi)壓力由加熱介質(zhì)產(chǎn)生,可以通過(guò)裝填度在一定范圍內(nèi)加以控制,室溫開釜取樣.

        溶劑熱法是將水熱法中的水換成有機(jī)溶劑或非水溶媒(例如:有機(jī)胺、醇、氨、四氯化碳或苯等),采用類似于水熱法的原理,以制備在水溶液中無(wú)法長(zhǎng)成,易氧化、易水解或?qū)λ舾械牟牧希鏘II-V族半導(dǎo)體化合物、氮化物、硫族化合物、新型磷(砷)酸鹽分子篩三維骨架結(jié)構(gòu)等.這一改進(jìn)大大拓寬了該溶液相法制備納米材料的應(yīng)用范圍.本文采用溶劑熱方法合成Cd(OH)2和CdO的納米結(jié)構(gòu).圖1給出了典型的溶劑熱合成的工藝流程.

        圖1 溶劑熱合成的一般工藝流程圖

        2.2 實(shí)驗(yàn)方法

        實(shí)驗(yàn)所用儀器為國(guó)內(nèi)實(shí)驗(yàn)室常用于無(wú)機(jī)合成的簡(jiǎn)易水熱反應(yīng)釜和普通干燥箱.實(shí)驗(yàn)所需原料包括:硝酸鎘[Cd(NO3)2·4H2O,分析純]、氯化鎘(Cd Cl2·2.5 H2O,分析純)、硫酸鎘(3CdSO4·8H2O,分 析 純 )、乙 酸 鎘 [Cd(CH3COO)2·2 H2O,分析純]、氫氧化鈉(NaOH,分析純)、乙二醇(HOCH2CH2OH,分析純)、去離子水.

        典型的實(shí)驗(yàn)過(guò)程描述如下:稱量一定物質(zhì)的量的乙酸鎘(如1.25 mmol)和氫氧化鈉(如25 mmol),分別溶于盛有一定體積(如10 m L)的去離子水的燒杯中,振蕩使其充分溶解.將NaOH溶液緩慢地加入到 Cd(CH3COO)2·2H2O的水溶液中,然后加入乙二醇(如20 m L的體積),將混合液體磁攪拌30 min后轉(zhuǎn)移到50 m L的聚四氟乙烯水熱反應(yīng)釜中.密封,靜置于一定溫度(如200℃)下的干燥箱中4 h.反應(yīng)后取出,在自然冷卻之后,將沉淀物用無(wú)水乙醇和去離子水離心洗滌4~5次,并置于60℃的真空干燥箱中干燥4 h,得到白色產(chǎn)物.將得到的白色樣品一部分送去檢測(cè),另一部分樣品放置于干燥箱中在220℃下退火24 h,得到另一種棕紅色樣品.表1給出了所有Cd(OH)2和Cd O樣品的具體合成條件.

        表1 Cd(OH)2和CdO樣品的具體合成條件

        3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論

        3.1 XRD分析

        圖2給出了中間產(chǎn)物和最終產(chǎn)物的XRD圖.從圖2(a)中可以看出所得中間產(chǎn)物所有的XRD衍射峰的峰位與六方相Cd(OH)2的標(biāo)準(zhǔn)譜(No.31-0228)峰位一一對(duì)應(yīng),表明產(chǎn)物為六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)Cd(OH)2,沿(001)晶面擇優(yōu)取向.由圖中無(wú)其他雜峰存在,衍射峰尖銳光滑可知中間產(chǎn)物為純的結(jié)晶性良好的Cd(OH)2.

        將上述Cd(OH)2樣品置于220℃下的空氣氣氛中退火24 h,白色粉末變?yōu)樽丶t色的粉末.圖2(b)顯示的是最終產(chǎn)物的XRD圖,其所有的衍射峰都與PDF卡片庫(kù)(No.65-2908)中立方相Cd O標(biāo)準(zhǔn)譜的峰位一致,沒(méi)有其他雜質(zhì)峰,衍射峰尖銳,表明最終產(chǎn)物為純的結(jié)晶性良好的立方閃鋅礦Cd O.將圖2(a)與圖2(b)對(duì)比可以發(fā)現(xiàn),六方相Cd(OH)2完全分解為立方相CdO,同時(shí)晶體的擇優(yōu)取向消失.

