祝大同

（中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)經(jīng)濟(jì)技術(shù)管理部，北京 100028）

（接上期）

3 實(shí)現(xiàn)HDI多層板工藝技術(shù)發(fā)展的四大方面

二十年來(lái)HDI多層板在PCB制造技術(shù)上都有哪些創(chuàng)新、發(fā)展？日本PCB專(zhuān)家近期發(fā)表的文獻(xiàn)[1]，對(duì)此做了高度的歸納總結(jié)為四個(gè)方面，即HDI多層板用基板材料技術(shù)、微孔加工技術(shù)、實(shí)現(xiàn)電路層之間連接的電鍍技術(shù)、電路圖形的形成技術(shù)等。以下，對(duì)此文獻(xiàn)所提及的四個(gè)方面技術(shù)發(fā)展內(nèi)容，一一加以介紹（即全部引自該文獻(xiàn)）。

3.1 HDI多層板用基板材料技術(shù)

二十年來(lái)，HDI多層板的四大核心工藝技術(shù)發(fā)展之首，是它所用的基板材料技術(shù)。它的發(fā)展為HDI多層板的工藝、結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新提供了先決條件。

該文獻(xiàn)[1]提出: HDI多層板用基板材料，最早是在感光法形成微孔的工藝技術(shù)[即以SLC工藝法為典型代表的技術(shù)]中出現(xiàn)。它是利用感光樹(shù)脂材料形成HDI多層板的絕緣層，并經(jīng)過(guò)對(duì)此絕緣層的曝光、顯影，一次性完成所需的微孔的加工。再通過(guò)對(duì)孔的電鍍加工，實(shí)現(xiàn)電路層間的電氣連接。另外，在HDI多層板初期發(fā)展階段，由于開(kāi)發(fā)出CO2激光鉆孔設(shè)備及附樹(shù)脂銅箔（RCC），使得形成HDI多層板的薄型絕緣層和微孔就變?yōu)楹?jiǎn)便。隨著HDI多層板用基板材料制造技術(shù)的深入發(fā)展，出現(xiàn)了薄型玻纖布制成的環(huán)氧-玻纖布基薄型半固化片。這類(lèi)基材由于在剛性（機(jī)械強(qiáng)度）上獲得改善，使得HDI多層板的絕緣可靠性及導(dǎo)通孔連接可靠性都得到了很大提高，這也使得能容易些的制出HDI多層板。

3.2 微孔加工技術(shù)

CO2激光鉆孔技術(shù)是HDI多層板發(fā)展中的重大支撐技術(shù)之一。該文獻(xiàn)[1]提出：HDI多層板微孔形成，所采用的加工技術(shù)主流是CO2激光鉆孔技術(shù)。它在HDI多層板微孔加工初期應(yīng)用中，面臨著需要解決提高生產(chǎn)性的課題。經(jīng)過(guò)幾年的努力，CO2激光鉆孔方式在生產(chǎn)效率上的大幅提高，而幾乎同時(shí)登上HDI多層板微孔加工應(yīng)用舞臺(tái)的UV-YAG激光鉆孔方式，變得有所遜色。UV-YAG激光機(jī)目前仍在HDI多層板微孔加工中仍有一席之地。這是因?yàn)樗哂兄杉庸DI多層板中更微小孔徑的特點(diǎn)。例如，在制作IC封裝用HDI多層板（IC封裝基板）中，需要在其絕緣層上進(jìn)行50 μm以下的微孔形成加工，選用的鉆孔設(shè)備就以UV-YAG激光鉆孔設(shè)備為佳。

3.3 電路層間連接的電鍍技術(shù)

該文獻(xiàn)[1]提出：在HDI多層板技術(shù)發(fā)展中，隨著機(jī)械鉆孔加工技術(shù)發(fā)展，加工貫通孔的小孔徑化得以實(shí)現(xiàn)，使得開(kāi)發(fā)、掌握高板厚/孔徑比導(dǎo)通孔電鍍技術(shù)（一般習(xí)慣地稱為“深孔鍍”技術(shù)）成為越來(lái)越必要的課題。微小孔的深孔鍍除需要采用高分散能力的鍍液外，還要在電鍍?cè)O(shè)備上實(shí)現(xiàn)孔內(nèi)鍍液的暢通交換，以達(dá)到整個(gè)孔壁鍍層的均勻性。以實(shí)現(xiàn)電路層間連接為目的的電鍍技術(shù)，在HDI多層板制造運(yùn)用中得到了跨躍性的進(jìn)步。它由原來(lái)只對(duì)傳統(tǒng)多層板的貫通孔進(jìn)行電鍍連接，發(fā)展到對(duì)非貫通微小孔徑（例如盲、埋孔等）的微孔進(jìn)行鍍銅連接。隨著這項(xiàng)技術(shù)的不斷進(jìn)步，還涌現(xiàn)出HDI多層板微孔、深孔設(shè)計(jì)自由度的增加、連接可靠性提高的新成果。