        圖2 中間產(chǎn)物和最終產(chǎn)物的XRD圖

        3.2 SEM 分析

        與表1對(duì)應(yīng)的各樣品的SEM照片如圖3所示.通過(guò)若干組對(duì)比實(shí)驗(yàn),發(fā)現(xiàn)產(chǎn)物的形貌主要與以下幾個(gè)因素有關(guān):反應(yīng)溫度;鎘源的種類及鎘離子與氫氧根離子的比例,而這反映了Cd2+的濃度與溶液p H值的關(guān)系.而與反應(yīng)時(shí)間、水與乙二醇的比例、退火溫度與時(shí)間等因素關(guān)系不大.

        對(duì)比圖3(a)~(c)與(h)發(fā)現(xiàn),不同鎘源對(duì)產(chǎn)物形貌影響較大.在其他實(shí)驗(yàn)條件不變的情況下,只有以乙酸鎘為鎘源時(shí)所得產(chǎn)物為較理想的正六邊形納米盤.

        圖3 與表1對(duì)應(yīng)的各樣品的SEM照片

        對(duì)比圖3(d)~(h)發(fā)現(xiàn),退火前后產(chǎn)物的形貌并未發(fā)生大的改變,均呈現(xiàn)出正六邊形狀,納米盤的尺寸大小在100~600 nm之間,厚度在50~100 nm范圍內(nèi).結(jié)合XRD分析可知,所得的中間產(chǎn)物Cd(OH)2和最終產(chǎn)物Cd O均為正六邊形納米盤.而反應(yīng)溫度對(duì)中間產(chǎn)物Cd(OH)2的形貌有較大影響.180℃時(shí)Cd(OH)2納米盤的形貌不甚均勻規(guī)則,而200℃時(shí)其形貌則變得形狀規(guī)整,大小均勻,表面光滑.反應(yīng)溫度對(duì)最終產(chǎn)物CdO的形貌亦有較大影響.在160~200℃的反應(yīng)溫度梯度內(nèi),Cd O的形貌從一團(tuán)凝聚,到逐漸分開形成較厚的大顆粒,到最終生長(zhǎng)為清晰的正六邊形形貌的納米盤,結(jié)果表明200℃時(shí)得到的產(chǎn)物最為理想.

        對(duì)比圖3(i)~(l)發(fā)現(xiàn),Cd2+與 OH-的濃度比對(duì)CdO形貌有較大影響.隨著Cd2+與OH-的濃度比由1∶2.5,1∶5,1∶10到1∶20,CdO產(chǎn)物的形貌由不規(guī)則到規(guī)則的正六邊形轉(zhuǎn)變,納米盤的大小由差別較大到逐漸均勻,再到不均勻,濃度比1∶10較為合適,納米盤邊長(zhǎng)在500 nm~2μm之間,厚度約為100 nm.

        3.3 反應(yīng)方程

        當(dāng)NaOH與Cd(CH3COO)2混合后,反應(yīng)釜中發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)為:

        即初步反應(yīng)得到的中間產(chǎn)物為Cd(OH)2.該中間產(chǎn)物經(jīng)過(guò)退火煅燒得到最終產(chǎn)物CdO,發(fā)生另一反應(yīng):

        4 結(jié)束語(yǔ)

        利用溶劑熱法成功地合成了Cd(OH)2和Cd O納米盤,實(shí)現(xiàn)了大學(xué)生創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)和先進(jìn)科研成果的結(jié)合[16-17].該實(shí)驗(yàn)所用設(shè)備、基本實(shí)驗(yàn)步驟和操作過(guò)程都非常簡(jiǎn)單,非常適合初涉研究領(lǐng)域的本科生通過(guò)這一簡(jiǎn)單的溶劑熱體系,學(xué)習(xí)到科學(xué)研究的一般方法.通過(guò)該實(shí)驗(yàn)研究,能夠加深學(xué)生對(duì)相關(guān)化學(xué)反應(yīng)、物理原理的理解,提高學(xué)生的創(chuàng)新能力和科研素質(zhì).

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