為了提高鍍銅孔的高度連接可靠性，創(chuàng)造出了“孔上孔”，疊加孔的新結(jié)構(gòu)。這種用于電路層互連的微孔，在提高電路圖形高密度方面發(fā)揮出了十分關(guān)鍵的作用。提高利用電鍍實(shí)現(xiàn)連接電路層間的連接可靠性，與提高微細(xì)電路的形成性，實(shí)際上在入手點(diǎn)上總存在有相互沖突（日文中稱為“兩立”）的問(wèn)題。如何更恰到好處的解決這一對(duì)矛盾，使這兩個(gè)重要性得到雙雙提高——這始終是HDI多層板電鍍工藝技術(shù)方面中的所要不斷研究的課題。

3.4 高密度電路圖形的形成技術(shù)

該文獻(xiàn)[1]提出：高密度電路圖形的形成技術(shù)也是HDI多層板工藝中的一項(xiàng)重要組成部分。正是由于它突破了傳統(tǒng)的形成電路圖形的工藝方式，才獲得了HDI多層板技術(shù)上的進(jìn)步，才實(shí)現(xiàn)了微細(xì)線路的制作。

HDI多層板的曝光成像技術(shù)向傳統(tǒng)工藝發(fā)起挑戰(zhàn)，引發(fā)了一場(chǎng)技術(shù)革命。這方面的技術(shù)創(chuàng)新，其核心是激光直接成像技術(shù)。在傳統(tǒng)成像投影式曝光及逐次移動(dòng)式曝光的基礎(chǔ)上，創(chuàng)造出直接成像（無(wú)掩膜的）的設(shè)備與工藝，其中利用干膜的激光直接成像技術(shù)（Laser Direct Image，LDI）成為最典型代表。激光直接成像替代了傳統(tǒng)PCB生產(chǎn)中圖像轉(zhuǎn)移的方式，直接利用CAM工作站輸出的數(shù)據(jù)，驅(qū)動(dòng)激光成像裝置，在涂覆有光致抗蝕劑的PCB上進(jìn)行圖形成像。這項(xiàng)技術(shù)所要解決的關(guān)鍵問(wèn)題，是開(kāi)發(fā)在感度波長(zhǎng)領(lǐng)域中的光源波長(zhǎng)（光束調(diào)節(jié)），以及達(dá)到適應(yīng)電路微細(xì)化、高感度化和生產(chǎn)效率的提高。

在高密度電路圖形工藝技術(shù)進(jìn)步方面，還表現(xiàn)在加成法及半加成法在HDI多層板中得到更為廣泛的采用。這項(xiàng)技術(shù)的發(fā)展，是建立在其配套設(shè)備制造技術(shù)進(jìn)步之上。例如，在攜帶型電子產(chǎn)品中所用的IC封裝基板等的電路形成加工中，為配合使用的加成工藝的成功實(shí)施，開(kāi)發(fā)出在蝕刻設(shè)備中采用噴霧式藥液噴射的方式。而近年真空方式的蝕刻設(shè)備也開(kāi)始在工業(yè)化生產(chǎn)HDI多層板中得到采用。這些新型的蝕刻設(shè)備及工藝法，對(duì)應(yīng)于微細(xì)化電路的形成，改善、提高了蝕刻加工的精度。

具有高密度互聯(lián)特點(diǎn)的IC封裝基板，它的超微細(xì)線路形成是一項(xiàng)系統(tǒng)工程。在其加工過(guò)程中的清潔化工作，許多PCB企業(yè)取得新進(jìn)展。涌現(xiàn)出在基板運(yùn)送方式及非接觸驅(qū)動(dòng)等方面的很多創(chuàng)新成果。在半加成法工藝制造HDI多層板電路圖形方面，其可制作微細(xì)程度已經(jīng)達(dá)到了電路線寬與線間距（L/S）為10 μm/10 μm以下。由此也推進(jìn)了清潔化方面的設(shè)備與工藝技術(shù)上的進(jìn)步，以及促進(jìn)了更嚴(yán)格的管理模式的建立。

在IC封裝基板的超微細(xì)線路形成上，還需要解決由于干膜的形狀不良所引起的線路剝離、絕緣不良等質(zhì)量問(wèn)題。近期在PCB業(yè)界中已發(fā)表了在微細(xì)電路所接觸的絕緣樹(shù)脂層一側(cè)的表面，進(jìn)行粗化處理或者先形成“種底層”的研究成果。以此去克服上述出現(xiàn)的質(zhì)量問(wèn)題，形成高品質(zhì)的超微細(xì)電路。運(yùn)用這些新發(fā)明的電路形成技術(shù)，有望在不久的將來(lái)，會(huì)有更加超微細(xì)的電路圖形（L/S = 5 μm/5 μm）成功地制作出來(lái)。

4 從手機(jī)用PCB技術(shù)變遷，看HDI多層板技術(shù)的發(fā)展

在世界電子產(chǎn)品發(fā)展歷程中，1989年是一個(gè)發(fā)生重要變革的一年。就在這一年中，日本電器市場(chǎng)上同時(shí)首次亮相了三種“標(biāo)新立異”的、第一代攜帶型電子產(chǎn)品。它們是：手持?jǐn)z像機(jī)VTR（索尼公司產(chǎn)“CCD-TR55”）、筆記本電腦（東芝公司產(chǎn)“DynoBook SS001”）、手機(jī)（摩托羅拉公司產(chǎn)“Micro Tac”）。 這三類(lèi)新問(wèn)世的攜帶型電子產(chǎn)品在技術(shù)發(fā)展上有著一個(gè)共同的特點(diǎn)，即不斷追求產(chǎn)品的“薄、輕、小型化”和“高速化”。為此，它們對(duì)所用PCB也不斷提出“更薄”（基板厚度薄型）、“更密”（布線高密度）、“更快”（信號(hào)傳送快速）的性能要求。不斷推陳出新的攜帶型電子產(chǎn)品，不僅催生了HDI多層板的橫空出世，而且始終扮演著驅(qū)動(dòng) HDI多層板技術(shù)向更高階發(fā)展的“推進(jìn)器”的角色。

手機(jī)是這三大類(lèi)新型攜帶型電子產(chǎn)品中最具對(duì)HDI多層板技術(shù)推進(jìn)的代表。目前，它所用的主板及IC封裝基板約有90 %以上是采用了HDI多層板。它不僅成為現(xiàn)今在電子產(chǎn)品中HDI多層板用量最大的一類(lèi)產(chǎn)品，而且在對(duì)HDI多層板技術(shù)要求上也很“前衛(wèi)”，代表著HDI多層板最前沿技術(shù)的水平。

本節(jié)通過(guò)從剖析手機(jī)用HDI多層板的技術(shù)變遷，探討二十年以來(lái)HDI多層板技術(shù)發(fā)展，梳理、歸納HDI多層板技術(shù)在不同階段中所表現(xiàn)出的發(fā)展特點(diǎn)、主要提升的技術(shù)層面。

圖4給出了在2004年～2010年期間手機(jī)主板采用HDI多層板在其結(jié)構(gòu)、板厚、微孔形式、搭載IC封裝凸點(diǎn)間距、布線密度等方面的變化。

圖4中所示的手機(jī)用HDI多層板主流技術(shù)的變遷，在不同時(shí)段（以年份為計(jì)）有著不同的重點(diǎn)。大致歸納如下：“2階”結(jié)構(gòu)，盲、埋孔的廣泛應(yīng)用（2004年）→ 基板薄型化獲新進(jìn)展（2005年）→ 利于更高密度布線的疊加孔結(jié)構(gòu)開(kāi)始采用（2006年）→適應(yīng)0.4 mm端點(diǎn)間距的IC封裝（CSP封裝）搭載，基板更進(jìn)一步的實(shí)現(xiàn)電路微細(xì)化（2007年）→薄型化的高多層HDI板（10層）采用（2008～2009年）→ 開(kāi)始實(shí)現(xiàn)更加薄型化的任意層結(jié)構(gòu)（2010年）。

下面，以圖4所示的發(fā)展為主線，按照年代綜述、分析手機(jī)用HDI多層板技術(shù)發(fā)展的情況。

4.1 2004年間

2004年時(shí)，手機(jī)用HDI多層板以“2+2+2”（積層法層數(shù)-內(nèi)芯板層數(shù)-積層法層數(shù)）、“2+4+2”結(jié)構(gòu)（即簡(jiǎn)稱為“2階”結(jié)構(gòu)）為主流。起著電路層（積層法層）間電氣互連的微孔一般為盲、埋孔的形式。板的厚度盡管比一般多層板有很大的減少（手機(jī)主板一般采用的6層HDI多層板厚度在此時(shí)間段為0.65 μm左右），但仍然是比較厚，其中主要原因是繼續(xù)再減薄其絕緣層可靠性無(wú)法保證。當(dāng)時(shí)主要需要解決的是絕緣層的可靠性問(wèn)題。

圖4 2004～2010年期間手機(jī)用HDI多層板的技術(shù)發(fā)展

4.2 2005年間

2005年間手機(jī)用HDI多層板的技術(shù)進(jìn)步主要表現(xiàn)基板的薄型化方面。手機(jī)功能的多樣化（如強(qiáng)化的攝像、拍照功能；大容量信息存儲(chǔ)）發(fā)展，促進(jìn)了PCB布線更多、電路更高密度。當(dāng)時(shí)市場(chǎng)上對(duì)薄形手機(jī)需求強(qiáng)烈，也成為驅(qū)動(dòng)了基板的薄型化發(fā)展動(dòng)力。例如日本手機(jī)制造商N(yùn)EC公司在2005年間打破了當(dāng)時(shí)摩托羅拉公司所創(chuàng)造的世界上“最薄”折疊手機(jī)（牌號(hào)為“V3”）記錄，它推向市場(chǎng)厚度為11.9 mm的“魔鬼超薄”折疊手機(jī)（在中國(guó)大陸稱“N9”、在歐洲的牌號(hào)為“e949”）。在這款號(hào)稱當(dāng)年“世界最薄”的手機(jī)中，所用的HDI多層板實(shí)現(xiàn)了極薄型。當(dāng)時(shí)許多手機(jī)主板生產(chǎn)廠商不斷追求基板的更薄、更密。2005年間手機(jī)主板厚度，一般是1層平均為0.1 mm厚，即大都為6層為0.6 mm～0.65 mm厚。發(fā)展到2006年，8層厚度只有0.5 mm ～ 0.55 mm的極薄型手機(jī)主板開(kāi)始正式進(jìn)入市場(chǎng)。

4.3 2006年間

2006年起，手機(jī)用HDI多層板在微孔結(jié)構(gòu)上開(kāi)始普及疊加孔（Stack Via）式新結(jié)構(gòu)。它首先在高檔手機(jī)用基板中得到采用，在之后的一、兩年內(nèi)，具有疊加孔結(jié)構(gòu)的HDI板又開(kāi)始普及到一般手機(jī)中。

在手機(jī)中，為什么疊加孔結(jié)構(gòu)的HDI多層板如此之快地得到廣泛應(yīng)用？這在于它有利于手機(jī)板的更高密度布線，有利于實(shí)現(xiàn)更薄型化以及更快的信號(hào)傳輸。關(guān)于疊加孔結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)，日本著名PCB專(zhuān)家——高木清先生在2001年5月發(fā)表 “BUM技術(shù)發(fā)展”為內(nèi)容的綜述文章中是如此詮釋的：HDI多層板發(fā)展初期所創(chuàng)造的導(dǎo)通孔“雖然在減少導(dǎo)通孔所占的布線空間方面作出貢獻(xiàn)，但由于它們?cè)诟鱾€(gè)層間是“曲線狀”（指HDI多層板中的盲、埋孔）的互連，因而會(huì)造成電氣特性的降低。因此在近幾年來(lái)在導(dǎo)通孔的布設(shè)上出現(xiàn)了“直列狀”（指HDI多層板中的疊加孔）的連接的形態(tài)。它是通過(guò)激光激光的孔而形成直列連接下一層導(dǎo)通孔的結(jié)構(gòu)。這種導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)，可更好地整合特性阻抗（Z0）。并由于這種疊加孔結(jié)構(gòu)縮短了層間的導(dǎo)通距離，從而可達(dá)到了更快的層間信號(hào)傳輸。它還可構(gòu)成了同軸電路信號(hào)線的配線方式（引自日本著名PCB專(zhuān)家高木清語(yǔ)）”。

疊加微孔技術(shù)，是在微盲孔填銅技術(shù)日益成熟的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。它使得“多階盲孔”成為了現(xiàn)實(shí)。它使得“產(chǎn)品的硬件工程師的發(fā)揮空間就被極大地拓展開(kāi)來(lái)，硬件工程師幾乎可以“隨心所欲”的布局和走線，更大程度的滿足產(chǎn)品“小、薄、快”的需求。（引自中興通訊股份有限公司許路語(yǔ)）[2]”

HDI多層板疊加微孔結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新是多項(xiàng)PCB新技術(shù)成果的集成。例如它包括了電鍍技術(shù)[例如：周期性反電流工藝法（即PRC工藝）、直流鍍銅新技術(shù)、電鍍液中新型添加劑制造技術(shù)]、在微孔內(nèi)塞孔新技術(shù)、激光微孔加工技術(shù)、新型基板材料技術(shù)等。

在手機(jī)中擔(dān)當(dāng)信息處理和控制基本頻帶功能的集成電路——CSP封裝用基板于2006年間在基板薄型化上也出現(xiàn)突出的進(jìn)展。例如，當(dāng)時(shí)日本有的PCB生產(chǎn)企業(yè)開(kāi)始采用松下電工公司提供的40 μm厚極薄覆銅板（牌號(hào)1515B）及其半固化片，制出的這種CSP封裝基板，其絕緣層減少到30 μm ～ 35 μm厚。

4.4 2007年間

手機(jī)中實(shí)現(xiàn)HDI多層板面積縮小的重要途徑之一，是使CSP封裝更小型化。在減少CSP封裝基板面積的強(qiáng)烈需求下，2006年間世界上IC封裝制造出現(xiàn)了一個(gè)技術(shù)上的重大進(jìn)步——出現(xiàn)了用于手機(jī)的0.4 mm端子（凸點(diǎn)）間距的IC封裝（這種CSP封裝是在手機(jī)中擔(dān)當(dāng)信息處理和控制基本頻帶功能的LSI）。并于2007年間在手機(jī)得到迅速普及[3]，替代了采用了多年來(lái)采用0.5 mm端點(diǎn)間距的CSP封裝。搭載這種更窄小端子間距的CSP封裝的手機(jī)主板，其導(dǎo)線寬幅及導(dǎo)線間距（L/S）也隨之得到降低（見(jiàn)圖5所示）。

圖5 CSP封裝端子間距縮小與基板L/S尺寸降低的變化關(guān)系

為了迎合0.4 mm端點(diǎn)間距的IC封裝在手機(jī)中應(yīng)用的需要，制造手機(jī)板的不少大型PCB企業(yè)，在手機(jī)用HDI多層板的制造工藝上進(jìn)行了不斷的創(chuàng)新。在眾多創(chuàng)新成果中以電路層制作由原來(lái)的減成法轉(zhuǎn)變?yōu)椴捎冒爰映煞üに嚪ǖ某晒顬橐?。?007年起手機(jī)用HDI多層板采用半加成法這種工藝轉(zhuǎn)變的步伐加快。

4.5 2008年～2009年間

2008年～2009年由于手機(jī)功能不斷擴(kuò)大，使得它的PCB布線、傳送信號(hào)更加復(fù)雜化。在此驅(qū)動(dòng)下，手機(jī)用HDI多層板技術(shù)發(fā)展的主流是更加走向高多層化。當(dāng)時(shí)普遍出現(xiàn)了積層法層由原來(lái)的2段增加到3段，制成“3-4-3”的結(jié)構(gòu)形式。而在電路層增加的同時(shí)，由于采用極薄玻纖布制成的半固化片，而在板的層間距離上（即板厚度）還在繼續(xù)減小。2009年生產(chǎn)的手機(jī)，出現(xiàn)了10層多層板只有0.60 mm的板厚“新記錄”。

4.6 2010年間

2010年間，蘋(píng)果智能手機(jī)iPhone用主板在技術(shù)上的革新，將HDI多層板推向一個(gè)新發(fā)展時(shí)期，即“任意層HDI多層板時(shí)期”。

進(jìn)入2010年，蘋(píng)果智能手機(jī)iPhone和蘋(píng)果平板電腦iPad同時(shí)上市。一顆“蘋(píng)果”，給全球攜帶型電子產(chǎn)品市場(chǎng)攪得天翻地覆，注入了全新的概念和活力。僅從iPhone用主板水平剖析就可認(rèn)為：它所用的任意層HDI多層板，就表現(xiàn)出超薄、高密度、高多層（10層）、所搭載元器件布局及基板外形新奇等新特點(diǎn)。它足以作為開(kāi)啟任意層型HDI多層板（Any-Layer HDI）技術(shù)發(fā)展新時(shí)期的重要標(biāo)志。

可以借助國(guó)外專(zhuān)業(yè)拆解分析顧問(wèn)機(jī)構(gòu)UBM TechInsights分析師David Carey之語(yǔ)來(lái)進(jìn)一步了解iPhone中HDI多層板在技術(shù)上的新跨越。這位資深專(zhuān)家近期對(duì)iPhone4的PCB創(chuàng)新發(fā)出如此的感慨[4]：“我們第一次看到10層手機(jī)電路板，是在五年或六年前諾基亞(Nokia)推出的一支筆型手機(jī)。我們所看到的每一款智慧型手機(jī)都是頂多部分遵循這樣的路線(多層板)，但很少見(jiàn)到達(dá)到iPhone 4這種等級(jí)的?！彼岢鯷5]：蘋(píng)果iPhone 4中由于積極采用3D晶片堆疊，它成為了“主流智慧型手機(jī)中將印刷電路板面積做最大化利用的產(chǎn)品之一”。iPhone 4所采用的封裝技術(shù)策略，使得在這一套系統(tǒng)內(nèi)“幾乎看不到電子元件”。由于晶片是手機(jī)系統(tǒng)內(nèi)部少數(shù)能夠被微型化的零組件，因此這種作法可為電池、顯示器等無(wú)法被微縮的零組件，留下盡可能大的內(nèi)部空間。iPhone 4內(nèi)部采用了環(huán)繞電池的小巧L型電路板，所創(chuàng)造出的如此小型、高密度設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，為電路板本身添加了更多的復(fù)雜程度；該款手機(jī)使用高達(dá)十層的電路板、每一層之間都有微小的接頭，是以激光或是光學(xué)成像技術(shù)成孔。

蘋(píng)果iPhone用主板——10層任意層HDI多層板（已裝聯(lián)上元器件）的照片[4]見(jiàn)圖6所示。

2010年是任意層HDI多層板借助蘋(píng)果iPhone上市之風(fēng)獲得“全面開(kāi)花”的重要年代。在這一年手機(jī)使用的新型HDI多層板事實(shí)，對(duì)HDI多層板發(fā)展具有“里程碑”的重要意義。日本PCB專(zhuān)家上原利久近期著文認(rèn)為[1]，Any-Layer HDI可以形成更加微細(xì)的電路圖形，并且由于它去除了絕緣層較厚的內(nèi)芯層、改換為由全任意層的積層法層結(jié)構(gòu)，因此可以使得基板厚度進(jìn)一步的實(shí)現(xiàn)薄型化。上原利久還用有芯層和任意層（無(wú)芯層）兩種HDI多層板構(gòu)造進(jìn)行實(shí)例的對(duì)比，以此來(lái)說(shuō)明此項(xiàng)HDI多層板技術(shù)的進(jìn)步（見(jiàn)圖7）。

圖6 應(yīng)用于iPhone 4中的10層任意層HDI多層板（已裝聯(lián)上元器件）

圖7 兩種HDI多層板構(gòu)造圖的實(shí)例對(duì)比

以上，通過(guò)對(duì)手機(jī)采用的HDI多層板在技術(shù)上變遷的分析，更加說(shuō)明了HDI多層板技術(shù)在二十年中的巨大發(fā)展。而它的每一階段技術(shù)的攀升，都是與它所用基板材料的技術(shù)進(jìn)步分不開(kāi)的。

[1]上原利久(日) .高密度配線板の技術(shù)[J].エレクトロニクス實(shí)裝學(xué)會(huì)誌,Vol.13,No.5 (2010).

[2]許路.HDI電路板新型制造技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài).http://www.cnki.net.

[3]0.4mmピッチCSP對(duì)應(yīng)品, 出そろう8層で厚さ0.4mmの品種も登場(chǎng).NIKKEI ELECTRONICS.2006,2.27.

[4]UBM TechInsights David Carey.http://www.dzsc.com/news.

[5]Prismark.The Printed Circuit Report Second Qurter– August 2010.